专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI593343B 用於電子設備之撓性熱界面有权
简体标题：用于电子设备之挠性热界面
公开(公告)号：TWI593343B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW102142821
申请日：2013-11-25
申请人：諾斯拉普葛蘭門系統公司 , NORTHROP GRUMMAN SYSTEMS CORPORATION
发明人：布克曼克林特 , BUCKMAN, CLINT G. , 賽茲卡崔納 , SEITZ, KATRINA M. , 布蘭格克利斯多福 , BRONNENBERG, CHRISTOFER
IPC分类号： H05K7/20 , H05K1/02
CPC分类号： H05K7/20336 , F28D15/02 , F28D15/0233 , H05K7/20254 , H05K7/20636 , H05K7/20772

2. 发明专利

TWI580175B 堆疊式偏壓電流－電壓調整技術有权
简体标题：堆栈式偏压电流－电压调整技术
公开(公告)号：TWI580175B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW104125430
申请日：2015-08-05
申请人：諾斯拉普葛蘭門系統公司 , NORTHROP GRUMMAN SYSTEMS CORPORATION
发明人：謝勒丹尼爾 , SCHERRER, DANIEL R.
IPC分类号： H03F1/30 , H03F3/189
CPC分类号： H03F1/0233 , H03F1/0283 , H03F1/22 , H03F1/30 , H03F3/193 , H03F3/45076 , H03F2200/451 , H03F2203/45116

3. 发明专利

TW201626713A 堆疊式偏壓電流－電壓調整技術审中-公开
简体标题：堆栈式偏压电流－电压调整技术
公开(公告)号：TW201626713A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104125430
申请日：2015-08-05
申请人：諾斯拉普葛蘭門系統公司 , NORTHROP GRUMMAN SYSTEMS CORPORATION
发明人：謝勒丹尼爾 , SCHERRER, DANIEL R.
IPC分类号： H03F1/30 , H03F3/189
CPC分类号： H03F1/0233 , H03F1/0283 , H03F1/22 , H03F1/30 , H03F3/193 , H03F3/45076 , H03F2200/451 , H03F2203/45116
摘要：一RF放大器電路包含複數個FET裝置，其中一FET裝置之一源極端在電氣上被耦合到另一FET裝置之汲極端。該電路進一步包含一分壓器網路及複數個運算放大器，其中將該等運算放大器中之個別的運算放大器提供給每一FET裝置。每一運算放大器包含一正輸入端、一負輸入端、及一輸出端，其中一特定運算放大器之輸出端在電氣上被耦合到一特定FET裝置之一閘極端，每一運算放大器之負輸入端在電氣上被耦合到該特定FET裝置之源極端，且每一運算放大器之正輸入端在電氣上被耦合到該分壓器網路。一源極電阻在電氣上被耦合到該堆疊中之一底部FET裝置的源極端。
简体摘要：一RF放大器电路包含复数个FET设备，其中一FET设备之一源极端在电气上被耦合到另一FET设备之汲极端。该电路进一步包含一分压器网络及复数个运算放大器，其中将该等运算放大器中之个别的运算放大器提供给每一FET设备。每一运算放大器包含一正输入端、一负输入端、及一输出端，其中一特定运算放大器之输出端在电气上被耦合到一特定FET设备之一闸极端，每一运算放大器之负输入端在电气上被耦合到该特定FET设备之源极端，且每一运算放大器之正输入端在电气上被耦合到该分压器网络。一源极电阻在电气上被耦合到该堆栈中之一底部FET设备的源极端。

4. 发明专利

TWI535103B 積集式微電漿限制器有权
简体标题：积集式微等离子限制器
公开(公告)号：TWI535103B
公开(公告)日：2016-05-21
申请号：TW102116695
申请日：2013-05-10
申请人：諾斯拉普葛蘭門系統公司 , NORTHROP GRUMMAN SYSTEMS CORPORATION
发明人：張簡佩蒂 , CHANG-CHIEN, PATTY , 海尼格凱莉 , HENNIG, KELLY JILL , 曾祥林 , ZENG, XIANGLIN , 楊傑佛瑞 , YANG, JEFFREY M.
IPC分类号： H01P1/14 , H01T4/08
CPC分类号： H01T4/16 , H01L23/60 , H01L2924/0002 , H01P1/14 , H03G11/002 , H03G11/004 , H01L2924/00

5. 发明专利

TW201617397A 結構化樹脂中奈米碳管之超高負載审中-公开
简体标题：结构化树脂中奈米碳管之超高负载
公开(公告)号：TW201617397A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW104126537
申请日：2015-08-14
申请人：諾斯拉普葛蘭門系統公司 , NORTHROP GRUMMAN SYSTEMS CORPORATION
发明人：席爾佛艾德華 , SILVERMAN, EDWARD M. , 彭筱琥 , PENG, HSIAO HU
IPC分类号： C08L61/16 , C08K3/04 , C08K7/00 , C08J5/04 , B82Y30/00
CPC分类号： C08K3/04 , C08K3/041 , C08K3/046 , C08L71/12
摘要：揭露聚合物複合材料，其係藉由添加奈米碳管(CNT)而獲致改良之耐損性能強化複合物。CNT係作為機械性強化成分。由CNT所示之較高填料負載與填料表面積，使得容積極大化，其提供填料更均勻的分佈。這使得能形成奈米纖維網狀結構，其能降低基質之無填料容積、有效填充奈米尺寸孔隙。
简体摘要：揭露聚合物复合材料，其系借由添加奈米碳管(CNT)而获致改良之耐损性能强化复合物。CNT系作为机械性强化成分。由CNT所示之较高填料负载与填料表面积，使得容积极大化，其提供填料更均匀的分布。这使得能形成奈米纤维网状结构，其能降低基质之无填料容积、有效填充奈米尺寸孔隙。

6. 发明专利

TW201615800A 用於增強界面熱傳導之奈米熱介質审中-公开
简体标题：用于增强界面热传导之奈米热介质
公开(公告)号：TW201615800A
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW104118164
申请日：2015-06-04
申请人：諾斯拉普葛蘭門系統公司 , NORTHROP GRUMMAN SYSTEMS CORPORATION
发明人：史達可夫克約翰 , STARKOVICH, JOHN A. , 堤斯潔西 , TICE, JESSE B. , 席爾佛艾德華 , SILVERMAN, EDWARD M. , 彭筱琥 , PENG, HSIAO HU
IPC分类号： C09K5/14 , B82Y30/00
CPC分类号： F28F21/085 , C09K5/14 , F28F2013/006 , F28F2255/20 , H01L23/373 , H01L23/3737 , H01L23/42 , H01L2924/00 , H01L2924/0002
摘要：揭示熱界面材料(TIM)，其使用高熱傳導奈米粒子，尤其是具有大的寬高比的奈米粒子，用以增強橫越存在於塊狀材料界面中之邊界或界面層的熱傳送。奈米粒子不需要用於流動載體或作為接合黏著劑內的充填材料來增強熱傳送，而是僅以乾燥固態狀態來使用。奈米粒子可以是具有大的寬高比之等軸形狀或針狀，如、奈米柱及奈米線。
简体摘要：揭示热界面材料(TIM)，其使用高热传导奈米粒子，尤其是具有大的宽高比的奈米粒子，用以增强横越存在于块状材料界面中之边界或界面层的热发送。奈米粒子不需要用于流动载体或作为接合黏着剂内的充填材料来增强热发送，而是仅以干燥固态状态来使用。奈米粒子可以是具有大的宽高比之等轴形状或针状，如、奈米柱及奈米线。

7. 发明专利

TW201417278A 具有ＩｎＧａＮ通道之Ｎ－極性ＧａＮ　ＨＥＭＴ（高電子移動率電晶體）形廓审中-公开
简体标题：具有ＩｎＧａＮ信道之Ｎ－极性ＧａＮ　ＨＥＭＴ（高电子移动率晶体管）形廓
公开(公告)号：TW201417278A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW102124013
申请日：2013-07-04
申请人：諾斯拉普葛蘭門系統公司 , NORTHROP GRUMMAN SYSTEMS CORPORATION
发明人：干彬文森 , GAMBIN, VINCENT , 顧星 , GU, XING
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7783 , H01L29/2003 , H01L29/7786
摘要：本發明揭示用於形成二維電子氣體(2DEG)層之具有InGaN通道的N-極性高電子移動率電晶體(HEMT)裝置。此新穎的通道層提供改良的電子傳輸。其具有較高電子移動率及高場速度，此使得能獲得更高頻率的射頻(RF)性能。該裝置亦可包括沉積在InGaN通道層頂部上之GaN頂蓋層，其對2DEG提供雙重侷限。
简体摘要：本发明揭示用于形成二维电子气体(2DEG)层之具有InGaN信道的N-极性高电子移动率晶体管(HEMT)设备。此新颖的信道层提供改良的电子传输。其具有较高电子移动率及高场速度，此使得能获得更高频率的射频(RF)性能。该设备亦可包括沉积在InGaN信道层顶部上之GaN顶盖层，其对2DEG提供双重局限。

9. 发明专利

TW201706063A 金屬奈米線陣列之高傳導性接合审中-公开
简体标题：金属奈米线数组之高传导性接合
公开(公告)号：TW201706063A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105103614
申请日：2016-02-03
申请人：諾斯拉普葛蘭門系統公司 , NORTHROP GRUMMAN SYSTEMS CORPORATION , 史丹佛大學董事會 , THE BOARD OF TRUSTEES OF THE LELAND STANFORD JUNIOR UNIVERSITY
发明人：史達可夫克約翰 , STARKOVICH, JOHN A. , 席爾佛艾德華 , SILVERMAN, EDWARD M. , 堤斯潔西 , TICE, JESSE B. , 彭筱琥 , PENG, HSIAO HU , 巴拉寇麥可 , BARAKO, MICHAEL T. , 古德森肯尼思 , GOODSON, KENNETH E.
IPC分类号： B23K1/00 , B23K20/02 , C25D3/30 , C25D3/48 , C25D5/02 , C25D5/48 , C25D7/06 , C25D9/02
CPC分类号： F28F3/022 , B23K1/0012 , B23K20/023 , B23K2201/14 , B23P15/26 , B82Y30/00 , C25D3/30 , C25D3/48 , C25D5/02 , C25D5/48 , C25D7/0607 , C25D9/02 , F28F2255/20 , H01L23/373 , H01L23/3736 , H01L23/3737 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/27462 , H01L2224/27466 , H01L2224/29078 , H01L2224/29211 , H01L2224/29244 , H01L2224/83203 , H01L2224/83232 , H01L2224/83238
摘要：一種用來將金屬奈米線(MNW)陣列附裝至相鄰的表面之導熱的且機械上堅固耐用的接合方法包含的步驟為：從該MNW上去除一模板薄膜；用一接合材料來滲入該MNW中；將該接合材料置於該相鄰的表面上；在該接合材料是可接合的時候讓該相鄰的表面和該MNW的上表面接觸；及允許該接合材料冷卻並形成一固態的接合於該MNW和該相鄰的表面之間。一種用來將金屬奈米線(MNW)陣列附裝至相鄰的表面之導熱的且機械上堅固耐用的接合方法包含的步驟為：根據所想要的接合處理來選擇接合材料；及在沒有將一填入到該MNW的縫隙空間內的模板薄膜去除掉之下，將該接合材料沉積至該MNW的尖端。
简体摘要：一种用来将金属奈米线(MNW)数组附装至相邻的表面之导热的且机械上坚固耐用的接合方法包含的步骤为：从该MNW上去除一模板薄膜；用一接合材料来渗入该MNW中；将该接合材料置于该相邻的表面上；在该接合材料是可接合的时候让该相邻的表面和该MNW的上表面接触；及允许该接合材料冷却并形成一固态的接合于该MNW和该相邻的表面之间。一种用来将金属奈米线(MNW)数组附装至相邻的表面之导热的且机械上坚固耐用的接合方法包含的步骤为：根据所想要的接合处理来选择接合材料；及在没有将一填入到该MNW的缝隙空间内的模板薄膜去除掉之下，将该接合材料沉积至该MNW的尖端。

10. 发明专利

TW201702635A 可調焦距之薄電子透鏡审中-公开
简体标题：可调焦距之薄电子透镜
公开(公告)号：TW201702635A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105107950
申请日：2016-03-15
申请人：諾斯拉普葛蘭門系統公司 , NORTHROP GRUMMAN SYSTEMS CORPORATION
发明人：勒維達倫 , LEVINE, DARREN V.
IPC分类号： G02B3/08 , G02B3/00 , G02F1/01 , G02F1/1335 , G02F1/17 , G02F1/157
CPC分类号： G02F1/0121 , G02B3/08 , G02B26/0875 , G02F1/1334 , G02F1/15 , G02F1/172 , G02F1/29
摘要：光學透鏡總成包括圓形菲涅(Fresnel)透鏡，其具有多個鄰接的徑向透鏡區域，其中每個透鏡區域提供相同的焦距範圍，並且其中每個透鏡區域包括沿著徑向的多個透鏡區段。每個透鏡區段在徑向和旋轉方向二者上彎曲，如此則區域的一徑向邊緣包括相對為小的曲率和大的半徑，並且透鏡區域的相對徑向邊緣包括相對為大的曲率和小的半徑，如此則每個透鏡區段分別提供該焦距範圍。濾光器定位成相鄰於菲涅透鏡並且包括多條徑向控制線，其控制成使控制線為不透明或透明的，如此則光傳遞穿過透鏡區域之具有相同焦距的部分。
简体摘要：光学透镜总成包括圆形菲涅(Fresnel)透镜，其具有多个邻接的径向透镜区域，其中每个透镜区域提供相同的焦距范围，并且其中每个透镜区域包括沿着径向的多个透镜区段。每个透镜区段在径向和旋转方向二者上弯曲，如此则区域的一径向边缘包括相对为小的曲率和大的半径，并且透镜区域的相对径向边缘包括相对为大的曲率和小的半径，如此则每个透镜区段分别提供该焦距范围。滤光器定位成相邻于菲涅透镜并且包括多条径向控制线，其控制成使控制线为不透明或透明的，如此则光传递穿过透镜区域之具有相同焦距的部分。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式