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1. 发明专利

TWI512727B 不具開關電晶體之差動感測放大器有权
简体标题：不具开关晶体管之差动传感放大器
公开(公告)号：TWI512727B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW101113586
申请日：2012-04-17
申请人：蘇泰克公司 , SOITEC
发明人：法倫特理查 , FERRANT, RICHARD , 利威斯羅蘭德 , THEWES, ROLAND
IPC分类号： G11C11/4091 , G11C7/06
CPC分类号： G11C7/065 , G11C7/12 , G11C11/4091 , G11C11/4094 , G11C2211/4016

2. 发明专利

TWI503837B 不具專用預充電電晶體之差動感測放大器有权
简体标题：不具专用预充电晶体管之差动传感放大器
公开(公告)号：TWI503837B
公开(公告)日：2015-10-11
申请号：TW101113002
申请日：2012-04-12
申请人：蘇泰克公司 , SOITEC
发明人：法倫特理查 , FERRANT, RICHARD , 利威斯羅蘭德 , THEWES, ROLAND
IPC分类号： G11C7/06
CPC分类号： G11C7/065 , G11C7/12 , G11C11/4091 , G11C11/4094

3. 发明专利

TW201308333A 不具專用通閘電晶體之差動感測放大器审中-公开
简体标题：不具专用通闸晶体管之差动传感放大器
公开(公告)号：TW201308333A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101113941
申请日：2012-04-19
申请人：蘇泰克公司 , SOITEC
发明人：法倫特理查 , FERRANT, RICHARD , 利威斯羅蘭德 , THEWES, ROLAND
IPC分类号： G11C11/4091 , G11C7/06
CPC分类号： G11C7/065 , G11C11/4091 , G11C2207/002
摘要：一種用以感測儲存在一記憶體晶胞陣列之複數記憶體晶胞中的資料的差動感測放大器，其包括：-第一CMOS反相器，其輸出被連接至第一位元線且輸入被連接至與該第一位元線互補的第二位元線，-第二CMOS反相器，其輸出被連接至該第二位元線且輸入被連接至該第一位元線，-每一CMOS反相器包含一上拉電晶體及一下拉電晶體(M31,M32)，該感測放大器具有一對通閘電晶體，被配置成將該第一及第二位元線連接至第一及第二全域位元線，其中該等通閘電晶體由上拉電晶體或下拉電晶體構成。
简体摘要：一种用以传感存储在一内存晶胞数组之复数内存晶胞中的数据的差动传感放大器，其包括：-第一CMOS反相器，其输出被连接至第一比特线且输入被连接至与该第一比特线互补的第二比特线，-第二CMOS反相器，其输出被连接至该第二比特线且输入被连接至该第一比特线，-每一CMOS反相器包含一上拉晶体管及一下拉晶体管(M31,M32)，该传感放大器具有一对通闸晶体管，被配置成将该第一及第二比特线连接至第一及第二全域比特线，其中该等通闸晶体管由上拉晶体管或下拉晶体管构成。

4. 发明专利

TW201308332A 不具開關電晶體之差動感測放大器审中-公开
简体标题：不具开关晶体管之差动传感放大器
公开(公告)号：TW201308332A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101113586
申请日：2012-04-17
申请人：蘇泰克公司 , SOITEC
发明人：法倫特理查 , FERRANT, RICHARD , 利威斯羅蘭德 , THEWES, ROLAND
IPC分类号： G11C11/4091 , G11C7/06
CPC分类号： G11C7/065 , G11C7/12 , G11C11/4091 , G11C11/4094 , G11C2211/4016
摘要：一種差動感測放大器，其用以感測儲存於一記憶體胞元陣列的多個記憶體胞元中的資料，該差動感測放大器包括：-一第一CMOS反相器，其具有連接到一第一位元線之一輸出、與連接到與該第一位元線互補的一第二位元線之一輸入；-一第二CMOS反相器，其具有連接到該第二位元線的一輸出、和連接到該第一位元線的一輸入，每個CMOS反相器包含一拉升電晶體及一下拉電晶體，其中該等拉升電晶體之源極或該等下拉電晶體之源極係電性耦接且連接至一拉升電壓源或一下拉電壓源，而在該等電晶體的該等源極和電壓源之間沒有一中間電晶體。
简体摘要：一种差动传感放大器，其用以传感存储于一内存胞元数组的多个内存胞元中的数据，该差动传感放大器包括：-一第一CMOS反相器，其具有连接到一第一比特线之一输出、与连接到与该第一比特线互补的一第二比特线之一输入；-一第二CMOS反相器，其具有连接到该第二比特线的一输出、和连接到该第一比特线的一输入，每个CMOS反相器包含一拉升晶体管及一下拉晶体管，其中该等拉升晶体管之源极或该等下拉晶体管之源极系电性耦接且连接至一拉升电压源或一下拉电压源，而在该等晶体管的该等源极和电压源之间没有一中间晶体管。

5. 发明专利

TWI489455B 不具專用通閘電晶體之差動感測放大器有权
简体标题：不具专用通闸晶体管之差动传感放大器
公开(公告)号：TWI489455B
公开(公告)日：2015-06-21
申请号：TW101113941
申请日：2012-04-19
申请人：蘇泰克公司 , SOITEC
发明人：法倫特理查 , FERRANT, RICHARD , 利威斯羅蘭德 , THEWES, ROLAND
IPC分类号： G11C11/4091 , G11C7/06
CPC分类号： G11C7/065 , G11C11/4091 , G11C2207/002

6. 发明专利

TW201301293A 不具專用預充電電晶體之差動感測放大器审中-公开
简体标题：不具专用预充电晶体管之差动传感放大器
公开(公告)号：TW201301293A
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW101113002
申请日：2012-04-12
申请人：蘇泰克公司 , SOITEC
发明人：法倫特理查 , FERRANT, RICHARD , 利威斯羅蘭德 , THEWES, ROLAND
IPC分类号： G11C7/06
CPC分类号： G11C7/065 , G11C7/12 , G11C11/4091 , G11C11/4094
摘要：本發明提出用以感測儲存於一記憶體胞元陣列的多個記憶體胞元中的資料之一差動感測放大器，其包含：一第一CMOS反相器，其具有連接到一第一位元線(BL)的一輸出和連接到與該第一位元線互補之一第二位元線(/BL)的一輸入，一第二CMOS反相器，其具有連接到該第二位元線(/BL)的一輸出和連接到該第一位元線(BL)的一輸入，每個CMOS反相器包含一拉升電晶體(M21、M22)和一下拉電晶體(M31、M32)，該感測放大器具有配置成分別耦接至該等第一和第二位元線(BL、/BL)之一對預充電電晶體，以便將該等第一和第二位元線(BL、/BL)預充電至一預充電電壓，其中該等預充電電晶體係由該等拉升電晶體(M21、M22)或由該等下拉電晶體(M31、M32)構成。
简体摘要：本发明提出用以传感存储于一内存胞元数组的多个内存胞元中的数据之一差动传感放大器，其包含：一第一CMOS反相器，其具有连接到一第一比特线(BL)的一输出和连接到与该第一比特线互补之一第二比特线(/BL)的一输入，一第二CMOS反相器，其具有连接到该第二比特线(/BL)的一输出和连接到该第一比特线(BL)的一输入，每个CMOS反相器包含一拉升晶体管(M21、M22)和一下拉晶体管(M31、M32)，该传感放大器具有配置成分别耦接至该等第一和第二比特线(BL、/BL)之一对预充电晶体管，以便将该等第一和第二比特线(BL、/BL)预充电至一预充电电压，其中该等预充电晶体管系由该等拉升晶体管(M21、M22)或由该等下拉晶体管(M31、M32)构成。

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