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1. 发明专利

TWI567377B 載子壽命之測定方法及測定裝置有权
简体标题：载子寿命之测定方法及测定设备
公开(公告)号：TWI567377B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW101104715
申请日：2012-02-14
申请人：瓦伊系統有限公司 , YSYSTEMS LTD.
发明人：拉克魯瓦伊夫 , LACROIX, YVES
IPC分类号： G01N21/63
CPC分类号： G01N21/6408 , G01N21/6489 , G01N21/66 , G01N2021/1719 , G01R31/2656 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

2. 发明专利

TW201640098A 檢查方法及檢查裝置审中-公开
简体标题：检查方法及检查设备
公开(公告)号：TW201640098A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW105104173
申请日：2016-02-05
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K. K.
发明人：中村共則 , NAKAMURA, TOMONORI , 大高章弘 , OTAKA, AKIHIRO
IPC分类号： G01N21/88 , G01N27/72
CPC分类号： G01R15/245 , G01N21/88 , G01R31/2656 , G01R31/311 , G02B27/62
摘要：本發明之檢查裝置具備：測試機單元，其對半導體元件施加刺激信號；MO結晶，其與半導體元件對向配置；光源，其輸出光；光掃描器，其將光源所輸出之光照射至MO結晶；光檢測器，其檢測自與半導體元件D對向配置之MO結晶反射之光，並輸出檢測信號；及電腦，其基於根據刺激信號產生之參照信號與檢測信號之相位差而產生包含示出相位差之相位成分的相位圖像資料，並根據該相位圖像資料產生示出電流之路徑之圖像。
简体摘要：本发明之检查设备具备：测试机单元，其对半导体组件施加刺激信号；MO结晶，其与半导体组件对向配置；光源，其输出光；光扫描仪，其将光源所输出之光照射至MO结晶；光检测器，其检测自与半导体组件D对向配置之MO结晶反射之光，并输出检测信号；及电脑，其基于根据刺激信号产生之参照信号与检测信号之相位差而产生包含示出相位差之相位成分的相位图像数据，并根据该相位图像数据产生示出电流之路径之图像。

3. 发明专利

TW201443426A 氧化物半導體薄膜之評估方法，及氧化物半導體薄膜之品質管理方法以及使用於前述評估方法的評估元件及評估裝置审中-公开
简体标题：氧化物半导体薄膜之评估方法，及氧化物半导体薄膜之品质管理方法以及使用于前述评估方法的评估组件及评估设备
公开(公告)号：TW201443426A
公开(公告)日：2014-11-16
申请号：TW103100964
申请日：2014-01-10
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：岸智 , KISHI, TOMOYA , 林和志 , HAYASHI, KAZUSHI , 釘宮敏洋 , KUGIMIYA, TOSHIHIRO
IPC分类号： G01N22/00 , G01R31/308 , H01L29/786
CPC分类号： H01L22/12 , G01R31/2608 , G01R31/2621 , G01R31/2642 , G01R31/2656 , G01R31/2894 , G01R31/308 , H01L27/1225 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/78603 , H01L29/7869
摘要：本發明提供以非接觸的方式，正確而且簡便地測定氧化物半導體薄膜的壓迫耐性，進行評估(預測/推定)的方法，以及氧化物半導體之品質管理方法。相關於本發明之氧化物半導體薄膜之評估方法，包含：對被形成氧化物半導體薄膜的試料照射激發光及微波，測定藉由前述激發光的照射而改變的前述微波之由前述氧化物半導體薄膜反射的反射波的最大值後，停止前述激發光的照射，測定前述激發光停止照射後前述微波由前述氧化物半導體薄膜反射的反射波的反射率隨時間之變化的第1步驟，以及由前述反射率隨時間之變化，算出對應於激發光停止照射後1μs程度所見的延遲衰減的參數，評估前述氧化物半導體薄膜之壓迫耐性的第2步驟。
简体摘要：本发明提供以非接触的方式，正确而且简便地测定氧化物半导体薄膜的压迫耐性，进行评估(预测/推定)的方法，以及氧化物半导体之品质管理方法。相关于本发明之氧化物半导体薄膜之评估方法，包含：对被形成氧化物半导体薄膜的试料照射激发光及微波，测定借由前述激发光的照射而改变的前述微波之由前述氧化物半导体薄膜反射的反射波的最大值后，停止前述激发光的照射，测定前述激发光停止照射后前述微波由前述氧化物半导体薄膜反射的反射波的反射率随时间之变化的第1步骤，以及由前述反射率随时间之变化，算出对应于激发光停止照射后1μs程度所见的延迟衰减的参数，评估前述氧化物半导体薄膜之压迫耐性的第2步骤。

4. 发明专利

TW201323898A 由在製造元件的晶片上執行的導電探針測量來表徵半導體元件的方法及其設備與電腦程式產品审中-公开
简体标题：由在制造组件的芯片上运行的导电探针测量来表征半导体组件的方法及其设备与电脑进程产品
公开(公告)号：TW201323898A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW101128689
申请日：2012-08-08
申请人：布魯克奈米公司 , BRUKER NANO, INC.
发明人：陳東 , CHEN, DONG
IPC分类号： G01R31/26
CPC分类号： G01R31/2648 , F21V29/83 , F21V2200/00 , F21Y2103/00 , G01R31/2656 , H05B31/00 , H05B2206/00
摘要：利用在晶片級所採取的二極體模型和導電探針測量來預測由該晶片製造的半導體元件的特徵參數。將表示作為電阻、理想因數、和反向飽和電流的函數的電流-電壓關係的電流-電壓曲線（I-V）模型擬合到多個導電探針測量資料。然後，藉由從（I-V）模型減去由擬合該（I-V）模型產生的電阻乘以電流的積來估算元件的電流-電壓曲線（I-Vd）。
简体摘要：利用在芯片级所采取的二极管模型和导电探针测量来预测由该芯片制造的半导体组件的特征参数。将表示作为电阻、理想因子、和反向饱和电流的函数的电流-电压关系的电流-电压曲线（I-V）模型拟合到多个导电探针测量数据。然后，借由从（I-V）模型减去由拟合该（I-V）模型产生的电阻乘以电流的积来估算组件的电流-电压曲线（I-Vd）。

5. 发明专利

TWI365994B 用於評估半導體晶圓之方法及設備 METHOD AND APPARATUS FOR EVALUATING A SEMICONDUCTOR WAFER 有权
简体标题：用于评估半导体晶圆之方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR EVALUATING A SEMICONDUCTOR WAFER
公开(公告)号：TWI365994B
公开(公告)日：2012-06-11
申请号：TW093137994
申请日：2004-12-08
申请人：半導體物理學實驗室股份有限公司
发明人：波頓彼得G , 布迪亞多愛德華W
IPC分类号： G01R
CPC分类号： G01N21/95607 , G01N21/3151 , G01N21/55 , G01R31/2656
摘要：本發明揭示具有不同摻質濃度剖面(profile)之二區域之一半導體晶圓藉由執行二(或更多)測量於該二區域中，並比較來自該二區域之測量，以獲得該二區域之間反射率之一差異之一反射率改變測量指示加以評估。若另一區域之對應特性為已知，分析該反射率改變測量產生其中一區域之一或多個特性。舉例來說，若該二區域其中之一係摻雜，而另一區域係非摻雜(如一電晶體之源極/汲極與通道區域)，接著該二區域間之反射率之一改變可產生一或多個下列特性於該摻雜區域中：(1)摻雜濃度，(2)接面或濃度剖面深度，及(3)於該接面之摻質濃度之一濃度剖面之陡度(即斜率)。在某些實施例中，上述二區域中之測量藉由使用電磁輻射之唯一光束加以執行。在數個此類實施例中，當反射率係一入射光束之波長之一函數，使用三個不同波長之雷射光束做三組測量，以獲得三個反射率改變測量(各個波長各一測量)。接下來，該三反射率改變測量用以解決該摻雜區域之各個三個特性，稱為接面深度、摻雜濃度、及濃度剖面陡度。
简体摘要：本发明揭示具有不同掺质浓度剖面(profile)之二区域之一半导体晶圆借由运行二(或更多)测量于该二区域中，并比较来自该二区域之测量，以获得该二区域之间反射率之一差异之一反射率改变测量指示加以评估。若另一区域之对应特性为已知，分析该反射率改变测量产生其中一区域之一或多个特性。举例来说，若该二区域其中之一系掺杂，而另一区域系非掺杂(如一晶体管之源极/汲极与信道区域)，接着该二区域间之反射率之一改变可产生一或多个下列特性于该掺杂区域中：(1)掺杂浓度，(2)接面或浓度剖面深度，及(3)于该接面之掺质浓度之一浓度剖面之陡度(即斜率)。在某些实施例中，上述二区域中之测量借由使用电磁辐射之唯一光束加以运行。在数个此类实施例中，当反射率系一入射光束之波长之一函数，使用三个不同波长之激光光束做三组测量，以获得三个反射率改变测量(各个波长各一测量)。接下来，该三反射率改变测量用以解决该掺杂区域之各个三个特性，称为接面深度、掺杂浓度、及浓度剖面陡度。

6. 发明专利

TWI500941B 由在製造元件的晶圓上執行的導電探針測量來表徵半導體元件的方法及其設備與電腦程式產品有权
简体标题：由在制造组件的晶圆上运行的导电探针测量来表征半导体组件的方法及其设备与电脑进程产品
公开(公告)号：TWI500941B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW101128689
申请日：2012-08-08
申请人：布魯克奈米公司 , BRUKER NANO, INC.
发明人：陳東 , CHEN, DONG
IPC分类号： G01R31/26
CPC分类号： G01R31/2648 , F21V29/83 , F21V2200/00 , F21Y2103/00 , G01R31/2656 , H05B31/00 , H05B2206/00

7. 发明专利

TWI284378B 高速臨界電壓及平均表面摻雜量測 HIGH SPEED THRESHOLD VOLTAGE AND AVERAGE SURFACE DOPING MEASUREMENT 失效
简体标题：高速临界电压及平均表面掺杂量测 HIGH SPEED THRESHOLD VOLTAGE AND AVERAGE SURFACE DOPING MEASUREMENT
公开(公告)号：TWI284378B
公开(公告)日：2007-07-21
申请号：TW092105411
申请日：2003-03-12
申请人：固態量測股份有限公司 SOLID STATE MEASUREMENTS, INC.
发明人：威廉‧郝蘭德 WILLIAM H. HOWLAND
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G01R31/2656 , G01R31/2831
摘要：一種藉由在拂掠開始之前，立即暴露量測位址於高密度光線下來量測半導體晶圓之臨界電壓及平均表面摻雜濃度的方法。電容-電壓量測拂掠係以電壓增加至最大壓來達成，而半導體晶圓對電容-電壓量測拂掠之反應係被紀錄。當該電壓達到其最大電壓時，光線係被關掉，而在缺乏光線下量測位址之電容係被量測直到電容達到均衡為止。臨界電壓及平均表面摻雜濃度可自該被紀錄反應來決定。
简体摘要：一种借由在拂掠开始之前，立即暴露量测位址于高密度光线下来量测半导体晶圆之临界电压及平均表面掺杂浓度的方法。电容-电压量测拂掠系以电压增加至最大压来达成，而半导体晶圆对电容-电压量测拂掠之反应系被纪录。当该电压达到其最大电压时，光线系被关掉，而在缺乏光线下量测位址之电容系被量测直到电容达到均衡为止。临界电压及平均表面掺杂浓度可自该被纪录反应来决定。

8. 发明专利

TW200525163A 使用掃描束進行鄰近區域反射率改變之差異評估 USE OF SCANNING BEAM FOR DIFFERENTIAL EVALUATION OF ADJACENT REGIONS FOR CHANGE IN REFLECTIVITY 审中-公开
简体标题：使用扫描束进行邻近区域反射率改变之差异评估 USE OF SCANNING BEAM FOR DIFFERENTIAL EVALUATION OF ADJACENT REGIONS FOR CHANGE IN REFLECTIVITY
公开(公告)号：TW200525163A
公开(公告)日：2005-08-01
申请号：TW093137994
申请日：2004-12-08
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：波頓彼得G. BORDEN, PETER G. , 布迪亞多愛德華W. BUDIARTO, EDWARD W.
IPC分类号： G01R
CPC分类号： G01N21/95607 , G01N21/3151 , G01N21/55 , G01R31/2656
摘要：本發明揭示具有不同摻質濃度輪廓之二區域之一半導體晶圓藉由執行二(或更多)測量於該二區域中，並比較來自該二區域之測量，以獲得該二區域之間反射率之一差異之一反射率改變測量指示加以評估。若另一區域之對應特性為已知，分析該反射率改變測量產生其中一區域之一或多個特性。舉例來說，若該二區域其中之一係摻雜，而另一區域係非摻雜(如一電晶體之源極／汲極與通道區域)，接著該二區域間之反射率之一改變可產生一或多個下列特性於該摻雜區域中：(1)摻雜濃度，(2)接面或輪廓深度，及(3)於該接面之摻質濃度之一輪廓之陡度(即斜率)。在某些實施例中，上述二區域中之測量藉由使用電磁輻射之唯一光束加以執行。在數個此類實施例中，當反射率係一入射光束之波長之一函數，使用三個不同波長之雷射光束做三組測量，以獲得三個反射率改變測量(各個波長各一測量)。接下來，該三反射率改變測量用以解決該摻雜區域之各個三個特性，稱為接面深度、摻雜濃度、及輪廓陡度。
简体摘要：本发明揭示具有不同掺质浓度轮廓之二区域之一半导体晶圆借由运行二(或更多)测量于该二区域中，并比较来自该二区域之测量，以获得该二区域之间反射率之一差异之一反射率改变测量指示加以评估。若另一区域之对应特性为已知，分析该反射率改变测量产生其中一区域之一或多个特性。举例来说，若该二区域其中之一系掺杂，而另一区域系非掺杂(如一晶体管之源极／汲极与信道区域)，接着该二区域间之反射率之一改变可产生一或多个下列特性于该掺杂区域中：(1)掺杂浓度，(2)接面或轮廓深度，及(3)于该接面之掺质浓度之一轮廓之陡度(即斜率)。在某些实施例中，上述二区域中之测量借由使用电磁辐射之唯一光束加以运行。在数个此类实施例中，当反射率系一入射光束之波长之一函数，使用三个不同波长之激光光束做三组测量，以获得三个反射率改变测量(各个波长各一测量)。接下来，该三反射率改变测量用以解决该掺杂区域之各个三个特性，称为接面深度、掺杂浓度、及轮廓陡度。

9. 发明专利

TW200422601A 固體攝影元件之測試裝置审中-公开
简体标题：固体摄影组件之测试设备
公开(公告)号：TW200422601A
公开(公告)日：2004-11-01
申请号：TW092133819
申请日：2003-12-02
申请人：尹達亞克遜股份有限公司 INTER ACTION CORPORATION
发明人：玉井進悟 SHINGO TAMAI
IPC分类号： G01M , G01J
CPC分类号： H04N17/002 , G01R31/2656
摘要：提供一種測試裝置，將向固體攝影元件照射測試用光之光學系對固體攝影元件之定位容易，可進行高效率之測試。具有光學模組35，經由針孔將來自光源之光照射於固體攝影元件之感光面；探針卡20，具有和固體攝影元件之基座接觸之接觸針；馬達30，經由處於接觸針21和應測試之固體攝影元件之基座接觸之狀態之探針卡20具有之開口部20h令光學模組35相對於應測試之固體攝影元件移至既定之位置；以及保持臂31。
简体摘要：提供一种测试设备，将向固体摄影组件照射测试用光之光学系对固体摄影组件之定位容易，可进行高效率之测试。具有光学模块35，经由针孔将来自光源之光照射于固体摄影组件之感光面；探针卡20，具有和固体摄影组件之基座接触之接触针；马达30，经由处于接触针21和应测试之固体摄影组件之基座接触之状态之探针卡20具有之开口部20h令光学模块35相对于应测试之固体摄影组件移至既定之位置；以及保持臂31。

10. 发明专利

TW200308036A 高速臨界電壓及平均表面摻雜量測 HIGH SPEED THRESHOLD VOLTAGE AND AVERAGE SURFACE DOPING MEASUREMENT 失效
简体标题：高速临界电压及平均表面掺杂量测 HIGH SPEED THRESHOLD VOLTAGE AND AVERAGE SURFACE DOPING MEASUREMENT
公开(公告)号：TW200308036A
公开(公告)日：2003-12-16
申请号：TW092105411
申请日：2003-03-12
申请人：固態量測股份有限公司 SOLID STATE MEASUREMENTS, INC.
发明人：威廉郝蘭德 WILLIAM H. HOWLAND
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G01R31/2656 , G01R31/2831
摘要：一種藉由在拂掠開始之前，立即暴露量測位址於高密度光線下來量測半導體晶圓之臨界電壓及平均表面摻雜濃度的方法。電容–電壓量測拂掠係以電壓增加至最大壓來達成，而半導體晶圓對電容–電壓量測拂掠之反應係被紀錄。當該電壓達到其最大電壓時，光線係被關掉，而在缺乏光線下量測位址之電容係被量測直到電容達到均衡為止。臨界電壓及平均表面摻雜濃度可自該被紀錄反應來決定。
简体摘要：一种借由在拂掠开始之前，立即暴露量测位址于高密度光线下来量测半导体晶圆之临界电压及平均表面掺杂浓度的方法。电容–电压量测拂掠系以电压增加至最大压来达成，而半导体晶圆对电容–电压量测拂掠之反应系被纪录。当该电压达到其最大电压时，光线系被关掉，而在缺乏光线下量测位址之电容系被量测直到电容达到均衡为止。临界电压及平均表面掺杂浓度可自该被纪录反应来决定。

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