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1. 发明专利

TWI273245B 半導體晶圓之非侵入性電測量 NON-INVASIVE ELECTRICAL MEASUREMENT OF SEMICONDUCTOR WAFERS 有权
简体标题：半导体晶圆之非侵入性电测量 NON-INVASIVE ELECTRICAL MEASUREMENT OF SEMICONDUCTOR WAFERS
公开(公告)号：TWI273245B
公开(公告)日：2007-02-11
申请号：TW092107931
申请日：2003-04-07
申请人：固態量測股份有限公司 SOLID STATE MEASUREMENTS, INC.
发明人：威廉.郝蘭德 WILLIAM H. HOWLAND
IPC分类号： G01R
CPC分类号： H01L22/14 , G01R31/2886 , G01R31/312 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種多探針組件包括一種吸盤組件，其被構形為容納半導體晶圓的背部或前側表面。一種多探針固持器具複數個探針，每一個皆具可彈性變形的傳導尖端，其為可移動的以與電介體之前側表面或半導體材料的前側表面接觸。一種裝置施用電刺激於每一個尖端，測量對該電刺激的回應，及決定至少一個該電介體及/或該半導體材料的電性質。一種測量至少一個電性質之方法施用一種具可彈性變形的傳導尖端之探針(或複數個探針)於切割線。一種電刺激被施用於該探針或該複數個探針的其中一個且其餘探針被接地。對該電刺激的回應被測量及至少一個該半導體晶圓的電性質被自該回應決定。
简体摘要：一种多探针组件包括一种吸盘组件，其被构形为容纳半导体晶圆的背部或前侧表面。一种多探针固持器具复数个探针，每一个皆具可弹性变形的传导尖端，其为可移动的以与电介体之前侧表面或半导体材料的前侧表面接触。一种设备施用电刺激于每一个尖端，测量对该电刺激的回应，及决定至少一个该电介体及/或该半导体材料的电性质。一种测量至少一个电性质之方法施用一种具可弹性变形的传导尖端之探针(或复数个探针)于切割线。一种电刺激被施用于该探针或该复数个探针的其中一个且其余探针被接地。对该电刺激的回应被测量及至少一个该半导体晶圆的电性质被自该回应决定。

2. 发明专利

TW200618155A 偵測未退火離子佈植之方法 METHOD OF DETECTING UN-ANNEALED ION IMPLANTS 审中-公开
简体标题：侦测未退火离子布植之方法 METHOD OF DETECTING UN-ANNEALED ION IMPLANTS
公开(公告)号：TW200618155A
公开(公告)日：2006-06-01
申请号：TW094130617
申请日：2005-09-06
申请人：固態量測股份有限公司 SOLID STATE MEASUREMENTS, INC.
发明人：威廉.郝蘭德二世 WILLIAM H. HOWLAND, JR.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L22/20 , H01L21/26513 , H01L22/14 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：於半導體晶圓退火前，測量在該半導體晶圓的半導體材料中所佈值離子之至少一處的電流／電壓反應。從所測得的反應，判定是否離子佈植在可接受的容許範圍內。
简体摘要：于半导体晶圆退火前，测量在该半导体晶圆的半导体材料中所布值离子之至少一处的电流／电压反应。从所测得的反应，判定是否离子布植在可接受的容许范围内。

3. 发明专利

TWI296329B 半導體之半導電材料中決定缺陷及不純濃度之方法及裝置 METHOD AND APPARATUS FOR DETERMINING DEFECT AND IMPURITY CONCENTRATION IN SEMICONDUCTING MATERIAL OF A SEMICONDUCTOR WAFER 失效
简体标题：半导体之半导电材料中决定缺陷及不纯浓度之方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR DETERMINING DEFECT AND IMPURITY CONCENTRATION IN SEMICONDUCTING MATERIAL OF A SEMICONDUCTOR WAFER
公开(公告)号：TWI296329B
公开(公告)日：2008-05-01
申请号：TW092128634
申请日：2003-10-15
申请人：固態量測股份有限公司 SOLID STATE MEASUREMENTS, INC.
发明人：威廉.郝蘭德 WILLIAM H. HOWLAND
IPC分类号： G01R , H01L
CPC分类号： G01R31/2648 , G01N27/22
摘要：一半導體晶片帶電粒子之壽命係藉由將電傳導測量探針接觸到半導體晶片之表面以形成電容器來測量。將一具有交流電壓疊置於其上的直流電壓於第一電壓和第二電壓之間掃描。在第二電壓時，將該測量探針和半導體晶片表面之間的接觸點鄰近之半導體晶片暴露於光脈衝之下。在光脈衝終止之後，決定該電容器電容隨時間之變化，再從如此之電容變化決定半導體晶片帶電粒子之壽命。
简体摘要：一半导体芯片带电粒子之寿命系借由将电传导测量探针接触到半导体芯片之表面以形成电容器来测量。将一具有交流电压叠置于其上的直流电压于第一电压和第二电压之间扫描。在第二电压时，将该测量探针和半导体芯片表面之间的接触点邻近之半导体芯片暴露于光脉冲之下。在光脉冲终止之后，决定该电容器电容随时间之变化，再从如此之电容变化决定半导体芯片带电粒子之寿命。

4. 发明专利

TW200636252A 具氧化物强化探針半導體晶圓測量方法 METHOD OF MEASURING SEMICONDUCTOR WAFERS WITH AN OXIDE ENHANCED PROBE 审中-公开
简体标题：具氧化物强化探针半导体晶圆测量方法 METHOD OF MEASURING SEMICONDUCTOR WAFERS WITH AN OXIDE ENHANCED PROBE
公开(公告)号：TW200636252A
公开(公告)日：2006-10-16
申请号：TW095106442
申请日：2006-02-24
申请人：固態量測股份有限公司 SOLID STATE MEASUREMENTS, INC.
发明人：威廉.郝蘭德二世 WILLIAM H. HOWLAND, JR.
IPC分类号： G01R , H01L
CPC分类号： G01R31/312 , G01R1/06738 , G01R1/06761 , G01R3/00 , G01R31/2648
摘要：一種測量半導體晶圓至少一電性的方法，包括提供一彈性可變形且可導電接觸，其具有由一控制氧化程序(例如但不限於熱氧化、陽極氧化、或沈積氧化)而於其外部表面形成之絕緣氧化物層。於該接觸表面上的氧化物層與覆蓋該半導體晶圓的頂部表面的介電層之間形成第一電接觸，並且於半導體晶圓上形成第二電接觸。於第一電接觸及第二電接觸之間施加一CV形式刺激。測量該半導體晶圓對該CV形式刺激的反應，並且自該反應判定介電層、該半導體晶圓或二者之至少一電性。
简体摘要：一种测量半导体晶圆至少一电性的方法，包括提供一弹性可变形且可导电接触，其具有由一控制氧化进程(例如但不限于热氧化、阳极氧化、或沉积氧化)而于其外部表面形成之绝缘氧化物层。于该接触表面上的氧化物层与覆盖该半导体晶圆的顶部表面的介电层之间形成第一电接触，并且于半导体晶圆上形成第二电接触。于第一电接触及第二电接触之间施加一CV形式刺激。测量该半导体晶圆对该CV形式刺激的反应，并且自该反应判定介电层、该半导体晶圆或二者之至少一电性。

5. 发明专利

TW200601415A 決定產品半導體晶圓產生壽命之方法及裝置 METHOD AND APPARATUS FOR DETERMINING GENERATION LIFETIME OF PRODUCT SEMICONDUCTOR WAFERS 审中-公开
简体标题：决定产品半导体晶圆产生寿命之方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR DETERMINING GENERATION LIFETIME OF PRODUCT SEMICONDUCTOR WAFERS
公开(公告)号：TW200601415A
公开(公告)日：2006-01-01
申请号：TW094117737
申请日：2005-05-30
申请人：固態量測股份有限公司 SOLID STATE MEASUREMENTS, INC.
发明人：羅伯特‧希爾拉德 ROBERT J. HILLARD
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G01R31/2648 , G01R31/2831
摘要：為決定半導體晶圓pn接合的產生壽命，使一可彈性變形、電傳導接觸點與pn接合上的半導體晶圓表面接觸。將至少一反向偏壓經由該接觸點施加於該pn接合及測量回應各反向偏壓之施加而在接觸點中流動的電流值。接著由該反向偏壓值及該相對應所測量電流值的子集決定該pn接合的產生壽命。
简体摘要：为决定半导体晶圆pn接合的产生寿命，使一可弹性变形、电传导接触点与pn接合上的半导体晶圆表面接触。将至少一反向偏压经由该接触点施加于该pn接合及测量回应各反向偏压之施加而在接触点中流动的电流值。接着由该反向偏压值及该相对应所测量电流值的子集决定该pn接合的产生寿命。

6. 发明专利

TW200516685A 以電導電壓為基礎監控介電材料中漏電流之方法 CONDUCTANCE-VOLTAGE (GV) BASED METHOD FOR DETERMINING LEAKAGE CURRENT IN DIELECTRICS 审中-公开
简体标题：以电导电压为基础监控介电材料中漏电流之方法 CONDUCTANCE-VOLTAGE (GV) BASED METHOD FOR DETERMINING LEAKAGE CURRENT IN DIELECTRICS
公开(公告)号：TW200516685A
公开(公告)日：2005-05-16
申请号：TW093125198
申请日：2004-08-20
申请人：固態量測股份有限公司 SOLID STATE MEASUREMENTS, INC.
发明人：羅伯特‧希爾拉德 ROBERT J. HILLARD
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G01R31/2648 , G01R31/129 , G01R31/2831
摘要：覆蓋一半導體晶圓之一介電材料之一漏電流可以移動一導電探針至接觸該介電材料、並施加一電性刺激於該探針尖端及該半導體晶圓之間以得到，其中，該電性刺激具有固定振幅及固定頻率之交流電壓形式，該交流電壓疊加於一直流電壓，該直流電壓由一啟始電壓平掃至一終結電壓。該介電材料及該半導體晶圓之關連電導數值可以經由該交流電壓及一交流電流間之相角決定，該交流電流來自該直流電壓平掃期間之該施加交流電壓。隨後，該介電材料之該漏電流可以經由該等電導數值決定。
简体摘要：覆盖一半导体晶圆之一介电材料之一漏电流可以移动一导电探针至接触该介电材料、并施加一电性刺激于该探针尖端及该半导体晶圆之间以得到，其中，该电性刺激具有固定振幅及固定频率之交流电压形式，该交流电压叠加于一直流电压，该直流电压由一启始电压平扫至一终结电压。该介电材料及该半导体晶圆之关连电导数值可以经由该交流电压及一交流电流间之相角决定，该交流电流来自该直流电压平扫期间之该施加交流电压。随后，该介电材料之该漏电流可以经由该等电导数值决定。

7. 发明专利

TW200307137A 決定半導體晶圓電性質之裝置及方法 APPARATUS AND METHOD FOR DETERMINING ELECTRICAL PROPERTIES OF A SEMICONDUCTOR WAFER 失效
简体标题：决定半导体晶圆电性质之设备及方法 APPARATUS AND METHOD FOR DETERMINING ELECTRICAL PROPERTIES OF A SEMICONDUCTOR WAFER
公开(公告)号：TW200307137A
公开(公告)日：2003-12-01
申请号：TW092107933
申请日：2003-04-07
申请人：固態量測股份有限公司 SOLID STATE MEASUREMENTS, INC.
发明人：威廉郝蘭德 WILLIAM H. HOWLAND
IPC分类号： G01R
CPC分类号： G01R31/2648 , G01R1/06738 , G01R31/312
摘要：一種測量半導體晶圓的電性質之裝置，其包括一種具至少一部份由光可透過之材料所形成的電傳導尖端之探針及一種與該電傳導尖端相鄰放置的探針護罩。該裝置包括一種裝置以選擇性地施用一種第一電刺激於半導體晶圓及每一個探針的該傳導尖端間當其以與形成該半導體晶圓的半導體材料的空間關係被放置時，及一種裝置以選擇性地施用一種第二電刺激於該半導體晶圓及每一個探針的該探針護罩間。一種裝置以測量該半導體晶圓對電刺激之回應及由該回應決定其至少一個電性質被提供。一種光源可被放置以選擇性地經由該透光材料向著該半導體晶圓發射光。
简体摘要：一种测量半导体晶圆的电性质之设备，其包括一种具至少一部份由光可透过之材料所形成的电传导尖端之探针及一种与该电传导尖端相邻放置的探针护罩。该设备包括一种设备以选择性地施用一种第一电刺激于半导体晶圆及每一个探针的该传导尖端间当其以与形成该半导体晶圆的半导体材料的空间关系被放置时，及一种设备以选择性地施用一种第二电刺激于该半导体晶圆及每一个探针的该探针护罩间。一种设备以测量该半导体晶圆对电刺激之回应及由该回应决定其至少一个电性质被提供。一种光源可被放置以选择性地经由该透光材料向着该半导体晶圆发射光。

8. 发明专利

TW200306425A 半導體晶圓之非侵入性電測量 NON-INVASIVE ELECTRICAL MEASUREMENT OF SEMICONDUCTOR WAFERS 审中-公开
简体标题：半导体晶圆之非侵入性电测量 NON-INVASIVE ELECTRICAL MEASUREMENT OF SEMICONDUCTOR WAFERS
公开(公告)号：TW200306425A
公开(公告)日：2003-11-16
申请号：TW092107931
申请日：2003-04-07
申请人：固態量測股份有限公司 SOLID STATE MEASUREMENTS, INC.
发明人：威廉郝蘭德 WILLIAM H. HOWLAND
IPC分类号： G01R
CPC分类号： H01L22/14 , G01R31/2886 , G01R31/312 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種多探針組件包括一種吸盤組件，其被構形為容納半導體晶圓的背部或前側表面。一種多探針固持器具複數個探針，每一個皆具可彈性變形的傳導尖端，其為可移動的以與電介體之前側表面或半導體材料的前側表面接觸。一種裝置施用電刺激於每一個尖端，測量對該電刺激的回應，及決定至少一個該電介體及／或該半導體材料的電性質。一種測量至少一個電性質之方法施用一種具可彈性變形的傳導尖端之探針（或複數個探針）於切割線。一種電刺激被施用於該探針或該複數個探針的其中一個且其餘探針被接地。對該電刺激的回應被測量及至少一個該半導體晶圓的電性質被自該回應決定。
简体摘要：一种多探针组件包括一种吸盘组件，其被构形为容纳半导体晶圆的背部或前侧表面。一种多探针固持器具复数个探针，每一个皆具可弹性变形的传导尖端，其为可移动的以与电介体之前侧表面或半导体材料的前侧表面接触。一种设备施用电刺激于每一个尖端，测量对该电刺激的回应，及决定至少一个该电介体及／或该半导体材料的电性质。一种测量至少一个电性质之方法施用一种具可弹性变形的传导尖端之探针（或复数个探针）于切割线。一种电刺激被施用于该探针或该复数个探针的其中一个且其余探针被接地。对该电刺激的回应被测量及至少一个该半导体晶圆的电性质被自该回应决定。

9. 发明专利

TWI284378B 高速臨界電壓及平均表面摻雜量測 HIGH SPEED THRESHOLD VOLTAGE AND AVERAGE SURFACE DOPING MEASUREMENT 失效
简体标题：高速临界电压及平均表面掺杂量测 HIGH SPEED THRESHOLD VOLTAGE AND AVERAGE SURFACE DOPING MEASUREMENT
公开(公告)号：TWI284378B
公开(公告)日：2007-07-21
申请号：TW092105411
申请日：2003-03-12
申请人：固態量測股份有限公司 SOLID STATE MEASUREMENTS, INC.
发明人：威廉‧郝蘭德 WILLIAM H. HOWLAND
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G01R31/2656 , G01R31/2831
摘要：一種藉由在拂掠開始之前，立即暴露量測位址於高密度光線下來量測半導體晶圓之臨界電壓及平均表面摻雜濃度的方法。電容-電壓量測拂掠係以電壓增加至最大壓來達成，而半導體晶圓對電容-電壓量測拂掠之反應係被紀錄。當該電壓達到其最大電壓時，光線係被關掉，而在缺乏光線下量測位址之電容係被量測直到電容達到均衡為止。臨界電壓及平均表面摻雜濃度可自該被紀錄反應來決定。
简体摘要：一种借由在拂掠开始之前，立即暴露量测位址于高密度光线下来量测半导体晶圆之临界电压及平均表面掺杂浓度的方法。电容-电压量测拂掠系以电压增加至最大压来达成，而半导体晶圆对电容-电压量测拂掠之反应系被纪录。当该电压达到其最大电压时，光线系被关掉，而在缺乏光线下量测位址之电容系被量测直到电容达到均衡为止。临界电压及平均表面掺杂浓度可自该被纪录反应来决定。

10. 发明专利

TWI276190B 測試半導體晶圓之方法及裝置 METHOD AND APPARTUS FOR TESTING SEMICONDUCTOR WAFERS 失效
简体标题：测试半导体晶圆之方法及设备 METHOD AND APPARTUS FOR TESTING SEMICONDUCTOR WAFERS
公开(公告)号：TWI276190B
公开(公告)日：2007-03-11
申请号：TW091118227
申请日：2002-08-13
申请人：固態量測股份有限公司 SOLID STATE MEASUREMENTS, INC.
发明人：威廉.亞歷山大 WILLIAM J. ALEXANDER
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6835 , G01R31/2831 , G01R31/2851 , H01L21/6838 , H01L22/14 , H01L2924/014 , H01L2924/30105
摘要：一種晶圓測試裝置包含一樣品吸盤，其具有一平坦表面以支撐定位於其上之一測試晶圓，該樣品吸盤具有一基礎結構，其係以一傳導金屬製造，且具有一半導體層固定至該基礎結構，其定義該樣品吸盤之該平坦表面，一電性測試探針其建立一校正因數，對應於該半導體層表面上之一位置，以用於記述一電性特性於一測試晶圓上之一位置，大體上不受到該半導體層之該電性特性與該位置下基礎結構之影響。
简体摘要：一种晶圆测试设备包含一样品吸盘，其具有一平坦表面以支撑定位于其上之一测试晶圆，该样品吸盘具有一基础结构，其系以一传导金属制造，且具有一半导体层固定至该基础结构，其定义该样品吸盘之该平坦表面，一电性测试探针其创建一校正因子，对应于该半导体层表面上之一位置，以用于记述一电性特性于一测试晶圆上之一位置，大体上不受到该半导体层之该电性特性与该位置下基础结构之影响。

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