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1. 发明专利

TW200923973A 氧化銦系透明導電膜及其製造方法 INDIUM OXIDE TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：氧化铟系透明导电膜及其制造方法 INDIUM OXIDE TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200923973A
公开(公告)日：2009-06-01
申请号：TW097138475
申请日：2008-10-03
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：高橋誠一郎 TAKAHASHI, SEIICHIRO , 宮下德彥 MIYASHITA, NORIHIKO , 池田真 IKEDA, MAKOTO
IPC分类号： H01B , C23C , C01G
CPC分类号： C23C14/086
摘要：本發明之透明導電膜係使用具備氧化物燒結體之濺鍍靶經成膜為非晶型膜者,該氧化物燒結體含有氧化銦與錫及同時含有鋇,該透明導電膜之特徵為含有氧化銦與錫及同時含有鋇,而且相對於銦1莫耳之錫的莫耳比y:相對於銦1莫耳之鋇的莫耳比以x表示為未達(-2.9x10^-2Ln(x)-6.7x10^-2)之値,藉由退火之結晶化溫度為100℃以上。
简体摘要：本发明之透明导电膜系使用具备氧化物烧结体之溅镀靶经成膜为非晶型膜者,该氧化物烧结体含有氧化铟与锡及同时含有钡,该透明导电膜之特征为含有氧化铟与锡及同时含有钡,而且相对于铟1莫耳之锡的莫耳比y:相对于铟1莫耳之钡的莫耳比以x表示为未达(-2.9x10^-2Ln(x)-6.7x10^-2)之値,借由退火之结晶化温度为100℃以上。

2. 发明专利

TW200901228A 氧化銦系透明導電膜之製造方法 METHOD FOR MANUFACTURE OF TRANSPARENT, CONDUCTIVE INDIUM OXIDE FILM 审中-公开
简体标题：氧化铟系透明导电膜之制造方法 METHOD FOR MANUFACTURE OF TRANSPARENT, CONDUCTIVE INDIUM OXIDE FILM
公开(公告)号：TW200901228A
公开(公告)日：2009-01-01
申请号：TW097111628
申请日：2008-03-31
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：高橋誠一郎 TAKAHASHI, SEIICHIRO , 宮下德彥 MIYASHITA, NORIHIKO
IPC分类号： H01B , C01B , C23C
CPC分类号： C23C14/086 , C23C14/3414 , C23C14/5806
摘要：本發明之課題是提供一種,為非晶質膜且可以容易藉由弱酸蝕刻形成圖案,並且具有低電阻且高透明率可以容易予以結晶化之氧化銦系透明導電膜之製造方法。本發明之解決手段為具備:對含有氧化銦與添加元素之濺鍍靶材,確認可於特定的成膜溫度使非晶質膜成膜,之後,於特定的退火溫度藉由退火而可以將前述非晶質膜予以結晶化之製程;與於前述特定的成膜溫度成膜之非晶質膜的電阻率成為最低之氧分壓的最適氧分壓不同,而是求出於前述特定的退火溫度進行退火而予以結晶化之膜的電阻率成為最低之氧分壓,作為成膜氧分壓之製程;於此成膜氧分壓下藉由濺鍍而使非晶質膜成膜之製程;以及於前述特定退火溫度藉由對此非晶質膜進行退火,予以結晶化而形成氧化銦系透明導電膜之製程。
简体摘要：本发明之课题是提供一种,为非晶质膜且可以容易借由弱酸蚀刻形成图案,并且具有低电阻且高透明率可以容易予以结晶化之氧化铟系透明导电膜之制造方法。本发明之解决手段为具备:对含有氧化铟与添加元素之溅镀靶材,确认可于特定的成膜温度使非晶质膜成膜,之后,于特定的退火温度借由退火而可以将前述非晶质膜予以结晶化之制程;与于前述特定的成膜温度成膜之非晶质膜的电阻率成为最低之氧分压的最适氧分压不同,而是求出于前述特定的退火温度进行退火而予以结晶化之膜的电阻率成为最低之氧分压,作为成膜氧分压之制程;于此成膜氧分压下借由溅镀而使非晶质膜成膜之制程;以及于前述特定退火温度借由对此非晶质膜进行退火,予以结晶化而形成氧化铟系透明导电膜之制程。

3. 发明专利

TW200927657A 氧化銦系靶 INDIUM OXIDE TARGET 审中-公开
简体标题：氧化铟系靶 INDIUM OXIDE TARGET
公开(公告)号：TW200927657A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW097138073
申请日：2008-10-03
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：高橋誠一郎 TAKAHASHI, SEIICHIRO , 宮下德彥 MIYASHITA, NORIHIKO
IPC分类号： C01G , C23C
CPC分类号： C23C14/086 , C23C14/08 , C23C14/3414
摘要：本發明提供一種氧化銦系靶,其特徵為具備:含有銦與視需要之錫,且相對於銦1莫耳含有氧鍵能在100至350kJ/mol範圍之添加元素(但,Ba、Mg、Y則除外)0.0001莫耳以上0.1莫耳以下之氧化物燒結體。
简体摘要：本发明提供一种氧化铟系靶,其特征为具备:含有铟与视需要之锡,且相对于铟1莫耳含有氧键能在100至350kJ/mol范围之添加元素(但,Ba、Mg、Y则除外)0.0001莫耳以上0.1莫耳以下之氧化物烧结体。

4. 发明专利

TW200926209A 氧化銦系透明導電膜及其製造方法 INDIUM OXIDE TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：氧化铟系透明导电膜及其制造方法 INDIUM OXIDE TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200926209A
公开(公告)日：2009-06-16
申请号：TW097138083
申请日：2008-10-03
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：高橋誠一郎 TAKAHASHI, SEIICHIRO , 宮下德彥 MIYASHITA, NORIHIKO
IPC分类号： H01B , C23C , C01G
CPC分类号： C23C14/086 , C23C14/08 , C23C14/3414
摘要：一種氧化銦系透明導電膜,係使用具備氧化物燒結體之濺鍍靶而成膜者,該氧化物燒結體含有氧化銦與錫且同時含有鎂,該透明導電膜含有氧化銦與必要時之錫且同時含有鎂,且相對於銦1莫耳之錫的莫耳比y為:相對於銦1莫耳之鎂的莫耳比以x表示時之(-4.1�10^-2Ln(x)-9.3�10^-2)之値以上、且為(-2.5�10^-1Ln(x)-5.7�10^-1)之値以下的範圍。
简体摘要：一种氧化铟系透明导电膜,系使用具备氧化物烧结体之溅镀靶而成膜者,该氧化物烧结体含有氧化铟与锡且同时含有镁,该透明导电膜含有氧化铟与必要时之锡且同时含有镁,且相对于铟1莫耳之锡的莫耳比y为:相对于铟1莫耳之镁的莫耳比以x表示时之(-4.1�10^-2Ln(x)-9.3�10^-2)之値以上、且为(-2.5�10^-1Ln(x)-5.7�10^-1)之値以下的范围。

5. 发明专利

TW200923112A 氧化銦系透明導電膜及其製造方法 INDIUM OXIDE TRANPARENT CONDUCTIVE FILM AND METHOD FOR MAKING THE SAME 审中-公开
简体标题：氧化铟系透明导电膜及其制造方法 INDIUM OXIDE TRANPARENT CONDUCTIVE FILM AND METHOD FOR MAKING THE SAME
公开(公告)号：TW200923112A
公开(公告)日：2009-06-01
申请号：TW097138492
申请日：2008-10-03
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：高橋誠一郎 TAKAHASHI, SEIICHIRO , 宮下德彥 MIYASHITA, NORIHIKO , 池田真 IKEDA, MAKOTO
IPC分类号： C23C , H01B
CPC分类号： C23C14/086
摘要：本發明是有關一種透明導電膜,其係使用具備有含有氧化銦與錫、同時相對於銦1莫耳含有0.00001莫耳以上不足0.10莫耳鋇之氧化物燒結體之濺鍍靶而成膜為非晶形膜之透明導電膜,其特徵為含有氧化銦與錫同時含有鋇,且係在水之分壓為1.0�10^-4Pa以上1.0�10^-1Pa下之條件下成膜者。
简体摘要：本发明是有关一种透明导电膜,其系使用具备有含有氧化铟与锡、同时相对于铟1莫耳含有0.00001莫耳以上不足0.10莫耳钡之氧化物烧结体之溅镀靶而成膜为非晶形膜之透明导电膜,其特征为含有氧化铟与锡同时含有钡,且系在水之分压为1.0�10^-4Pa以上1.0�10^-1Pa下之条件下成膜者。

6. 发明专利

TW200927972A 氧化銦系透明導電膜之製造方法 METHOD FOR MAKING INDIUM OXIDE TRANPARENT CONDUCTIVE FILM 审中-公开
简体标题：氧化铟系透明导电膜之制造方法 METHOD FOR MAKING INDIUM OXIDE TRANPARENT CONDUCTIVE FILM
公开(公告)号：TW200927972A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW097138076
申请日：2008-10-03
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：高橋誠一郎 TAKAHASHI, SEIICHIRO , 宮下德彥 MIYASHITA, NORIHIKO
IPC分类号： C23C , H01B
CPC分类号： C04B35/457 , C01G15/00 , C01P2002/52 , C01P2006/40 , C04B35/01 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3286 , C04B2235/3418 , C04B2235/5409 , C04B2235/6562 , C04B2235/77 , C23C14/086 , C23C14/3414
摘要：本發明提供一種透明導電膜之製造方法,其特徵為:當使用具備:含有氧化銦與需要時之錫同時含有添加元素之氧化物燒結體之濺鍍靶以形成膜而製造含有氧化銦與需要時之錫同時含有添加元素且為非晶形的透明導電膜時,將成膜時的水之分壓設成1�10^-5Pa以下。
简体摘要：本发明提供一种透明导电膜之制造方法,其特征为:当使用具备:含有氧化铟与需要时之锡同时含有添加元素之氧化物烧结体之溅镀靶以形成膜而制造含有氧化铟与需要时之锡同时含有添加元素且为非晶形的透明导电膜时,将成膜时的水之分压设成1�10^-5Pa以下。

7. 发明专利

TW200927658A 氧化銦系靶 INDIUM OXIDE TARGET 审中-公开
简体标题：氧化铟系靶 INDIUM OXIDE TARGET
公开(公告)号：TW200927658A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW097138074
申请日：2008-10-03
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：高橋誠一郎 TAKAHASHI, SEIICHIRO , 宮下德彥 MIYASHITA, NORIHIKO
IPC分类号： C01G , C23C
CPC分类号： C23C14/086 , C23C14/08 , C23C14/3414
摘要：一種具備含有氧化銦與錫同時也含有鎂的氧化物燒結體之氧化銦系靶,其中,錫及鎂的含量係相對於1莫耳銦的錫之莫耳比y在以相對於1莫耳銦的鎂之莫耳比x表示的(-4.1�10^-2Ln(x)-9.3�10^-2)之値以上,且在(-2.5�10^-1Ln(x)-5.7�10^-1)的値以下之範圍。
简体摘要：一种具备含有氧化铟与锡同时也含有镁的氧化物烧结体之氧化铟系靶,其中,锡及镁的含量系相对于1莫耳铟的锡之莫耳比y在以相对于1莫耳铟的镁之莫耳比x表示的(-4.1�10^-2Ln(x)-9.3�10^-2)之値以上,且在(-2.5�10^-1Ln(x)-5.7�10^-1)的値以下之范围。

8. 发明专利

TW200926207A 氧化銦系透明導電膜及其製造方法 INDIUM OXIDE TRANPARENT CONDUCTIVE FILM AND METHOD FOR MAKING SAME 审中-公开
简体标题：氧化铟系透明导电膜及其制造方法 INDIUM OXIDE TRANPARENT CONDUCTIVE FILM AND METHOD FOR MAKING SAME
公开(公告)号：TW200926207A
公开(公告)日：2009-06-16
申请号：TW097138068
申请日：2008-10-03
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：高橋誠一郎 TAKAHASHI, SEIICHIRO , 宮下德彥 MIYASHITA, NORIHIKO
IPC分类号： H01B , C23C , C01G
CPC分类号： C23C14/086 , C23C14/08 , C23C14/3414
摘要：本發明提供一種透明導電膜,為使用具備氧化物燒結體之濺鍍靶材而形成作為非晶膜之膜者,此氧化物燒結體係含有氧化銦以及因應必要之錫,並且對1莫耳的銦含有0.0001莫耳以上且未滿0.10莫耳之氧鍵結能量(oxygen binding energy)位於100至350kJ/mol的範圍之添加元素(惟Ba(鋇)、Mg(鎂)、Y(釔)除外),其特徵係含有氧化銦以及因應必要之錫,並且含有前述之添加元素。
简体摘要：本发明提供一种透明导电膜,为使用具备氧化物烧结体之溅镀靶材而形成作为非晶膜之膜者,此氧化物烧结体系含有氧化铟以及因应必要之锡,并且对1莫耳的铟含有0.0001莫耳以上且未满0.10莫耳之氧键结能量(oxygen binding energy)位于100至350kJ/mol的范围之添加元素(惟Ba(钡)、Mg(镁)、Y(钇)除外),其特征系含有氧化铟以及因应必要之锡,并且含有前述之添加元素。

9. 发明专利

TW200729242A 氧化鋅系透明導電膜之圖案化方法 PATTERNING METHOD OF ZnO SERIES TRANSPAREENT CONDUCTIVE FILM 审中-公开
简体标题：氧化锌系透明导电膜之图案化方法 PATTERNING METHOD OF ZnO SERIES TRANSPAREENT CONDUCTIVE FILM
公开(公告)号：TW200729242A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：TW095148375
申请日：2006-12-22
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：高橋誠一郎 TAKAHASHI, SEIICHIRO , 田平泰規 TABIRA, YASUNORI , 高橋廣己 TAKAHASHI, HIROKI , 宮下德彥 MIYASHITA, NORIHIKO , 矢野智泰 YANO, TOMOYASU
IPC分类号： H01B , C03C , H01L
CPC分类号： H01L31/1884 , H01L31/022466 , Y02E10/50
摘要：本發明係提供一種氧化鋅系透明導電膜之圖案化方法,其係調整氧化鋅系透明導電膜的蝕刻速率,而可提升圖案化特性。當藉由將以氧化鋅作為主成分且含有從週期表第IV族元素中至少選擇1種添加元素的氧化鋅系透明導電膜予以蝕刻從而施行圖案化之際,在施行上述蝕刻步驟之前,先將上述氧化鋅系透明導電膜以水施行處理。
简体摘要：本发明系提供一种氧化锌系透明导电膜之图案化方法,其系调整氧化锌系透明导电膜的蚀刻速率,而可提升图案化特性。当借由将以氧化锌作为主成分且含有从周期表第IV族元素中至少选择1种添加元素的氧化锌系透明导电膜予以蚀刻从而施行图案化之际,在施行上述蚀刻步骤之前,先将上述氧化锌系透明导电膜以水施行处理。

10. 发明专利

TW200926208A 氧化銦系透明導電膜及其製造方法 INDIUM OXIDE TRANPARENT CONDUCTIVE FILM AND METHOD FOR MAKING SAME 审中-公开
简体标题：氧化铟系透明导电膜及其制造方法 INDIUM OXIDE TRANPARENT CONDUCTIVE FILM AND METHOD FOR MAKING SAME
公开(公告)号：TW200926208A
公开(公告)日：2009-06-16
申请号：TW097138082
申请日：2008-10-03
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：高橋誠一郎 TAKAHASHI, SEIICHIRO , 宮下德彥 MIYASHITA, NORIHIKO
IPC分类号： H01B , C23C , C01G
CPC分类号： C23C14/086 , C23C14/08 , C23C14/3414
摘要：本發明之透明導電膜,係使用具備氧化物燒結體之濺鍍靶而成膜,該氧化物燒結體係含有氧化銦與錫同時並含有釔,其特徵在於:含有氧化銦與依需要之錫同時並含有釔,且相對於銦1莫耳之錫的莫耳比y係在相對於銦1莫耳之釔的莫耳比以x表示時之(-2.5�10^-2Ln(x)-5.8�10^-2)的値以上且(-1.0�10^-1Ln(x)-5.0�10^-2)之値以下的範圍。
简体摘要：本发明之透明导电膜,系使用具备氧化物烧结体之溅镀靶而成膜,该氧化物烧结体系含有氧化铟与锡同时并含有钇,其特征在于:含有氧化铟与依需要之锡同时并含有钇,且相对于铟1莫耳之锡的莫耳比y系在相对于铟1莫耳之钇的莫耳比以x表示时之(-2.5�10^-2Ln(x)-5.8�10^-2)的値以上且(-1.0�10^-1Ln(x)-5.0�10^-2)之値以下的范围。

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