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    • 2. 发明专利
    • 堆疊式偏壓電流-電壓調整技術
    • 堆栈式偏压电流-电压调整技术
    • TW201626713A
    • 2016-07-16
    • TW104125430
    • 2015-08-05
    • 諾斯拉普葛蘭門系統公司NORTHROP GRUMMAN SYSTEMS CORPORATION
    • 謝勒 丹尼爾SCHERRER, DANIEL R.
    • H03F1/30H03F3/189
    • H03F1/0233H03F1/0283H03F1/22H03F1/30H03F3/193H03F3/45076H03F2200/451H03F2203/45116
    • 一RF放大器電路包含複數個FET裝置,其中一FET裝置之一源極端在電氣上被耦合到另一FET裝置之汲極端。該電路進一步包含一分壓器網路及複數個運算放大器,其中將該等運算放大器中之個別的運算放大器提供給每一FET裝置。每一運算放大器包含一正輸入端、一負輸入端、及一輸出端,其中一特定運算放大器之輸出端在電氣上被耦合到一特定FET裝置之一閘極端,每一運算放大器之負輸入端在電氣上被耦合到該特定FET裝置之源極端,且每一運算放大器之正輸入端在電氣上被耦合到該分壓器網路。一源極電阻在電氣上被耦合到該堆疊中之一底部FET裝置的源極端。
    • 一RF放大器电路包含复数个FET设备,其中一FET设备之一源极端在电气上被耦合到另一FET设备之汲极端。该电路进一步包含一分压器网络及复数个运算放大器,其中将该等运算放大器中之个别的运算放大器提供给每一FET设备。每一运算放大器包含一正输入端、一负输入端、及一输出端,其中一特定运算放大器之输出端在电气上被耦合到一特定FET设备之一闸极端,每一运算放大器之负输入端在电气上被耦合到该特定FET设备之源极端,且每一运算放大器之正输入端在电气上被耦合到该分压器网络。一源极电阻在电气上被耦合到该堆栈中之一底部FET设备的源极端。