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81. 发明专利

TW201814764A 電漿處理裝置及電漿處理方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW201814764A
公开(公告)日：2018-04-16
申请号：TW106102650
申请日：2017-01-24
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：池田紀彥 , IKEDA, NORIHIKO , 安井尚輝 , YASUI, NAOKI
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/24
CPC分类号： H01J37/32146 , H01J37/32119 , H01J37/32183 , H01J37/32669 , H01J2237/3341
摘要：本發明，係具有2頻率偏壓的功能的電漿處理裝置中，提供可使有關電漿處理的晶圓面內的均勻性、蝕刻率等的期望的分布調整與高選擇比同時成立的電漿處理裝置及電漿處理方法。本發明，係一種電漿處理裝置，具備使用電漿而使樣品被處理的處理室、供應供於生成前述電漿用的高頻電力的第一高頻電源、被載置前述樣品的樣品台、和對前述樣品台施加第一高頻電壓的第二高頻電源，該電漿處理裝置進一步具備：使N為2以上的自然數的情況下，相對於前述第一高頻電壓的頻率將N倍的頻率的第二高頻電壓施加於前述樣品台的第三高頻電源；和以前述第一高頻電壓的相位與前述第二高頻電壓的相位的相位差成為既定值的方式控制前述相位差的控制部。
简体摘要：本发明，系具有2频率偏压的功能的等离子处理设备中，提供可使有关等离子处理的晶圆面内的均匀性、蚀刻率等的期望的分布调整与高选择比同时成立的等离子处理设备及等离子处理方法。本发明，系一种等离子处理设备，具备使用等离子而使样品被处理的处理室、供应供于生成前述等离子用的高频电力的第一高频电源、被载置前述样品的样品台、和对前述样品台施加第一高频电压的第二高频电源，该等离子处理设备进一步具备：使N为2以上的自然数的情况下，相对于前述第一高频电压的频率将N倍的频率的第二高频电压施加于前述样品台的第三高频电源；和以前述第一高频电压的相位与前述第二高频电压的相位的相位差成为既定值的方式控制前述相位差的控制部。

82. 发明专利

TWI611733B 電源裝置有权
简体标题：电源设备
公开(公告)号：TWI611733B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW103123296
申请日：2014-07-07
申请人：東芝三菱電機產業系統股份有限公司 , TOSHIBA MITSUBISHI-ELECTRIC INDUSTRIAL SYSTEMS CORPORATION
发明人：田畑要一郎 , TABATA, YOICHIRO , 沖原雄二郎 , OKIHARA, YUJIRO , 中村紀幸 , NAKAMURA, NORIYUKI , 西村真一 , NISHIMURA, SHINICHI
IPC分类号： H05H1/24
CPC分类号： H05H1/24 , C01B13/11 , H02M7/48 , H02M2001/0009 , H02M2007/4815 , H05H2001/4682 , Y02B70/1441 , Y02P20/121

83. 发明专利

TW201731349A 用於射頻產生器中受控制過衝之設備审中-公开
简体标题：用于射频产生器中受控制过冲之设备
公开(公告)号：TW201731349A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW106102402
申请日：2017-01-23
申请人：先驅能源工業公司 , ADVANCED ENERGY INDUSTRIES, INC.
发明人：札爾唐恩凡 , ZYL, DON VAN
IPC分类号： H05H7/02 , H05H1/24
CPC分类号： H01J37/32146 , H01J37/32183 , H02J9/00 , H02M3/155 , H03F3/189 , H03F3/20 , H03F2200/451
摘要：本文提供一種產生一受控制過衝之射頻(radio-frequency；RF)產生器。一個具體實例包括：一RF功率放大器及一直流(direct-current；DC)電源供應器，該直流電源供應器包括一主要DC電源供應器、一輔助DC電源供應器、一半橋電路及一控制電路。該半橋電路，在一第一切換狀態中時以電力方式將該輔助DC電源供應器與該主要DC電源供應器串聯地連接，且在一第二切換狀態中時以電力方式將該輔助DC電源供應器自該主要DC電源供應器斷開。該控制電路針對一第一時間段將該半橋電路置於該第一切換狀態中且針對一第二時間段將該半橋電路置於該第二切換狀態中，從而在整個該第一時間段中在由該RF產生器產生之該功率中產生一受控制過衝。
简体摘要：本文提供一种产生一受控制过冲之射频(radio-frequency；RF)产生器。一个具体实例包括：一RF功率放大器及一直流(direct-current；DC)电源供应器，该直流电源供应器包括一主要DC电源供应器、一辅助DC电源供应器、一半桥电路及一控制电路。该半桥电路，在一第一切换状态中时以电力方式将该辅助DC电源供应器与该主要DC电源供应器串联地连接，且在一第二切换状态中时以电力方式将该辅助DC电源供应器自该主要DC电源供应器断开。该控制电路针对一第一时间段将该半桥电路置于该第一切换状态中且针对一第二时间段将该半桥电路置于该第二切换状态中，从而在整个该第一时间段中在由该RF产生器产生之该功率中产生一受控制过冲。

84. 发明专利

TWI593622B 核殼型奈米粒子之製造方法，使用該方法的燒結體之製造方法及以該方法製造之熱電變換材料有权
简体标题：核壳型奈米粒子之制造方法，使用该方法的烧结体之制造方法及以该方法制造之热电变换材料
公开(公告)号：TWI593622B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW104103205
申请日：2015-01-30
申请人：豐田自動車股份有限公司 , TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA , 國立大學法人名古屋大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION NAGOYA UNIVERSITY
发明人：渡部雅王 , WATANABE, MASAO , 石切山守 , ISHIKIRIYAMA, MAMORU , 木下洋平 , KINOSHITA, YOUHEI , 齋藤永宏 , SAITO, NAGAHIRO , 簾智仁 , SUDARE, TOMOHITO , 兒玉智己 , KODAMA, TOMOKI
IPC分类号： B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01F17/00 , C01G29/00 , H05H1/24
CPC分类号： H01L35/34 , B22F1/0003 , B22F1/0018 , B22F1/025 , B22F3/10 , B22F9/24 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C12/00 , H01L35/16 , H01L35/18 , H01L35/20 , B22F2202/13

85. 发明专利

TWI578854B 使用電漿增強化學氣相沉積以形成塗層之方法有权
简体标题：使用等离子增强化学气相沉积以形成涂层之方法
公开(公告)号：TWI578854B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW105103041
申请日：2009-08-04
申请人： AGC北美平面玻璃公司 , AGC FLAT GLASS NORTH AMERICA, INC.
发明人：馬斯克維茲彼得 , MASCHWITZ, PETER
IPC分类号： H05H1/24 , C23C14/24
CPC分类号： H01J37/32596 , C03C17/245 , C03C17/2456 , C03C2217/213 , C03C2218/153 , C23C16/402 , C23C16/45517 , C23C16/503 , C23C16/513 , H01J37/32036 , H01J37/32568 , H01J37/3266 , H01J37/32724 , H01J2237/3321 , H01J2237/3328 , H05H1/24 , H05H1/42 , H05H1/46 , H05H2001/466

86. 发明专利

TW201626431A 離子化裝置及包含離子化裝置的質譜儀审中-公开
简体标题：离子化设备及包含离子化设备的质谱仪
公开(公告)号：TW201626431A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104141567
申请日：2015-12-10
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：阿里曼米歇爾 , ALIMAN, MICHEL , 鍾辛俞安東尼 , CHUNG, HIN YUI ANTHONY , 費德森克詹納迪 , FEDOSENKO, GENNADY , 路透魯迪格 , 勞厄艾力克司 , LAUE, ALEXANDER , 科伊德爾阿希姆馮 , KEUDELL, ACHIM VON , 伯克馬可 , 本特索斯藤 , BENTER, THORSTEN , 韋特約格 , 渥克維斯彼得 , AWAKOWICZ, PETER , 葛赫夫里歐尼德 , GORKHOVER, LEONID
IPC分类号： H01J49/10 , H05H1/34 , H05H1/24
CPC分类号： H01J49/145 , H01J27/08 , H01J37/08 , H01J49/12
摘要：本申請所揭露之發明係關於一種離子化裝置(1)，其包括：一電漿產生裝置(4)，用於在主要電漿區(9)中產生介穩粒子(6a)及/或離子化氣體(6)之離子(6b)；一場產生裝置(13)，用於在次要電漿區(10)中產生輝光放電(12)；一進氣口(2)，用於將待離子化的氣體(3)供應入該次要電漿區(10)；以及一另一進氣口(5)，用於將該等介穩粒子(6a)及/或該離子化氣體(6)之該等離子(6b)供應入該次要電漿區(10)。本發明亦關於一種質譜儀(20)，包含此種一離子化裝置(1)；以及一偵測器(17)，配置於該離子化裝置(1)之排氣口(16)下游，用於該離子化氣體(3a、3a')之質譜分析。
简体摘要：本申请所揭露之发明系关于一种离子化设备(1)，其包括：一等离子产生设备(4)，用于在主要等离子区(9)中产生介稳粒子(6a)及/或离子化气体(6)之离子(6b)；一场产生设备(13)，用于在次要等离子区(10)中产生辉光放电(12)；一进气口(2)，用于将待离子化的气体(3)供应入该次要等离子区(10)；以及一另一进气口(5)，用于将该等介稳粒子(6a)及/或该离子化气体(6)之该等离子(6b)供应入该次要等离子区(10)。本发明亦关于一种质谱仪(20)，包含此种一离子化设备(1)；以及一侦测器(17)，配置于该离子化设备(1)之排气口(16)下游，用于该离子化气体(3a、3a')之质谱分析。

87. 发明专利

TW201621089A 金屬化合物的製備方法审中-公开
简体标题：金属化合物的制备方法
公开(公告)号：TW201621089A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW103141620
申请日：2014-12-01
申请人：國立雲林科技大學 , NATIONAL YUNLIN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：楊肇政 , YANG, CHAOCHEN , 楊孝淳 , YANG, HSIAOCHUN , 堤井信力 , TELI SHINRIKI , 廖冠宇 , LIAO, GUANYU
IPC分类号： C25B1/00 , C25B5/00 , C25B15/02 , C25B11/04 , C25B9/00 , H05H1/24
摘要：一種金屬化合物的製備方法，包含提供脈衝液相電漿放電裝置、提供複數個金屬粒以及進行電漿放電反應。脈衝液相電漿放電裝置包含電源供應模組、二電極與反應槽，電源供應模組包含電性連接的電源供應器與脈衝控制器，二電極與電源供應模組電性連接，反應槽的內部盛裝水作為電解液，且二電極與水接觸。金屬粒係被添加於反應槽中。進行電漿放電反應是由電源供應模組提供二電極一脈衝電，使金屬粒間形成複數個電漿場，以獲得金屬化合物。藉此，此製備方法可在較低的電壓下連續進行，當應用於大規模量產時，可降低成本並提升生產效率。
简体摘要：一种金属化合物的制备方法，包含提供脉冲液相等离子放电设备、提供复数个金属粒以及进行等离子放电反应。脉冲液相等离子放电设备包含电源供应模块、二电极与反应槽，电源供应模块包含电性连接的电源供应器与脉冲控制器，二电极与电源供应模块电性连接，反应槽的内部盛装水作为电解液，且二电极与水接触。金属粒系被添加于反应槽中。进行等离子放电反应是由电源供应模块提供二电极一脉冲电，使金属粒间形成复数个等离子场，以获得金属化合物。借此，此制备方法可在较低的电压下连续进行，当应用于大规模量产时，可降低成本并提升生产效率。

88. 发明专利

TWI536870B 用來控制侷限環之定位的直接驅動設備有权
简体标题：用来控制局限环之定位的直接驱动设备
公开(公告)号：TWI536870B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW099129407
申请日：2010-09-01
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：瑞斯尼克約翰W , RASNICK, JOHN W. , 依格萊佛瑞德D , EGLEY, FRED D.
IPC分类号： H05H1/24
CPC分类号： H01J37/32642 , H01J37/32623

89. 发明专利

TW201616922A 常壓電漿製程审中-公开
简体标题：常压等离子制程
公开(公告)号：TW201616922A
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW103135845
申请日：2014-10-16
申请人：高苑科技大學
发明人：陳晧隆
IPC分类号： H05H1/24
摘要：一種常壓電漿製程，包含：步驟A：將反應物配製成溶液。步驟B：利用氣體產生氣旋並混合該氣體與該溶液。步驟C：使該氣體與該溶液通過一徑縮空間。步驟D：使混合後的該氣體與該溶液產生共振並震盪霧化該溶液。步驟E：將霧化後的該溶液與常壓下產生的電漿混合反應並得到產物。本發明利用氣旋使該溶液分散在該氣體中，並藉由該氣體產生震盪，而能不耗電地霧化該溶液，且由於霧化效果良好，可以使用揮發性低的溶劑配製該溶液，還能控制製程的反應輸出量，具有相當大的產業價值。
简体摘要：一种常压等离子制程，包含：步骤A：将反应物配制成溶液。步骤B：利用气体产生气旋并混合该气体与该溶液。步骤C：使该气体与该溶液通过一径缩空间。步骤D：使混合后的该气体与该溶液产生共振并震荡雾化该溶液。步骤E：将雾化后的该溶液与常压下产生的等离子混合反应并得到产物。本发明利用气旋使该溶液分散在该气体中，并借由该气体产生震荡，而能不耗电地雾化该溶液，且由于雾化效果良好，可以使用挥发性低的溶剂配制该溶液，还能控制制程的反应输出量，具有相当大的产业价值。

90. 发明专利

TWI514932B 淋浴頭及電漿處理裝置有权
简体标题：淋浴头及等离子处理设备
公开(公告)号：TWI514932B
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：TW099106764
申请日：2010-03-09
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：飯塚八城 , IIZUKA, HACHISHIRO
IPC分类号： H05H1/24 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32449 , H01J37/3244 , H01J37/32724 , H01L21/67069

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