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1. 发明专利

TW201530624A 在半導體處理系統中離子源之清洗审中-公开
简体标题：在半导体处理系统中离子源之清洗
公开(公告)号：TW201530624A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW104114198
申请日：2009-02-11
申请人：先進科技材料公司 , ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.
发明人：史威尼約瑟D , SWEENEY, JOSEPH D. , 葉達夫莎拉德 , YEDAVE, SHARAD N. , 拜歐利格 , BYL, OLEG , 金姆羅伯 , KAIM, ROBERT , 艾德瑞吉大衛 , ELDRIDGE, DAVID , 塞吉史蒂芬 , SERGI, STEVEN , 豐琳 , FENG, LIN , 畢夏普史蒂芬E , BISHOP, STEVEN E. , 歐蘭德 W 卡爾 , OLANDER, W. KARL , 唐瀛 , TANG, YING
IPC分类号： H01L21/265 , C23C14/54
CPC分类号： H01J37/3171 , C23C14/48 , C23C14/54 , C23C14/564 , H01J37/08 , H01J37/16 , H01J37/18 , H01J2237/082 , H01J2237/22
摘要：本發明涉及利用能夠生長/侵蝕在該電弧室之離子源內的絲極之反應性清洗劑籍由適當地控制電弧室內的溫度來清洗一離子植入系統或其部件，以便實現所希望的絲極之生長或替代的絲極之侵蝕。還描述了反應性氣體例如XeFx、WFx、AsFx、PFx以及TaFx之用途(其中x具有一化學計量地適當的值或值的範圍)，用於在環境溫度、升高的溫度或電漿條件下，以原位或離位清洗之安排來清洗離子植入機的區域或植入機之部件。在特別的反應性清洗劑中，BrF3被描述為對於以原位或離位之清洗安排來清洗離子植入系統或其一或多個部件係有用的。還描述了清洗一離子植入系統之前級管道以便從所述前級管道中至少部分地去除與電離作用有關的沉積物之方法，該方法包括將所述前級管道與一清洗氣進行接觸，其中所述清洗氣與所述沉積物具有化學反應性。還描述了改進一離子植入系統的性能並且延長其壽命之方法，該方法包括將陰極與一氣體混合物進行接觸。
简体摘要：本发明涉及利用能够生长/侵蚀在该电弧室之离子源内的丝极之反应性清洗剂籍由适当地控制电弧室内的温度来清洗一离子植入系统或其部件，以便实现所希望的丝极之生长或替代的丝极之侵蚀。还描述了反应性气体例如XeFx、WFx、AsFx、PFx以及TaFx之用途(其中x具有一化学计量地适当的值或值的范围)，用于在环境温度、升高的温度或等离子条件下，以原位或离位清洗之安排来清洗离子植入机的区域或植入机之部件。在特别的反应性清洗剂中，BrF3被描述为对于以原位或离位之清洗安排来清洗离子植入系统或其一或多个部件系有用的。还描述了清洗一离子植入系统之前级管道以便从所述前级管道中至少部分地去除与电离作用有关的沉积物之方法，该方法包括将所述前级管道与一清洗气进行接触，其中所述清洗气与所述沉积物具有化学反应性。还描述了改进一离子植入系统的性能并且延长其寿命之方法，该方法包括将阴极与一气体混合物进行接触。

2. 发明专利

TWI485110B 使用界面活化劑／消泡劑混合物以增強矽基板之金屬負載及表面鈍化作用有权
简体标题：使用界面活化剂／消泡剂混合物以增强硅基板之金属负载及表面钝化作用
公开(公告)号：TWI485110B
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：TW098133617
申请日：2009-10-02
申请人：先進科技材料公司 , ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.
发明人：柯珊斯基麥可B , KORZENSKI, MICHAEL B. , 蔣平 , JIANG, PING , 畢爾查爾斯 , BEALL, CHARLES , 貝羅佩夫里克米可 , BJELOPAVLIC, MICK
IPC分类号： C01B7/19 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/31111 , C09K13/08 , C11D1/00 , C11D1/008 , C11D1/72 , C11D1/78 , C11D3/0026 , C11D3/042 , C11D3/2068 , C11D3/37 , C11D3/3707 , C11D11/0047 , C23F1/18 , H01L21/02032 , H01L21/32134

3. 发明专利

TW201516129A 選擇性蝕刻氮化鈦之組成物及方法审中-公开
简体标题：选择性蚀刻氮化钛之组成物及方法
公开(公告)号：TW201516129A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW103130065
申请日：2014-08-29
申请人：先進科技材料公司 , ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC. , 先進科材股份有限公司 , ATMI TAIWAN CO., LTD.
发明人：庫帕艾曼紐 , COOPER, EMANUEL I. , 陳立民 , CHEN, LI MIN , 里皮史帝芬 , LIPPY, STEVEN , 許佳榮 , HSU, CHIA JUNG , 涂勝宏 , TU, SHENG HUNG , 王潔如 , WANG, CHIEH JU
IPC分类号： C09K13/00 , H01L21/3065
CPC分类号： C09K13/00 , C09K13/06 , H01L21/31111 , H01L21/32134
摘要：自其上具有氮化鈦及/或光阻蝕刻殘餘物料之一微電子裝置相對於絕緣材料選擇性去除該等材料之有用的組成物。該等去除組成物含有至少一種氧化劑、一種蝕刻劑、及一種活化劑以提升氮化鈦之蝕刻速率。
简体摘要：自其上具有氮化钛及/或光阻蚀刻残余物料之一微电子设备相对于绝缘材料选择性去除该等材料之有用的组成物。该等去除组成物含有至少一种氧化剂、一种蚀刻剂、及一种活化剂以提升氮化钛之蚀刻速率。

4. 发明专利

TWI449784B 用以移除蝕刻後殘餘物之液體清洗劑有权
简体标题：用以移除蚀刻后残余物之液体清洗剂
公开(公告)号：TWI449784B
公开(公告)日：2014-08-21
申请号：TW096149626
申请日：2007-12-21
申请人：先進科技材料公司 , ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.
发明人：潘蜜拉M 維辛汀 , VISINTIN, PAMELA M. , 蔣平 , JIANG, PING , 麥可B 柯珊斯基 , KORZENSKI, MICHAEL B. , 大衛W 民斯克 , MINSEK, DAVID W. , 艾曼紐I 庫柏 , COOPER, EMANUEL I. , 許銘案 , HSU, MING ANN (ROBERT) , 克里斯丁A 佛列契 , FLETCHER, KRISTIN A.
IPC分类号： C11D11/00 , C11D7/00
CPC分类号： C11D3/0073 , C09K13/00 , C09K13/08 , C11D1/62 , C11D3/042 , C11D3/245 , C11D3/43 , C11D7/08 , C11D7/28 , C11D7/5004 , C11D11/0047 , H01L21/02063

5. 发明专利

TW201030792A 半導體製造系統中之離子源清潔法 ION SOURCE CLEANING IN SEMICONDUCTOR PROCESSING SYSTEMS 审中-公开
简体标题：半导体制造系统中之离子源清洁法 ION SOURCE CLEANING IN SEMICONDUCTOR PROCESSING SYSTEMS
公开(公告)号：TW201030792A
公开(公告)日：2010-08-16
申请号：TW098127518
申请日：2009-08-13
申请人：先進科技材料公司
发明人：史威尼約瑟D , 葉達夫莎拉德 , 拜歐利格 , 金姆羅伯 , 艾德瑞吉大衛 , 豐琳 , 畢夏普史蒂芬E , 歐蘭德 W 卡爾 , 唐瀛
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J37/08 , C23C14/48 , C23C14/54 , C23C14/564 , H01J27/08 , H01J37/16 , H01J37/18 , H01J37/3171 , H01J37/32862 , H01J2237/0209 , H01J2237/022 , H01J2237/082 , H01J2237/22
摘要：本發明係關於藉由監測陰極偏壓功率且取決於比較値採取校正動作而藉由利用能夠生長/蝕刻在一離子植入系統之間接加熱的陰極中之該陰極的溫度及/或反應性清洗試劑來蝕刻或再生長該陰極以清洗一離子植入系統或其部件。
简体摘要：本发明系关于借由监测阴极偏压功率且取决于比较値采取校正动作而借由利用能够生长/蚀刻在一离子植入系统之间接加热的阴极中之该阴极的温度及/或反应性清洗试剂来蚀刻或再生长该阴极以清洗一离子植入系统或其部件。

6. 发明专利

TW201026848A 銅清潔及保護調配物 COPPER CLEANING AND PROTECTION FORMULATIONS 审中-公开
简体标题：铜清洁及保护调配物 COPPER CLEANING AND PROTECTION FORMULATIONS
公开(公告)号：TW201026848A
公开(公告)日：2010-07-16
申请号：TW098135669
申请日：2009-10-21
申请人：先進科技材料公司
发明人：邦斯傑佛瑞A , 班納克布萊恩 , 巴葛斯卡爾E , 豐琳 , 劉俊 , 佩卓斯加梅麗莎 , 顏曉冬 , 張鵬
IPC分类号： C11D , C09K , H01L
CPC分类号： C11D3/0073 , B08B3/08 , C11D1/72 , C11D3/042 , C11D3/2096 , C11D3/245 , C11D3/28 , C11D3/30 , C11D3/33 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/329 , C11D11/0047 , C23G1/20 , H01L21/02074
摘要：本發明係關於一種用於自其上含有化學機械拋光(CMP)後殘留物及污染物之微電子裝置清潔該殘留物及污染物的清潔組合物及方法。該清潔組合物包括新穎的腐蝕抑制劑。該組合物達成高效清潔該微電子裝置表面之CMP後殘留物及污染物，且不會損及低k介電材料或銅互連材料。
简体摘要：本发明系关于一种用于自其上含有化学机械抛光(CMP)后残留物及污染物之微电子设备清洁该残留物及污染物的清洁组合物及方法。该清洁组合物包括新颖的腐蚀抑制剂。该组合物达成高效清洁该微电子设备表面之CMP后残留物及污染物，且不会损及低k介电材料或铜互连材料。

7. 发明专利

TW200927918A 用於去除離子植入光阻劑之組合物及方法 COMPOSITION AND METHOD FOR REMOVING ION-IMPLANTED PHOTORESIST 审中-公开
简体标题：用于去除离子植入光阻剂之组合物及方法 COMPOSITION AND METHOD FOR REMOVING ION-IMPLANTED PHOTORESIST
公开(公告)号：TW200927918A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW097131792
申请日：2008-08-20
申请人：先進科技材料公司 ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.
发明人：仁杰周 ZHOU, RENJIE , 艾曼紐I 庫柏 COOPER, EMANUEL I. , 麥可B 柯珊斯基 KORZENSKI, MICHAEL B. , 蔣平 JIANG, PING
IPC分类号： C11D , H01L , G03F
CPC分类号： G03F7/423 , H01L21/31133
摘要：本發明係關於一種用以自微電子裝置移除塊狀及/或硬化光阻劑材料之方法及含無機酸之組合物。該含無機酸之組合物包含至少一種無機酸、至少一種含硫氧化劑及視情況之至少一種含金屬離子之觸媒。該含無機酸之組合物可有效地移除硬化光阻劑材料且不損及底下的含矽層。
简体摘要：本发明系关于一种用以自微电子设备移除块状及/或硬化光阻剂材料之方法及含无机酸之组合物。该含无机酸之组合物包含至少一种无机酸、至少一种含硫氧化剂及视情况之至少一种含金属离子之触媒。该含无机酸之组合物可有效地移除硬化光阻剂材料且不损及底下的含硅层。

8. 发明专利

TW200918664A 晶圓再生組合物及方法 WAFER RECLAMATION COMPOSITIONS AND METHODS 审中-公开
简体标题：晶圆再生组合物及方法 WAFER RECLAMATION COMPOSITIONS AND METHODS
公开(公告)号：TW200918664A
公开(公告)日：2009-05-01
申请号：TW097122364
申请日：2008-06-13
申请人：先進科技材料公司 ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.
发明人：潘蜜拉M 維辛汀 VISINTIN, PAMELA M. , 蔣平 JIANG, PING , 麥可B 柯珊斯基 KORZENSKI, MICHAEL B. , 麥肯錫金 KING, MACKENZIE , 韓嘉文 HAN, JIANWEN , 莫尼卡K 希賈斯 HILGARTH, MONICA K. , 劉俊 LIU, JUN , 周仁杰 ZHOU, RENJIE , 大衛W 民斯克 MINSEK, DAVID W.
IPC分类号： C11D , G03F
CPC分类号： C11D11/0047 , C09K13/08 , C11D3/3947 , C11D3/3956 , C11D7/08 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/3281 , H01L21/02079 , H01L21/31111
摘要：本發明係關於用於自具有至少一個材料層之廢棄微電子裝置結構移除該材料層之移除組合物及方法。該移除組合物較佳包括氫氟酸。該組合物實現待移除之材料的實質移除,同時不損壞待保留之層,以再生、再加工、再循環及/或再使用該結構。方法包括監視及改質該等組合物。
简体摘要：本发明系关于用于自具有至少一个材料层之废弃微电子设备结构移除该材料层之移除组合物及方法。该移除组合物较佳包括氢氟酸。该组合物实现待移除之材料的实质移除,同时不损坏待保留之层,以再生、再加工、再循环及/或再使用该结构。方法包括监视及改质该等组合物。

9. 发明专利

TW565605B 用於移除金屬薄膜之平面化組合物失效
简体标题：用于移除金属薄膜之平面化组合物
公开(公告)号：TW565605B
公开(公告)日：2003-12-11
申请号：TW087105012
申请日：1998-05-29
申请人：先進科技材料公司
发明人：詹姆士E 克瑞 , 湯瑪士J 桂賓斯基 , 麥可瓊斯
IPC分类号： C09K
CPC分类号： H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1463 , Y10S977/775 , Y10S977/888
摘要：一種依據本發明具體例陳述之平面化組合物。此組合物包括具重量平均粒徑落於自0.03微米至約2微米範圍內之球形氧化矽顆粒，其至少90重量%顆粒具有不大於平均粒徑之±20％之粒徑偏差。一種液體載體，包括達20重量％ ROH，及量為0.1至10重量％之NR4OH或NR2NR3OH之胺氫氧化物(其中各R為H，CH3，CH2CH3，C3H7或 C4H9；量約0.5至15重量％之氧化劑；供調整pH至約7.0至約0.5範圍內之酸安定劑；及剩餘為水。本發明亦有關一種薄化、拋光及平面化裝置，及有關進行此薄化、拋光及平面化操作之方法。
简体摘要：一种依据本发明具体例陈述之平面化组合物。此组合物包括具重量平均粒径落于自0.03微米至约2微米范围内之球形氧化硅颗粒，其至少90重量%颗粒具有不大于平均粒径之±20％之粒径偏差。一种液体载体，包括达20重量％ ROH，及量为0.1至10重量％之NR4OH或NR2NR3OH之胺氢氧化物(其中各R为H，CH3，CH2CH3，C3H7或 C4H9；量约0.5至15重量％之氧化剂；供调整pH至约7.0至约0.5范围内之酸安定剂；及剩余为水。本发明亦有关一种薄化、抛光及平面化设备，及有关进行此薄化、抛光及平面化操作之方法。

10. 发明专利

TW368717B 側壁電容結構及製造方法失效
简体标题：侧壁电容结构及制造方法
公开(公告)号：TW368717B
公开(公告)日：1999-09-01
申请号：TW086115905
申请日：1998-04-24
申请人：先進科技材料公司 , 德州儀器公司
发明人：金彼得 , 葛布盧 , 蘇史考
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/10852 , H01L28/40 , H01L28/55 , H01L28/65 , H01L28/82 , H01L28/90
摘要：本案揭示一種在積體電路上之電容結構，及其一種製造方法，其特別可用於隨機存取記憶體裝置。通常，本發明之方法包含在半導體基片10形成一實際垂直臨時支座54(較佳為藉在絕緣層形成一圓柱形孔徑)，及在臨時支座54形成一實際垂直電介質薄膜32(較佳為一高電介質常數鈣鈦礦相電介質薄膜，更佳為鈦酸鍶鋇)等步驟。該方法另包含在實際垂直電介質薄膜32沉積一第一導電(例如鉑)電極60，及隨後以一第二導電(例如鉑)電極64替代臨時支座54，以便形成一實際相對於基片10垂直之薄膜電容器44。整個電容器為基本上自動對準，以便有些實施例僅需要一平版印刷步驟以完成電容器。而且，此方法之一項優點為可在形成任一電極前完成高溫，高氧活性電介質沉積，因此大為簡化電極結構及處理。
简体摘要：本案揭示一种在集成电路上之电容结构，及其一种制造方法，其特别可用于随机存取内存设备。通常，本发明之方法包含在半导体基片10形成一实际垂直临时支座54(较佳为藉在绝缘层形成一圆柱形孔径)，及在临时支座54形成一实际垂直电介质薄膜32(较佳为一高电介质常数钙钛矿相电介质薄膜，更佳为钛酸锶钡)等步骤。该方法另包含在实际垂直电介质薄膜32沉积一第一导电(例如铂)电极60，及随后以一第二导电(例如铂)电极64替代临时支座54，以便形成一实际相对于基片10垂直之薄膜电容器44。整个电容器为基本上自动对准，以便有些实施例仅需要一平版印刷步骤以完成电容器。而且，此方法之一项优点为可在形成任一电极前完成高温，高氧活性电介质沉积，因此大为简化电极结构及处理。

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