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1. 发明专利

TW200308036A 高速臨界電壓及平均表面摻雜量測 HIGH SPEED THRESHOLD VOLTAGE AND AVERAGE SURFACE DOPING MEASUREMENT 失效
简体标题：高速临界电压及平均表面掺杂量测 HIGH SPEED THRESHOLD VOLTAGE AND AVERAGE SURFACE DOPING MEASUREMENT
公开(公告)号：TW200308036A
公开(公告)日：2003-12-16
申请号：TW092105411
申请日：2003-03-12
申请人：固態量測股份有限公司 SOLID STATE MEASUREMENTS, INC.
发明人：威廉郝蘭德 WILLIAM H. HOWLAND
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G01R31/2656 , G01R31/2831
摘要：一種藉由在拂掠開始之前，立即暴露量測位址於高密度光線下來量測半導體晶圓之臨界電壓及平均表面摻雜濃度的方法。電容–電壓量測拂掠係以電壓增加至最大壓來達成，而半導體晶圓對電容–電壓量測拂掠之反應係被紀錄。當該電壓達到其最大電壓時，光線係被關掉，而在缺乏光線下量測位址之電容係被量測直到電容達到均衡為止。臨界電壓及平均表面摻雜濃度可自該被紀錄反應來決定。
简体摘要：一种借由在拂掠开始之前，立即暴露量测位址于高密度光线下来量测半导体晶圆之临界电压及平均表面掺杂浓度的方法。电容–电压量测拂掠系以电压增加至最大压来达成，而半导体晶圆对电容–电压量测拂掠之反应系被纪录。当该电压达到其最大电压时，光线系被关掉，而在缺乏光线下量测位址之电容系被量测直到电容达到均衡为止。临界电压及平均表面掺杂浓度可自该被纪录反应来决定。

2. 发明专利

TW200306618A 決定半導體晶圓摻雜濃度之裝置及方法 APPARATUS AND METHOD FOR DETERMINING DOPING CONCENTRATION OF A SEMICONDUCTOR WAFER 审中-公开
简体标题：决定半导体晶圆掺杂浓度之设备及方法 APPARATUS AND METHOD FOR DETERMINING DOPING CONCENTRATION OF A SEMICONDUCTOR WAFER
公开(公告)号：TW200306618A
公开(公告)日：2003-11-16
申请号：TW092107932
申请日：2003-04-07
申请人：固態量測股份有限公司 SOLID STATE MEASUREMENTS, INC.
发明人：威廉郝蘭德 WILLIAM H. HOWLAND
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G01R31/2648 , G01R1/06738 , G01R31/312
摘要：一種測量半導體晶圓的至少一個電性質之裝置，其包括一種具一軸的探針，在軸末稍端有傳導探針以與該半導體晶圓的目標區域電通訊。該裝置更包括一種裝置以在該傳導尖端及該目標區域間施用一電刺激，及一種裝置以測量該半導體晶圓對該電刺激的回應，及自該回應決定該半導體晶圓的目標區域之至少一個電性質。一種探針護罩被包括且圍繞與探針末稍端相鄰的探針軸，該探針護罩亦使該傳導尖端與該半導體晶圓絕緣。
简体摘要：一种测量半导体晶圆的至少一个电性质之设备，其包括一种具一轴的探针，在轴末稍端有传导探针以与该半导体晶圆的目标区域电通信。该设备更包括一种设备以在该传导尖端及该目标区域间施用一电刺激，及一种设备以测量该半导体晶圆对该电刺激的回应，及自该回应决定该半导体晶圆的目标区域之至少一个电性质。一种探针护罩被包括且围绕与探针末稍端相邻的探针轴，该探针护罩亦使该传导尖端与该半导体晶圆绝缘。

3. 发明专利

TW200307137A 決定半導體晶圓電性質之裝置及方法 APPARATUS AND METHOD FOR DETERMINING ELECTRICAL PROPERTIES OF A SEMICONDUCTOR WAFER 失效
简体标题：决定半导体晶圆电性质之设备及方法 APPARATUS AND METHOD FOR DETERMINING ELECTRICAL PROPERTIES OF A SEMICONDUCTOR WAFER
公开(公告)号：TW200307137A
公开(公告)日：2003-12-01
申请号：TW092107933
申请日：2003-04-07
申请人：固態量測股份有限公司 SOLID STATE MEASUREMENTS, INC.
发明人：威廉郝蘭德 WILLIAM H. HOWLAND
IPC分类号： G01R
CPC分类号： G01R31/2648 , G01R1/06738 , G01R31/312
摘要：一種測量半導體晶圓的電性質之裝置，其包括一種具至少一部份由光可透過之材料所形成的電傳導尖端之探針及一種與該電傳導尖端相鄰放置的探針護罩。該裝置包括一種裝置以選擇性地施用一種第一電刺激於半導體晶圓及每一個探針的該傳導尖端間當其以與形成該半導體晶圓的半導體材料的空間關係被放置時，及一種裝置以選擇性地施用一種第二電刺激於該半導體晶圓及每一個探針的該探針護罩間。一種裝置以測量該半導體晶圓對電刺激之回應及由該回應決定其至少一個電性質被提供。一種光源可被放置以選擇性地經由該透光材料向著該半導體晶圓發射光。
简体摘要：一种测量半导体晶圆的电性质之设备，其包括一种具至少一部份由光可透过之材料所形成的电传导尖端之探针及一种与该电传导尖端相邻放置的探针护罩。该设备包括一种设备以选择性地施用一种第一电刺激于半导体晶圆及每一个探针的该传导尖端间当其以与形成该半导体晶圆的半导体材料的空间关系被放置时，及一种设备以选择性地施用一种第二电刺激于该半导体晶圆及每一个探针的该探针护罩间。一种设备以测量该半导体晶圆对电刺激之回应及由该回应决定其至少一个电性质被提供。一种光源可被放置以选择性地经由该透光材料向着该半导体晶圆发射光。

4. 发明专利

TW200306425A 半導體晶圓之非侵入性電測量 NON-INVASIVE ELECTRICAL MEASUREMENT OF SEMICONDUCTOR WAFERS 审中-公开
简体标题：半导体晶圆之非侵入性电测量 NON-INVASIVE ELECTRICAL MEASUREMENT OF SEMICONDUCTOR WAFERS
公开(公告)号：TW200306425A
公开(公告)日：2003-11-16
申请号：TW092107931
申请日：2003-04-07
申请人：固態量測股份有限公司 SOLID STATE MEASUREMENTS, INC.
发明人：威廉郝蘭德 WILLIAM H. HOWLAND
IPC分类号： G01R
CPC分类号： H01L22/14 , G01R31/2886 , G01R31/312 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種多探針組件包括一種吸盤組件，其被構形為容納半導體晶圓的背部或前側表面。一種多探針固持器具複數個探針，每一個皆具可彈性變形的傳導尖端，其為可移動的以與電介體之前側表面或半導體材料的前側表面接觸。一種裝置施用電刺激於每一個尖端，測量對該電刺激的回應，及決定至少一個該電介體及／或該半導體材料的電性質。一種測量至少一個電性質之方法施用一種具可彈性變形的傳導尖端之探針（或複數個探針）於切割線。一種電刺激被施用於該探針或該複數個探針的其中一個且其餘探針被接地。對該電刺激的回應被測量及至少一個該半導體晶圓的電性質被自該回應決定。
简体摘要：一种多探针组件包括一种吸盘组件，其被构形为容纳半导体晶圆的背部或前侧表面。一种多探针固持器具复数个探针，每一个皆具可弹性变形的传导尖端，其为可移动的以与电介体之前侧表面或半导体材料的前侧表面接触。一种设备施用电刺激于每一个尖端，测量对该电刺激的回应，及决定至少一个该电介体及／或该半导体材料的电性质。一种测量至少一个电性质之方法施用一种具可弹性变形的传导尖端之探针（或复数个探针）于切割线。一种电刺激被施用于该探针或该复数个探针的其中一个且其余探针被接地。对该电刺激的回应被测量及至少一个该半导体晶圆的电性质被自该回应决定。

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