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81. 发明专利

TW200811934A 處理基板的裝置及其方法 APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATES 审中-公开
简体标题：处理基板的设备及其方法 APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATES
公开(公告)号：TW200811934A
公开(公告)日：2008-03-01
申请号：TW096122325
申请日：2007-06-21
申请人：細美事有限公司 SEMES CO., LTD.
发明人：金賢鍾 KIM, HYUN-JONG , 具教旭 KOO, KYO-WOOG , 趙重根 CHO, JUNG-KEUN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67051
摘要：一種基板處理裝置包括:一具有夾盤的基板支撐單元,用於裝載基板;一開頂式底部腔室,圍繞於夾盤周圍;一頂部腔室,用於打開與關閉底部腔室的頂部,當頂部腔室與外界隔絕時,使基板乾燥;以及一直接注射噴嘴,裝配於頂部腔室中,用於當底部腔室的頂部關閉時,將流體直接地注入至基板。使用此基板處理裝置,能使提升整個基板的乾燥效率,阻絕外界污染物,以及抑制氧化層的生成。
简体摘要：一种基板处理设备包括:一具有夹盘的基板支撑单元,用于装载基板;一开顶式底部腔室,围绕于夹盘周围;一顶部腔室,用于打开与关闭底部腔室的顶部,当顶部腔室与外界隔绝时,使基板干燥;以及一直接注射喷嘴,装配于顶部腔室中,用于当底部腔室的顶部关闭时,将流体直接地注入至基板。使用此基板处理设备,能使提升整个基板的干燥效率,阻绝外界污染物,以及抑制氧化层的生成。

82. 发明专利

TW200728492A 製造碳奈米管的系統及其方法 SYSTEM AND METHOD FOR PRODUCING CARBON NANOTUBES 审中-公开
简体标题：制造碳奈米管的系统及其方法 SYSTEM AND METHOD FOR PRODUCING CARBON NANOTUBES
公开(公告)号：TW200728492A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：TW096100454
申请日：2007-01-05
申请人：細美事有限公司 SEMES CO., LTD.
发明人：金成洙 KIM, SUNG-SOO , 張碩元 JANG, SUK-WON , 崔碩 CHOI, SUK-MIN
IPC分类号： C23C , B82B
摘要：一種用於製造碳奈米管之系統包括:反應室,其中執行在合成基板上製造碳奈米管之製程;台部分,其安置於反應室的一側處且具備用於將合成基板裝載至反應室/自反應室卸載合成基板之第一輸送體;第一輸送體,其安裝於台部分內部,用於將合成基板裝載至反應室/自反應室卸載合成基板;基板容納部分,其中容納待裝載至反應室之基板或自反應室卸載的合成基板在其中等待;擷取部分,其用於自基板容納部分取出合成基板,以擷取合成基板上所製造之碳奈米管;催化劑塗覆單元,其經組態用於在將合成基板容納於台部分之基板容納部分中前以催化劑塗覆合成基板;以及第二輸送體,其用於在擷取部分與基板容納部分之間以及在催化劑塗覆單元與基板容納部分之間輸送合成基板。
简体摘要：一种用于制造碳奈米管之系统包括:反应室,其中运行在合成基板上制造碳奈米管之制程;台部分,其安置于反应室的一侧处且具备用于将合成基板装载至反应室/自反应室卸载合成基板之第一输送体;第一输送体,其安装于台部分内部,用于将合成基板装载至反应室/自反应室卸载合成基板;基板容纳部分,其中容纳待装载至反应室之基板或自反应室卸载的合成基板在其中等待;截取部分,其用于自基板容纳部分取出合成基板,以截取合成基板上所制造之碳奈米管;催化剂涂覆单元,其经组态用于在将合成基板容纳于台部分之基板容纳部分中前以催化剂涂覆合成基板;以及第二输送体,其用于在截取部分与基板容纳部分之间以及在催化剂涂覆单元与基板容纳部分之间输送合成基板。

83. 发明专利

TW200727330A 處理基板的裝置 APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：处理基板的设备 APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE
公开(公告)号：TW200727330A
公开(公告)日：2007-07-16
申请号：TW095141462
申请日：2006-11-09
申请人：細美事有限公司 SEMES CO., LTD.
发明人：具教旭 KOO, KYO-WOOG , 金正 KIM, JEONG-MIN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67051 , H01L21/6708
摘要：在此提供一種依序使用多個處理溶液處理一基板的裝置。此裝置包括處理液體收集容器以分開地收集用過的處理溶液以及一排出件以分開地排放在過程中所產生的污染氣體。
简体摘要：在此提供一种依序使用多个处理溶液处理一基板的设备。此设备包括处理液体收集容器以分开地收集用过的处理溶液以及一排出件以分开地排放在过程中所产生的污染气体。

84. 发明专利

TW200724711A 合成碳奈米管的裝置及其方法 APPARATUS AND METHOD FOR COMPOUNDING CARBON NANOTUBES 审中-公开
简体标题：合成碳奈米管的设备及其方法 APPARATUS AND METHOD FOR COMPOUNDING CARBON NANOTUBES
公开(公告)号：TW200724711A
公开(公告)日：2007-07-01
申请号：TW095147424
申请日：2006-12-18
申请人：細美事有限公司 SEMES CO., LTD.
发明人：黃湖水 HWANG, HO-SOO , 金成洙 KIM, SUNG-SOO , 崔碩 CHOI, SUK-MIN , 黃鎮泰 HWANG, JIN-TAE , 張碩元 JANG, SUK-WON , 金亨錫 KIM, HYUNG-SUK , 孔炳閏 KONG, BYUNG-YUN
IPC分类号： C23C
CPC分类号： D01F9/133 , B01J4/002 , B01J8/002 , B01J8/003 , B01J12/007 , B01J19/0006 , B01J2208/00752 , B01J2219/00135 , B01J2219/00166 , B01J2219/0254 , B01J2219/0272 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , D01F9/127 , Y10S977/843
摘要：本發明提供合成碳奈米管之裝置及其方法,以均勻地供應用於合成碳奈米管之源氣體、有效地排出源氣體且增加碳奈米管之擷取速率。根據本裝置及其方法以大量合成碳奈米管。
简体摘要：本发明提供合成碳奈米管之设备及其方法,以均匀地供应用于合成碳奈米管之源气体、有效地排出源气体且增加碳奈米管之截取速率。根据本设备及其方法以大量合成碳奈米管。

85. 发明专利

TW200717645A 旋轉卡盤 SPIN CHUCK 失效
简体标题：旋转卡盘 SPIN CHUCK
公开(公告)号：TW200717645A
公开(公告)日：2007-05-01
申请号：TW095139536
申请日：2006-10-26
申请人：細美事有限公司 SEMES CO., LTD.
发明人：權五珍 KWON, OH-JIN , 正龍 BAE, JEONG-YONG , 崔貞烈 CHOI, JEONG-YEOL
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6708 , H01L21/68728 , Y10T279/18
摘要：本發明是一種旋轉卡盤,使用於在旋轉一基板時所執行的例如清潔製程與蝕刻製程等製程中。旋轉卡盤包括一基板放置於其上的一旋轉頭、用以旋轉所述旋轉頭的一驅動單元、以及設置於旋轉頭上的一固定架。固定架具有在對應於基板的一平坦區之位置接觸基板的平坦區之平面的一接觸面,以預防平坦區所造成的渦。因為固定架具有與基板之平坦區相同的形狀,所以平坦區所造成的氣流不平衡被抑制,以均勻地注入蝕刻劑至基板的背面。
简体摘要：本发明是一种旋转卡盘,使用于在旋转一基板时所运行的例如清洁制程与蚀刻制程等制程中。旋转卡盘包括一基板放置于其上的一旋转头、用以旋转所述旋转头的一驱动单元、以及设置于旋转头上的一固定架。固定架具有在对应于基板的一平坦区之位置接触基板的平坦区之平面的一接触面,以预防平坦区所造成的涡。因为固定架具有与基板之平坦区相同的形状,所以平坦区所造成的气流不平衡被抑制,以均匀地注入蚀刻剂至基板的背面。

86. 发明专利

TW200640584A 清洗與乾燥基底的方法及其裝置 METHOD AND APPARATUS FOR CLEANING AND DRYING SUBSTRATES 审中-公开
简体标题：清洗与干燥基底的方法及其设备 METHOD AND APPARATUS FOR CLEANING AND DRYING SUBSTRATES
公开(公告)号：TW200640584A
公开(公告)日：2006-12-01
申请号：TW095117607
申请日：2006-05-18
申请人：細美事有限公司 SEMES CO., LTD.
发明人：趙重根 CHO, JUNG-KEUN , 尹滄老 YOON, CHANG-RO , 具教旭 KOO, KYO-WOOG
IPC分类号： B08B , F26B
CPC分类号： H01L21/67028
摘要：本發明提供一種藉由將基底(例如半導體晶圓)滲入清洗液(例如清洗化學藥品或漂洗液(ringing liquids))並且之後乾燥基底來清洗基底的裝置與方法。本發明的基底清洗與乾燥裝置包括處理室，處理室包括用以裝載清洗液並且在底部排出清洗液的清洗室以及在清洗室上方的乾燥室。處理器更包括用以從乾燥室中排出供應至乾燥室中的空氣的排放裝置。排放裝置置於清洗室與乾燥室之間，並且藉由壓迫排出氣體以致於氣體在乾燥室中垂直地向下流動。本發明的基底清洗與乾燥裝置會在乾燥室中在基底的表面上產生適當垂直與均勻的氣體流動，並且快速地從乾燥室中排出氣體，由此增加乾燥程序的效率。
简体摘要：本发明提供一种借由将基底(例如半导体晶圆)渗入清洗液(例如清洗化学药品或漂洗液(ringing liquids))并且之后干燥基底来清洗基底的设备与方法。本发明的基底清洗与干燥设备包括处理室，处理室包括用以装载清洗液并且在底部排出清洗液的清洗室以及在清洗室上方的干燥室。处理器更包括用以从干燥室中排出供应至干燥室中的空气的排放设备。排放设备置于清洗室与干燥室之间，并且借由压迫排出气体以致于气体在干燥室中垂直地向下流动。本发明的基底清洗与干燥设备会在干燥室中在基底的表面上产生适当垂直与均匀的气体流动，并且快速地从干燥室中排出气体，由此增加干燥进程的效率。

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