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71. 发明专利

TW201603489A 電壓位準移位驅動電路审中-公开
简体标题：电压位准移位驱动电路
公开(公告)号：TW201603489A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104120280
申请日：2015-06-24
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：黃柏豪 , HUANG, PO-HAO
IPC分类号： H03K5/003
CPC分类号： G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C17/04 , G11C17/08 , G11C17/146 , G11C17/16 , G11C17/18 , G11C29/76 , H01L23/5252 , H01L23/528 , H01L27/0629 , H01L27/11206 , H01L27/11524 , H01L29/1079 , H01L29/4916 , H01L29/93 , H01L2924/0002 , H03K3/356182 , H01L2924/00
摘要：電壓位準移位驅動電路包含電壓位準移位電路及驅動電路。驅動電路包含串聯的第一P型電晶體、第二P型電晶體、第一N型電晶體及第二N型電晶體。當電壓位準移位電路之輸入訊號處於操作電壓時，電壓位準移位電路會截止第二N型電晶體，而第一N型電晶體的控制端接收操作電壓可以避免第二N型電晶體產生閘極引致汲極漏電流。當輸入訊號處於系統基準電壓時，電壓位準移位電路會截止第一P型電晶體，而第二P型電晶體的控制端接收操作電壓可以避免第一P型電晶體產生閘極引致汲極漏電流。
简体摘要：电压位准移位驱动电路包含电压位准移位电路及驱动电路。驱动电路包含串联的第一P型晶体管、第二P型晶体管、第一N型晶体管及第二N型晶体管。当电压位准移位电路之输入信号处于操作电压时，电压位准移位电路会截止第二N型晶体管，而第一N型晶体管的控制端接收操作电压可以避免第二N型晶体管产生闸极引致汲极漏电流。当输入信号处于系统基准电压时，电压位准移位电路会截止第一P型晶体管，而第二P型晶体管的控制端接收操作电压可以避免第一P型晶体管产生闸极引致汲极漏电流。

72. 发明专利

TWI513008B 超陡峭二極體結構及其製造方法有权
简体标题：超陡峭二极管结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI513008B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW099100169
申请日：2010-01-06
申请人：西凱渥資訊處理科技公司 , SKYWORKS SOLUTIONS, INC.
发明人：詹巴迪彼德 , ZAMPARDI, PETER J. , 孫翔之 , SUN, HSIANGCHIH
IPC分类号： H01L29/861 , H01L21/329
CPC分类号： H01L29/8613 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66174 , H01L29/66219 , H01L29/8611 , H01L29/93

73. 发明专利

TW201539722A 半導體元件及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201539722A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW103141162
申请日：2014-11-27
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：郭瑞旻 , KUO, JUI MING , 羅俊元 , LO, CHUN YUAN , 許家榮 , HSU, CHIA JUNG , 孫文堂 , SUN, WEIN TOWN
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/28
CPC分类号： G11C5/06 , G11C16/0408 , G11C16/0425 , G11C16/0433 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/26 , G11C17/16 , G11C17/18 , H01L23/5252 , H01L23/528 , H01L27/11206 , H01L27/11524 , H01L27/11526 , H01L27/11529 , H01L27/11558 , H01L27/11573 , H01L29/0649 , H01L29/42328 , H01L29/42368 , H01L29/4916 , H01L29/512 , H01L29/7817 , H01L29/7835 , H01L29/93 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種半導體元件及其製造方法。半導體元件包括基底、記憶元件以及選擇電晶體。記憶元件位於基底上。選擇電晶體位於基底上且與記憶元件電性連接。選擇電晶體包括選擇閘極、第一介電層以及第二介電層。選擇閘極位於該基底上。第一介電層與第二介電層相鄰，且位於選擇閘極與基底之間。第一介電層比第二介電層鄰近記憶元件，且第一介電層的厚度大於第二介電層厚度。
简体摘要：一种半导体组件及其制造方法。半导体组件包括基底、记忆组件以及选择晶体管。记忆组件位于基底上。选择晶体管位于基底上且与记忆组件电性连接。选择晶体管包括选择闸极、第一介电层以及第二介电层。选择闸极位于该基底上。第一介电层与第二介电层相邻，且位于选择闸极与基底之间。第一介电层比第二介电层邻近记忆组件，且第一介电层的厚度大于第二介电层厚度。

74. 发明专利

TW201539720A 單一多晶矽層非揮發性記憶體的陣列結構审中-公开
简体标题：单一多晶硅层非挥发性内存的数组结构
公开(公告)号：TW201539720A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW103137200
申请日：2014-10-28
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：陳緯仁 , CHEN, WEI REN , 李文豪 , LEE, WEN HAO
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： G11C5/06 , G11C16/0408 , G11C16/0425 , G11C16/0433 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/26 , G11C17/16 , G11C17/18 , H01L23/5252 , H01L23/528 , H01L27/11206 , H01L27/11524 , H01L27/11526 , H01L27/11529 , H01L27/11558 , H01L27/11573 , H01L29/0649 , H01L29/42328 , H01L29/42368 , H01L29/4916 , H01L29/512 , H01L29/7817 , H01L29/7835 , H01L29/93 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種單一多晶矽層非揮發性記憶之陣列結構，包括：一第一多次程式區塊、一第二多次程式區塊與一第一一次程式區塊。第一多次程式區塊連接至一第一字元線、一第一源極線、一第一抹除線與複數條位元線；一第二多次程式區塊連接至一第二字元線、一第二源極線，其中該第二多次程式區塊與該第一多次程式區塊分享該第一抹除線與該些位元線；以及一第一一次程式區塊連接至一第三字元線，其中該第一一次程式區塊與該第一多次程式區塊分享該第一源極線與該些位元線。
简体摘要：一种单一多晶硅层非挥发性记忆之数组结构，包括：一第一多次进程区块、一第二多次进程区块与一第一一次进程区块。第一多次进程区块连接至一第一字符线、一第一源极线、一第一抹除线与复数条比特线；一第二多次进程区块连接至一第二字符线、一第二源极线，其中该第二多次进程区块与该第一多次进程区块分享该第一抹除线与该些比特线；以及一第一一次进程区块连接至一第三字符线，其中该第一一次进程区块与该第一多次进程区块分享该第一源极线与该些比特线。

75. 发明专利

TW201436216A 在鰭式場效電晶體（ＦｉｎＦＥＴ）製程中之多閘極變容器及互補變容器审中-公开
简体标题：在鳍式场效应管（ＦｉｎＦＥＴ）制程中之多闸极变容器及互补变容器
公开(公告)号：TW201436216A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102134318
申请日：2013-09-24
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：林紀賢 , LIN, CHIHSIEN , 呂盈達 , LU, YINGTA , 廖顯原 , LIAO, HSIENYUAN , 陳和祥 , CHEN, HOHSIANG , 周淳朴 , JOU, CHEWNPU , 薛福隆 , HSUEH, FULUNG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/93 , H01L27/0808 , H01L27/0886 , H01L27/0924
摘要：本發明提供一種變容器，該變容器包括至少一個半導體鰭部、第一閘極，及第二閘極，該第二閘極與第一閘極實體地斷開。第一閘極及第二閘極分別與至少一個半導體鰭部形成第一鰭式場效電晶體(Fin Field-Effect Transistor；FinFET)及第二FinFET。第一FinFET及第二FinFET之源極區域及汲極區域經互連以形成變容器。
简体摘要：本发明提供一种变容器，该变容器包括至少一个半导体鳍部、第一闸极，及第二闸极，该第二闸极与第一闸极实体地断开。第一闸极及第二闸极分别与至少一个半导体鳍部形成第一鳍式场效应管(Fin Field-Effect Transistor；FinFET)及第二FinFET。第一FinFET及第二FinFET之源极区域及汲极区域经互连以形成变容器。

76. 发明专利

TW201421647A 高崩潰電壓之三氮族空乏模式金屬氧化物半導體電容器审中-公开
简体标题：高崩溃电压之三氮族空乏模式金属氧化物半导体电容器
公开(公告)号：TW201421647A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW102133677
申请日：2013-09-17
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：陳漢威 , THEN, HAN WUI , 達斯古塔山薩塔克 , DASGUPTA, SANSAPTAK , 雪洛姆戈哈得 , SCHROM, GERHARD , 拉歐瓦路里 , RAO, VALLURI R. , 喬羅伯特 , CHAU, ROBERT S.
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/28
CPC分类号： H01L27/0605 , H01L27/0805 , H01L29/045 , H01L29/0657 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66181 , H01L29/93 , H01L29/94
摘要：本發明揭示了三族氮化物高電壓MOS電容器以及整合了可實施高電壓及/或高功率電路的能夠有高崩潰電壓(BV)的三族氮化物MOS電容器之系統單晶片(SoC)解決方案。可在不需要以串聯方式耦合RFIC及/或PMIC中之電容器的情形下實現超過4伏特的崩潰電壓。在各實施例中，包含在低於0伏特的臨界電壓下形成二維電子氣(2DEG)的一氮化鎵(GaN)層之空乏模式三族氮化物電容器被以單石方式與諸如平面及非平面矽互補金屬氧化物半導體(CMOS)電晶體技術等的四族電晶體架構整合。在各實施例中，矽基材被蝕刻，而提供一(111)磊晶生長表面，且在該(111)磊晶生長表面之上形成一氮化鎵層及三族氮化物障壁層。在各實施例中，一高K值介電層被沈積，且使電容器端端點接觸該2DEG，且位於該介電層之上。
简体摘要：本发明揭示了三族氮化物高电压MOS电容器以及集成了可实施高电压及/或高功率电路的能够有高崩溃电压(BV)的三族氮化物MOS电容器之系统单芯片(SoC)解决方案。可在不需要以串联方式耦合RFIC及/或PMIC中之电容器的情形下实现超过4伏特的崩溃电压。在各实施例中，包含在低于0伏特的临界电压下形成二维电子气(2DEG)的一氮化镓(GaN)层之空乏模式三族氮化物电容器被以单石方式与诸如平面及非平面硅互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管技术等的四族晶体管架构集成。在各实施例中，硅基材被蚀刻，而提供一(111)磊晶生长表面，且在该(111)磊晶生长表面之上形成一氮化镓层及三族氮化物障壁层。在各实施例中，一高K值介电层被沉积，且使电容器端端点接触该2DEG，且位于该介电层之上。

77. 发明专利

TW201401519A 積體電路裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：集成电路设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201401519A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW102120060
申请日：2013-06-06
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：黃崎峰 , HUANG, CHI FENG , 陳家忠 , CHEN, CHIA CHUNG , 梁其翔 , LIANG, VICTOR CHIANG , 劉醇明 , LIU, MINGO
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L27/085 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0692 , H01L29/732 , H01L29/7327 , H01L29/808 , H01L29/861 , H01L29/93
摘要：一種積體電路裝置之製造方法，包括：形成具有一第一導電類型之一深井區於一基板之內；佈植該深井區之一部，以形成一第一閘極；以及佈植該深井區，以形成一井區。該井區與該第一閘極具有相反於該第一導電類型之一第二導電類型。施行一離子佈植，形成具有該第一導電類型之一通道區於該第一閘極之上；佈植覆蓋該通道區之該深井區之一部，以形成具有該第二導電類型之一第二閘極。施行一第一源極/汲極佈植，以形成位於該第二閘極相對側之一第一源極區與一第二汲極區。該第一源極區與該第一汲極區連結於該通道區且覆蓋該通道區與該第一閘極。
简体摘要：一种集成电路设备之制造方法，包括：形成具有一第一导电类型之一深井区于一基板之内；布植该深井区之一部，以形成一第一闸极；以及布植该深井区，以形成一井区。该井区与该第一闸极具有相反于该第一导电类型之一第二导电类型。施行一离子布植，形成具有该第一导电类型之一信道区于该第一闸极之上；布植覆盖该信道区之该深井区之一部，以形成具有该第二导电类型之一第二闸极。施行一第一源极/汲极布植，以形成位于该第二闸极相对侧之一第一源极区与一第二汲极区。该第一源极区与该第一汲极区链接于该信道区且覆盖该信道区与该第一闸极。

78. 发明专利

TWI341089B 晶片上可調諧人工電介質式電壓控制振盪器 ON-CHIP TUNABLE ARTIFICIAL DIELECTRICS BASED VCO 有权
简体标题：芯片上可调谐人工电介质式电压控制振荡器 ON-CHIP TUNABLE ARTIFICIAL DIELECTRICS BASED VCO
公开(公告)号：TWI341089B
公开(公告)日：2011-04-21
申请号：TW095128275
申请日：2006-08-02
申请人：加州大學董事會
发明人：張茂重 , 黃達坤 , 漢特威廉
IPC分类号： H03L
CPC分类号： H01L27/0808 , H01L23/5223 , H01L29/93 , H01L29/94 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01P1/18 , H03B5/187 , H03L7/04 , H03L7/0812 , H01L2924/00
摘要：調諧裝置和方法被揭示。該等裝置之一包含被連接於人工電介質元件之一金屬結構、以及可變電容裝置。各可變電容裝置被連接於一分別的人工電介質元件且被連接於一控制信號。電容變化之控制允許有所需的調諧。另一裝置包含被連接於人工電介質元件之金屬結構以及被連接在該等人工電介質元件之間的開關。導通和斷開該等開關允許在人工電介質元件之間的電容被改變並且利用金屬結構所引導之一信號被調諧。
简体摘要：调谐设备和方法被揭示。该等设备之一包含被连接于人工电介质组件之一金属结构、以及可变电容设备。各可变电容设备被连接于一分别的人工电介质组件且被连接于一控制信号。电容变化之控制允许有所需的调谐。另一设备包含被连接于人工电介质组件之金属结构以及被连接在该等人工电介质组件之间的开关。导通和断开该等开关允许在人工电介质组件之间的电容被改变并且利用金属结构所引导之一信号被调谐。

79. 发明专利

TWI289933B 半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
简体标题：半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TWI289933B
公开(公告)日：2007-11-11
申请号：TW094122128
申请日：2005-06-30
申请人：三菱電機股份有限公司 MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA
发明人：鈴木敏 SATOSHI SUZUKI , 松塚隆之 TAKAYUKI MATSUZUKA , 長明健一郎 KENICHIRO CHOMEI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/0658 , H01L27/0808 , H01L29/93 , H03B5/1203 , H03B5/1231 , H03B5/1243 , H03B5/1296
摘要： [課題] 提供一種半導體裝置，使用由形成雙極性電晶體之半導體層之中之基極層和集極層構成之PN接面在同一半導體基板上形成和電容成分串聯之電阻成分小之可變電容元件，和雙極性電晶體組合而形成電壓控制振盪電路。[解決手段] 藉著使用由形成雙極性電晶體之半導體層之中之基極層和集極層形成之PN接面在單一之集極層8上相分離之複數個基極層9而形成複數個PN接面，而且共用該集極層的將各PN接面逆向串聯，形成使得在複數個基極層間產生之電容按照供給共用之集極層之電壓變化之可變電容元件31，藉著將該可變電容元件和在同一半導體基板6上所形成之BPT10組合並連接而形成電壓控制振盪電路。
简体摘要： [课题] 提供一种半导体设备，使用由形成双极性晶体管之半导体层之中之基极层和集极层构成之pn结在同一半导体基板上形成和电容成分串联之电阻成分小之可变电容组件，和双极性晶体管组合而形成电压控制振荡电路。[解决手段] 借着使用由形成双极性晶体管之半导体层之中之基极层和集极层形成之pn结在单一之集极层8上相分离之复数个基极层9而形成复数个pn结，而且共享该集极层的将各pn结逆向串联，形成使得在复数个基极层间产生之电容按照供给共享之集极层之电压变化之可变电容组件31，借着将该可变电容组件和在同一半导体基板6上所形成之BPT10组合并连接而形成电压控制振荡电路。

80. 发明专利

TW200637013A 可控式變容器 CONTROLLABLE VARACTOR 审中-公开
简体标题：可控式变容器 CONTROLLABLE VARACTOR
公开(公告)号：TW200637013A
公开(公告)日：2006-10-16
申请号：TW094143422
申请日：2005-12-08
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：鄭鈞隆 CHENG, CHUNGLONG , 鄭光茗 THEI, KONGBENG , 林生元 LIN, SHENGYUAN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/93 , H01L27/0808 , H01L29/417
摘要：本案揭示一種用以改良CMP製程及改良與主動區域電氣絕緣之空白區域變容器以及其形成方法，該變容器包含具有一空白區域之一半導體基板，該空白區域包含具有一第一極性之一第一井區；一淺溝渠絕緣(STI)結構，係位於該基板中，以定義含有第一、第二及第三平台區之相鄰平台區；以及一第二井區，係具有第二極性，位於具有該第二極性之該第一平台下方，以形成一PN接面界面；其中具有該第一極性之該第二及第三平台區係形成於相鄰該第一平台區之每一側。
简体摘要：本案揭示一种用以改良CMP制程及改良与主动区域电气绝缘之空白区域变容器以及其形成方法，该变容器包含具有一空白区域之一半导体基板，该空白区域包含具有一第一极性之一第一井区；一浅沟渠绝缘(STI)结构，系位于该基板中，以定义含有第一、第二及第三平台区之相邻平台区；以及一第二井区，系具有第二极性，位于具有该第二极性之该第一平台下方，以形成一pn结界面；其中具有该第一极性之该第二及第三平台区系形成于相邻该第一平台区之每一侧。

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