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    • 2. 发明专利
    • 部份取代氟矽烷之製法
    • 部份取代氟硅烷之制法
    • TW240213B
    • 1995-02-11
    • TW082110429
    • 1993-12-09
    • 三井東壓化學股份有限公司
    • 三本敦久在塚真原田功
    • C01B
    • C01B33/107C01G9/04
    • 本發明揭示通式SiHn F4-n(其n為1~3之整數)所示之部份取代氟矽烷之製法,其特徵為,藉用氟化劑之鹵交換法使通式SiHn CCC4-n(其n為1~3之整數)所示之部份取代氯矽烷變換為相對應之部份取代氟矽烷時,該氟化劑係具有(110)面方向之微晶體之大小為500CC以上之無水氟化鋅者。
      本發明由於採用如上述之無水氟化鋅,與使用一般所習用之氟化鋅之情況相較,可製得同族不純物很少之極高產率之部份取代氟矽烷。
    • 本发明揭示通式SiHn F4-n(其n为1~3之整数)所示之部份取代氟硅烷之制法,其特征为,藉用氟化剂之卤交换法使通式SiHn CCC4-n(其n为1~3之整数)所示之部份取代氯硅烷变换为相对应之部份取代氟硅烷时,该氟化剂系具有(110)面方向之微晶体之大小为500CC以上之无水氟化锌者。 本发明由于采用如上述之无水氟化锌,与使用一般所习用之氟化锌之情况相较,可制得同族不纯物很少之极高产率之部份取代氟硅烷。