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1. 发明专利

TW201921448A 噴灑頭及包括噴灑頭的基板處理裝置审中-公开
简体标题：喷洒头及包括喷洒头的基板处理设备
公开(公告)号：TW201921448A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107134433
申请日：2018-09-28
申请人：南韓商優吉尼科技股份有限公司 , EUGENE TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：諸成泰 , JE, SUNG TAE , 朴燦用 , PARK, CHAN YONG , 李在鎬 , LEE, JAE HO , 張吉淳 , JANG, GIL SUN , 尹畼焄 , YUN, CHANG HOON , 林漢俊 , LIM, HAN JUNE , 姜宇泳 , KANG, WOO YOUNG
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/285
摘要：根據本發明之實施例，一種基板處理裝置包括：一腔室，其中用於一基板之一製程得以執行；一噴灑頭，其安裝於該腔室中以朝向該基板噴射一反應氣體；及一基座，其安裝於該噴灑頭下方以支撐該基板。此處，該噴灑頭包括：一噴灑頭主體，其包括該反應氣體自外部所供應至之一內空間及經組配來在與該內空間連通的同時噴射該反應氣體之多個噴射孔；一入流板，其安裝於該內空間中以將該內空間劃分為一入流空間及一緩衝空間，且包括經組配來允許該入流空間及該緩衝空間彼此連通之多個入流孔；及多個調整板，其分別以一可移動方式安裝於該等入流孔上，且經組配來限制該反應氣體自該入流空間至該緩衝空間之移動。
简体摘要：根据本发明之实施例，一种基板处理设备包括：一腔室，其中用于一基板之一制程得以运行；一喷洒头，其安装于该腔室中以朝向该基板喷射一反应气体；及一基座，其安装于该喷洒头下方以支撑该基板。此处，该喷洒头包括：一喷洒头主体，其包括该反应气体自外部所供应至之一内空间及经组配来在与该内空间连通的同时喷射该反应气体之多个喷射孔；一入流板，其安装于该内空间中以将该内空间划分为一入流空间及一缓冲空间，且包括经组配来允许该入流空间及该缓冲空间彼此连通之多个入流孔；及多个调整板，其分别以一可移动方式安装于该等入流孔上，且经组配来限制该反应气体自该入流空间至该缓冲空间之移动。

2. 发明专利

TW201830481A 用於在低溫形成磊晶層之方法审中-公开
简体标题：用于在低温形成磊晶层之方法
公开(公告)号：TW201830481A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106137952
申请日：2017-11-02
申请人：南韓商優吉尼科技股份有限公司 , EUGENE TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：柳斗烈 , RYU, DOO YEOL , 申承祐 , SHIN, SEUNG WOO , 柳次英 , YOO, CHA YOUNG , 鄭愚德 , JUNG, WOO DUCK , 崔豪珉 , CHOI, HO MIN , 吳完錫 , OH, WAN SUK , 金羲植 , KIM, HUI SIK , 金檼浩 , KIM, EUN HO , 朴成真 , PARK, SEONG JIN
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/285 , H01L21/324
摘要：本發明提供一種用於在低溫形成磊晶層之方法。用於形成磊晶層之方法包括傳送一基材進入一磊晶腔室及在該基材上實施一磊晶製程以便在該基材上形成一磊晶層。該磊晶製程包括：在一等於或小於大約700℃之溫度加熱該基材及在該磊晶腔室內調整至一等於或小於大約300Torr之壓力的一狀態下將一矽氣體注入該磊晶腔室以形成一第一磊晶層；停止注入該矽氣體及將一沖洗氣體注入該磊晶腔室以實施在該磊晶腔室內之第一沖洗；在一等於或小於大約700℃之溫度加熱該基材及在該磊晶腔室內調整至一等於或小於大約300Torr之壓力的狀態下將該矽氣體注入該磊晶腔室以形成一第二磊晶層；及停止注入該矽氣體及將該沖洗氣體注入該磊晶腔室以實施在該磊晶腔室內之第二沖洗。
简体摘要：本发明提供一种用于在低温形成磊晶层之方法。用于形成磊晶层之方法包括发送一基材进入一磊晶腔室及在该基材上实施一磊晶制程以便在该基材上形成一磊晶层。该磊晶制程包括：在一等于或小于大约700℃之温度加热该基材及在该磊晶腔室内调整至一等于或小于大约300Torr之压力的一状态下将一硅气体注入该磊晶腔室以形成一第一磊晶层；停止注入该硅气体及将一冲洗气体注入该磊晶腔室以实施在该磊晶腔室内之第一冲洗；在一等于或小于大约700℃之温度加热该基材及在该磊晶腔室内调整至一等于或小于大约300Torr之压力的状态下将该硅气体注入该磊晶腔室以形成一第二磊晶层；及停止注入该硅气体及将该冲洗气体注入该磊晶腔室以实施在该磊晶腔室内之第二冲洗。

3. 发明专利

TW201842529A 感應耦合電漿天線及包括該天線的基板處理裝置审中-公开
简体标题：感应耦合等离子天线及包括该天线的基板处理设备
公开(公告)号：TW201842529A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107103854
申请日：2018-02-02
申请人：南韓商優吉尼科技股份有限公司 , EUGENE TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：崔倫碩 , CHOI, YOON SEOK
IPC分类号： H01J37/32
摘要：本發明係提供一種ICP天線使用於一電漿處理裝置中。該ICP天線包含一天線線圈其一端部經由一阻抗匹配電路連接至一RF電源及另一端部接地；以及一可變電容器並聯該天線線圈之一部分。
简体摘要：本发明系提供一种ICP天线使用于一等离子处理设备中。该ICP天线包含一天线线圈其一端部经由一阻抗匹配电路连接至一RF电源及另一端部接地；以及一可变电容器并联该天线线圈之一部分。

4. 发明专利

TWI694482B 電漿處理裝置及相關電感耦合式電漿(ICP)天線有权
简体标题：等离子处理设备及相关电感耦合式等离子(ICP)天线
公开(公告)号：TWI694482B
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：TW107136099
申请日：2018-10-12
申请人：南韓商優吉尼科技股份有限公司 , EUGENE TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：趙政熙 , JO, JEONG HEE , 崔倫碩 , CHOI, YOON SEOK , 瑟吉薩瑞斯奇 , SERGEY, ZARETSKIY , 柳次英 , YOO, CHA YOUNG
IPC分类号： H01J37/32

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