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    • 1. 发明专利
    • 醚系化合物及含有該等化合物為有效成份的除草劑
    • 醚系化合物及含有该等化合物为有效成份的除草剂
    • TW340847B
    • 1998-09-21
    • TW085108760
    • 1996-07-17
    • 三井東壓化學股份有限公司
    • 小泉文明江田貞文垣元剛新井清司鈴木博之
    • C07DA01NA01P
    • C07D491/14A01N43/90C07D493/14C07D495/14C07D513/14
    • [解決之問題]
      本發明之目的為提供一種對水稻、大豆、棉等之有用作物極安全並且顯示優異之除草活性之除草劑。[解決手段]通式(I)所示之醚系化合物及含有該等化合物為有效成份之除草劑:$$ (I)[式中R1為C1-C4烷基,R2為下述通式(Ⅱ)、(Ⅲ)、(Ⅳ)或(Ⅷ)所示之基,
      $$ $$
      (Ⅱ) (Ⅲ)
      $$ $$
      (Ⅳ) (Ⅷ){式中R5,為C1-C4烷基或鹵原子,R6為氫原子或C1-C4烷基,R7為C1-C4烷基,R8為氫原子或鹵原子,X代表亞甲基, Y為氧原子或硫原子,n及p為O~2之整數,在n及p為2時, R5及R8各別為相同或不同均可,q及r為0或1,在r與q同時為O時X則為亞甲基}; R3與R4共同形成一含有1或2個雜原子在環內之不飽和5員環(可取代有C1-C4烷基或鹵原子)﹞。[選擇圖]:無
    • [解决之问题] 本发明之目的为提供一种对水稻、大豆、棉等之有用作物极安全并且显示优异之除草活性之除草剂。[解决手段]通式(I)所示之醚系化合物及含有该等化合物为有效成份之除草剂:$$ (I)[式中R1为C1-C4烷基,R2为下述通式(Ⅱ)、(Ⅲ)、(Ⅳ)或(Ⅷ)所示之基, $$ $$ (Ⅱ) (Ⅲ) $$ $$ (Ⅳ) (Ⅷ){式中R5,为C1-C4烷基或卤原子,R6为氢原子或C1-C4烷基,R7为C1-C4烷基,R8为氢原子或卤原子,X代表亚甲基, Y为氧原子或硫原子,n及p为O~2之整数,在n及p为2时, R5及R8各别为相同或不同均可,q及r为0或1,在r与q同时为O时X则为亚甲基}; R3与R4共同形成一含有1或2个杂原子在环内之不饱和5员环(可取代有C1-C4烷基或卤原子)﹞。[选择图]:无
    • 4. 发明专利
    • 丙烯醯胺之製法
    • 丙烯酰胺之制法
    • TW297019B
    • 1997-02-01
    • TW083106771
    • 1994-07-25
    • 三井東壓化學股份有限公司
    • 阿部剛也神原芳彥
    • C07C
    • C07C231/06C07C231/065
    • 藉本發明提供一種製造丙烯醯胺之方法,乃使丙烯與強酸性陽離子交換樹脂接觸,繼之經過與擁有一級胺基及/或二級胺基之樹脂或活性碳接觸之至少二個純化步驟或更多之純化步驟後,在銅系觸媒之存在下進行水合反應者。
      依照本發明之方法,即使在採用普通品質之丙烯時亦可得到高品質之丙烯醯胺,又有可能實現充分高分子量且水溶性亦良好而在凝聚劑等之用途上有用之聚丙烯醯胺之製造。
    • 藉本发明提供一种制造丙烯酰胺之方法,乃使丙烯与强酸性阳离子交换树脂接触,继之经过与拥有一级胺基及/或二级胺基之树脂或活性碳接触之至少二个纯化步骤或更多之纯化步骤后,在铜系触媒之存在下进行水合反应者。 依照本发明之方法,即使在采用普通品质之丙烯时亦可得到高品质之丙烯酰胺,又有可能实现充分高分子量且水溶性亦良好而在凝聚剂等之用途上有用之聚丙烯酰胺之制造。
    • 7. 发明专利
    • 低比重胺甲酸酯系塑膠透鏡用組成物,由此得到之透鏡及其製造方法
    • 低比重胺甲酸酯系塑胶透镜用组成物,由此得到之透镜及其制造方法
    • TW272982B
    • 1996-03-21
    • TW084103234
    • 1995-04-06
    • 三井東壓化學股份有限公司
    • 永田輝幸岡崎光樹金村芳信
    • C08GC08J
    • C08G18/3876C08G18/3203C08G18/3863G02B1/041C08L75/04
    • 本發明係關於一種低比重胺甲酸酯系塑膠透鏡之組成物,包括一異(硫)氰酸酯化合物,及一種活性氫化合物,且其能滿足式(I)
      (A1=KA2)D1×D2------------------------------- ≦ 1.136 ....(1)
      A1×D2+KA2×D1
      A1-M式中A1= ------------
      A1-M A1-M:異(硫)氰酸酯化合物分子量,及 A1-N:異(硫)氰酸酯化合物官能基數,
      A2-M A2= --------------
      A2-M A2-M:活性氫化合物分子量,及 A2-N:活性氫化合物官能基數, D1=異(硫)氰酸酯化合物比重, D2=活性氫化合物比重,及
      活性氫基莫耳數 K= -------------------------------
      異(硫)氰酸基莫耳數,其中K在0.9至1.1之範圍內。一種製備低比重胺甲酸酯系塑膠透鏡之方法,包括混合及隨後加熱組成物以使其硬化之步驟,及由該製法獲得之塑膠透鏡,透鏡具1.22或以下之低比重。
    • 本发明系关于一种低比重胺甲酸酯系塑胶透镜之组成物,包括一异(硫)氰酸酯化合物,及一种活性氢化合物,且其能满足式(I) (A1=KA2)D1×D2------------------------------- ≦ 1.136 ....(1) A1×D2+KA2×D1 A1-M式中A1= ------------ A1-M A1-M:异(硫)氰酸酯化合物分子量,及 A1-N:异(硫)氰酸酯化合物官能基数, A2-M A2= -------------- A2-M A2-M:活性氢化合物分子量,及 A2-N:活性氢化合物官能基数, D1=异(硫)氰酸酯化合物比重, D2=活性氢化合物比重,及 活性氢基莫耳数 K= ------------------------------- 异(硫)氰酸基莫耳数,其中K在0.9至1.1之范围内。一种制备低比重胺甲酸酯系塑胶透镜之方法,包括混合及随后加热组成物以使其硬化之步骤,及由该制法获得之塑胶透镜,透镜具1.22或以下之低比重。
    • 8. 发明专利
    • 分解性膜之製造方法及其利用
    • 分解性膜之制造方法及其利用
    • TW272213B
    • 1996-03-11
    • TW082106658
    • 1993-08-18
    • 三井東壓化學股份有限公司
    • 川西薰淺沼正
    • C08JC08F
    • 本發明提供一種分解性膜之製法,包括使聚α-甲基苯乙烯或聚碳酸伸烷酯分散於水中,最好以其溶於溶劑所生成之溶液分散於水中,繼之以溶劑(殘存)量可達聚α-甲基苯乙烯或聚碳酸伸烷酯之20~100%(重量)之方式蒸發除去溶劑,而將所得之水性乳液予以塗佈後乾燥者,及一種金屬膜之製法包括在該分解性膜之表面上蒸鍍金屬後在高於分解溫度之溫度下予以處理而獲得具有平滑表面之金屬膜者,由上述方法可簡易形成熱分解性塗膜,而在其利用上可形成擁有平滑表面之金屬膜。
    • 本发明提供一种分解性膜之制法,包括使聚α-甲基苯乙烯或聚碳酸伸烷酯分散于水中,最好以其溶于溶剂所生成之溶液分散于水中,继之以溶剂(残存)量可达聚α-甲基苯乙烯或聚碳酸伸烷酯之20~100%(重量)之方式蒸发除去溶剂,而将所得之水性乳液予以涂布后干燥者,及一种金属膜之制法包括在该分解性膜之表面上蒸镀金属后在高于分解温度之温度下予以处理而获得具有平滑表面之金属膜者,由上述方法可简易形成热分解性涂膜,而在其利用上可形成拥有平滑表面之金属膜。
    • 9. 发明专利
    • 一縮貳(異戊四醇)之製法
    • 一缩贰(异戊四醇)之制法
    • TW264467B
    • 1995-12-01
    • TW080100373
    • 1991-01-17
    • 三井東壓化學股份有限公司
    • 小野恭子井手元徹戶奈知佳神原芳彥
    • C07C
    • 本發明係有關一種藉著使用酸觸媒之異戊四醇的脫水縮合反應,製造一縮貳 (異戊四醇) 之方法。此一製法包含:一最好在極性溶劑之存在下,實施脫水縮合反應之過程及/或一為了使反應中所生成之三異戊四醇的濃度不致上昇,而在異戊四醇之轉化率到達25%以上之前,藉著使反應液之溫度降低,令反應停止,並使異戊四醇之一部份結晶化,而獲得一縮貳 (異戊四醇) 之濃度獲得提高的反應液之過程。
    • 本发明系有关一种借着使用酸触媒之异戊四醇的脱水缩合反应,制造一缩贰 (异戊四醇) 之方法。此一制法包含:一最好在极性溶剂之存在下,实施脱水缩合反应之过程及/或一为了使反应中所生成之三异戊四醇的浓度不致上升,而在异戊四醇之转化率到达25%以上之前,借着使反应液之温度降低,令反应停止,并使异戊四醇之一部份结晶化,而获得一缩贰 (异戊四醇) 之浓度获得提高的反应液之过程。
    • 10. 发明专利
    • 部份取代氟矽烷之製法
    • 部份取代氟硅烷之制法
    • TW240213B
    • 1995-02-11
    • TW082110429
    • 1993-12-09
    • 三井東壓化學股份有限公司
    • 三本敦久在塚真原田功
    • C01B
    • C01B33/107C01G9/04
    • 本發明揭示通式SiHn F4-n(其n為1~3之整數)所示之部份取代氟矽烷之製法,其特徵為,藉用氟化劑之鹵交換法使通式SiHn CCC4-n(其n為1~3之整數)所示之部份取代氯矽烷變換為相對應之部份取代氟矽烷時,該氟化劑係具有(110)面方向之微晶體之大小為500CC以上之無水氟化鋅者。
      本發明由於採用如上述之無水氟化鋅,與使用一般所習用之氟化鋅之情況相較,可製得同族不純物很少之極高產率之部份取代氟矽烷。
    • 本发明揭示通式SiHn F4-n(其n为1~3之整数)所示之部份取代氟硅烷之制法,其特征为,藉用氟化剂之卤交换法使通式SiHn CCC4-n(其n为1~3之整数)所示之部份取代氯硅烷变换为相对应之部份取代氟硅烷时,该氟化剂系具有(110)面方向之微晶体之大小为500CC以上之无水氟化锌者。 本发明由于采用如上述之无水氟化锌,与使用一般所习用之氟化锌之情况相较,可制得同族不纯物很少之极高产率之部份取代氟硅烷。