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1. 发明专利

TWI593220B 具有含同相雙閘極的電晶體之電荷幫浦電路及其操作方法有权
简体标题：具有含同相双闸极的晶体管之电荷帮浦电路及其操作方法
公开(公告)号：TWI593220B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW102110253
申请日：2013-03-22
申请人：蘇泰克公司 , SOITEC
发明人：法倫特理查 , FERRANT, RICHARD
IPC分类号： H02M3/07
CPC分类号： H02M3/07 , H02M3/073 , H02M2003/078

3. 发明专利

TW201308333A 不具專用通閘電晶體之差動感測放大器审中-公开
简体标题：不具专用通闸晶体管之差动传感放大器
公开(公告)号：TW201308333A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101113941
申请日：2012-04-19
申请人：蘇泰克公司 , SOITEC
发明人：法倫特理查 , FERRANT, RICHARD , 利威斯羅蘭德 , THEWES, ROLAND
IPC分类号： G11C11/4091 , G11C7/06
CPC分类号： G11C7/065 , G11C11/4091 , G11C2207/002
摘要：一種用以感測儲存在一記憶體晶胞陣列之複數記憶體晶胞中的資料的差動感測放大器，其包括：-第一CMOS反相器，其輸出被連接至第一位元線且輸入被連接至與該第一位元線互補的第二位元線，-第二CMOS反相器，其輸出被連接至該第二位元線且輸入被連接至該第一位元線，-每一CMOS反相器包含一上拉電晶體及一下拉電晶體(M31,M32)，該感測放大器具有一對通閘電晶體，被配置成將該第一及第二位元線連接至第一及第二全域位元線，其中該等通閘電晶體由上拉電晶體或下拉電晶體構成。
简体摘要：一种用以传感存储在一内存晶胞数组之复数内存晶胞中的数据的差动传感放大器，其包括：-第一CMOS反相器，其输出被连接至第一比特线且输入被连接至与该第一比特线互补的第二比特线，-第二CMOS反相器，其输出被连接至该第二比特线且输入被连接至该第一比特线，-每一CMOS反相器包含一上拉晶体管及一下拉晶体管(M31,M32)，该传感放大器具有一对通闸晶体管，被配置成将该第一及第二比特线连接至第一及第二全域比特线，其中该等通闸晶体管由上拉晶体管或下拉晶体管构成。

4. 发明专利

TW201308332A 不具開關電晶體之差動感測放大器审中-公开
简体标题：不具开关晶体管之差动传感放大器
公开(公告)号：TW201308332A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101113586
申请日：2012-04-17
申请人：蘇泰克公司 , SOITEC
发明人：法倫特理查 , FERRANT, RICHARD , 利威斯羅蘭德 , THEWES, ROLAND
IPC分类号： G11C11/4091 , G11C7/06
CPC分类号： G11C7/065 , G11C7/12 , G11C11/4091 , G11C11/4094 , G11C2211/4016
摘要：一種差動感測放大器，其用以感測儲存於一記憶體胞元陣列的多個記憶體胞元中的資料，該差動感測放大器包括：-一第一CMOS反相器，其具有連接到一第一位元線之一輸出、與連接到與該第一位元線互補的一第二位元線之一輸入；-一第二CMOS反相器，其具有連接到該第二位元線的一輸出、和連接到該第一位元線的一輸入，每個CMOS反相器包含一拉升電晶體及一下拉電晶體，其中該等拉升電晶體之源極或該等下拉電晶體之源極係電性耦接且連接至一拉升電壓源或一下拉電壓源，而在該等電晶體的該等源極和電壓源之間沒有一中間電晶體。
简体摘要：一种差动传感放大器，其用以传感存储于一内存胞元数组的多个内存胞元中的数据，该差动传感放大器包括：-一第一CMOS反相器，其具有连接到一第一比特线之一输出、与连接到与该第一比特线互补的一第二比特线之一输入；-一第二CMOS反相器，其具有连接到该第二比特线的一输出、和连接到该第一比特线的一输入，每个CMOS反相器包含一拉升晶体管及一下拉晶体管，其中该等拉升晶体管之源极或该等下拉晶体管之源极系电性耦接且连接至一拉升电压源或一下拉电压源，而在该等晶体管的该等源极和电压源之间没有一中间晶体管。

5. 发明专利

TW201301398A 牽涉退火處理之用以結合半導體結構的方法以及使用此等方法形成之經結合半導體結構审中-公开
简体标题：牵涉退火处理之用以结合半导体结构的方法以及使用此等方法形成之经结合半导体结构
公开(公告)号：TW201301398A
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW101111450
申请日：2012-03-30
申请人：蘇泰克公司 , SOITEC , 原子能與替代能源委員會 , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人：沙達卡馬里安 , SADAKA, MARIAM , 拉杜優娜特 , RADU, IONUT , 蘭德路迪迪爾 , LANDRU, DIDIER , 迪休西利亞 , DI CIOCCI, LEA
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L24/03 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/80 , H01L2224/03452 , H01L2224/03464 , H01L2224/03466 , H01L2224/03845 , H01L2224/03848 , H01L2224/039 , H01L2224/03901 , H01L2224/05546 , H01L2224/08121 , H01L2224/08146 , H01L2224/0903 , H01L2224/80097 , H01L2224/80099 , H01L2224/80201 , H01L2224/80357 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01067 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2224/034
摘要：將半導體結構結合在一起之方法包括使第一半導體結構上之第一金屬特徵結構退火，將第一金屬特徵結構結合至第二半導體結構之第二金屬特徵結構，以形成包含第一金屬特徵結構及第二金屬特徵結構的一經結合金屬結構，且使經結合金屬結構退火。使第一金屬特徵結構退火可包含使第一金屬特徵結構經受一預結合熱預算，且使經結合金屬結構退火可包含使經結合金屬結構經受小於預結合熱預算的一後結合熱預算。經結合半導體結構使用此等方法被製成。
简体摘要：将半导体结构结合在一起之方法包括使第一半导体结构上之第一金属特征结构退火，将第一金属特征结构结合至第二半导体结构之第二金属特征结构，以形成包含第一金属特征结构及第二金属特征结构的一经结合金属结构，且使经结合金属结构退火。使第一金属特征结构退火可包含使第一金属特征结构经受一预结合热预算，且使经结合金属结构退火可包含使经结合金属结构经受小于预结合热预算的一后结合热预算。经结合半导体结构使用此等方法被制成。

6. 发明专利

TWI240960B 用以轉移電氣主動薄膜之方法 METHOD FOR TRANSFERRING AN ELECTRICALLY ACTIVE THIN FILM 失效
简体标题：用以转移电气主动薄膜之方法 METHOD FOR TRANSFERRING AN ELECTRICALLY ACTIVE THIN FILM
公开(公告)号：TWI240960B
公开(公告)日：2005-10-01
申请号：TW092119525
申请日：2003-07-17
申请人：原子能委員會 COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , 蘇泰克公司 SOITEC
发明人：李.迪西歐西歐 DI CIOCCIO LA , 法伯萊斯.里特里 LETERTRE FABRICE , 艾爾薩.修葛納德-伯魯依爾 HUGONNARD-BRUYERE ELSA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/7602
摘要：本發明係有關一種移轉一電性主動薄膜由一初始基材至一目標基材之方法，包含下列步驟：
-經由初始基材之一面進行離子植入，俾相對於該初始基材之被植入面於預定深度，形成一嵌置脆變層，如此一薄膜被定界於該被植入面與該被嵌置面間；
-將該初始基材之被植入面調整為與目標基材之一面作正向連結；
-於嵌置薄膜高度，分開該薄膜與初始基材其餘部分；
-減薄移轉至目標基材之薄膜。
於離子植入階段，植入劑量、能量及電流經選擇，讓植入缺陷之連結係低於預定臨限值，結果於減薄之薄膜內部獲得多數受體缺陷，該缺陷可與薄膜之預定電氣性質相容。
简体摘要：本发明系有关一种移转一电性主动薄膜由一初始基材至一目标基材之方法，包含下列步骤： -经由初始基材之一面进行离子植入，俾相对于该初始基材之被植入面于预定深度，形成一嵌置脆变层，如此一薄膜被定界于该被植入面与该被嵌置面间； -将该初始基材之被植入面调整为与目标基材之一面作正向链接； -于嵌置薄膜高度，分开该薄膜与初始基材其余部分； -减薄移转至目标基材之薄膜。于离子植入阶段，植入剂量、能量及电流经选择，让植入缺陷之链接系低于预定临限值，结果于减薄之薄膜内部获得多数受体缺陷，该缺陷可与薄膜之预定电气性质兼容。

7. 发明专利

TWI485704B 具有關聯於本地行解碼器之交錯感測放大器之半導體記憶體有权
简体标题：具有关联于本地行译码器之交错传感放大器之半导体内存
公开(公告)号：TWI485704B
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：TW100146174
申请日：2011-12-14
申请人：蘇泰克公司 , SOITEC
发明人：費倫特理查 , FERRANT, RICHARD , 安德斯吉哈德 , ENDERS, GERHARD , 瑪蘇瑞卡洛斯 , MAZURE, CARLOS
IPC分类号： G11C11/4091 , G11C11/4097 , G11C11/4063
CPC分类号： G11C11/4091 , G11C7/065 , G11C11/4097

8. 发明专利

TW201225256A 用於射頻或功率應用的電子裝置及其製造方法 ELECTRONIC DEVICE FOR RADIOFREQUENCY OR POWER APPLICATIONS AND PROCESS FOR MANUFACTURING SUCH A DEVICE 审中-公开
简体标题：用于射频或功率应用的电子设备及其制造方法 ELECTRONIC DEVICE FOR RADIOFREQUENCY OR POWER APPLICATIONS AND PROCESS FOR MANUFACTURING SUCH A DEVICE
公开(公告)号：TW201225256A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW100141594
申请日：2011-11-15
申请人：蘇泰克公司
发明人：蘭德路迪迪爾 , 卡皮洛露西安娜 , 迪斯伯納茲艾立克 , 菲古特克里斯多夫 , 寇農洽克歐雷格
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H05K1/18 , H01L21/76251 , H01L21/76254
摘要：本發明係有關供用於射頻或功率應用之電子裝置,其包括在一支承基片上支承電子構件之一半導體層,其中該支承基片包括具有至少30W/mK熱傳導性之一基層以及具有至少5��m厚度之一表層,該表層具有至少3000 Ohm.cm之電阻率以及至少30W/mK之熱傳導性。本發明也有關於製造此一裝置之二種方法。
简体摘要：本发明系有关供用于射频或功率应用之电子设备,其包括在一支承基片上支承电子构件之一半导体层,其中该支承基片包括具有至少30W/mK热传导性之一基层以及具有至少5��m厚度之一表层,该表层具有至少3000 Ohm.cm之电阻率以及至少30W/mK之热传导性。本发明也有关于制造此一设备之二种方法。

9. 发明专利

TWI630642B 用以移轉半導體層之方法與包含限制結構之基體有权
简体标题：用以移转半导体层之方法与包含限制结构之基体
公开(公告)号：TWI630642B
公开(公告)日：2018-07-21
申请号：TW101122492
申请日：2012-06-22
申请人：蘇泰克公司 , SOITEC
发明人：拉列蒙特法布雷斯 , LALLEMENT, FABRICE , 菲古特克里斯多夫 , FIGUET, CHRISTOPHE , 戴爾普瑞特丹尼爾 , DELPRAT, DANIEL
IPC分类号： H01L21/08

10. 发明专利

TWI560752B 用於製造供射頻應用之絕緣體上半導體型基板的方法有权
简体标题：用于制造供射频应用之绝缘体上半导体型基板的方法
公开(公告)号：TWI560752B
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW101109689
申请日：2012-03-21
申请人：蘇泰克公司 , SOITEC , 原子能與替代能源委員會 , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人：歐利伯特費得瑞克 , ALLIBERT, FREDERIC , 衛迪茲茱莉 , WIDIEZ, JULIE
IPC分类号： H01L21/08
CPC分类号： H01L21/02381 , H01L21/02052 , H01L21/76254 , H01L29/04 , H01L29/06

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