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71. 发明专利

TW531839B 製造一種半導體元件之方法失效
简体标题：制造一种半导体组件之方法
公开(公告)号：TW531839B
公开(公告)日：2003-05-11
申请号：TW090133288
申请日：2001-12-31
申请人：海力士半導體股份有限公司
发明人：鄭又碩
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76897 , H01L21/02046 , H01L21/02052 , H01L21/28525 , H01L21/76879
摘要：一種半導體元件的製造方法，其包含的步驟有：於矽之基底材質上形成一絕緣層；於該絕緣層上形成一接觸窗孔；於該接觸窗孔的側邊上形成一氮化物層；及於含有氮化物層之接觸窗孔內形成一選擇性之傳導插塞。
简体摘要：一种半导体组件的制造方法，其包含的步骤有：于硅之基底材质上形成一绝缘层；于该绝缘层上形成一接触窗孔；于该接触窗孔的侧边上形成一氮化物层；及于含有氮化物层之接触窗孔内形成一选择性之传导插塞。

72. 发明专利

TW522076B 在金屬鑲嵌製程流程中用於作為化學機械平坦化之拋光停止層之鑽石失效
简体标题：在金属镶嵌制程流程中用于作为化学机械平坦化之抛光停止层之钻石
公开(公告)号：TW522076B
公开(公告)日：2003-03-01
申请号：TW090113841
申请日：2001-06-07
申请人：北美億恒科技公司 , 萬國商業機器公司
发明人：勞倫斯 A 克利芬格 , 許履塵 , 傑瑞米 K 史帝芬 , 麥可衛斯
IPC分类号： B24B , H01L
CPC分类号： H01L21/31053 , H01L21/28525 , H01L21/3081 , H01L21/31144 , H01L21/3212 , H01L21/7684
摘要：本發明揭示一種使用鑲嵌製程流程以鑽石或似鑽石碳層作為拋光停止層以將一金屬層模造而成為層間(inter-level)介電基板之方法。在模造該金屬層之前，先在該基板表面上沈積該鑽石或似鑽石碳層。然後，在整個鑽石或似鑽石碳拋光停止層上沈積一保護層，其中此類的保護層可作為額外的拋光停止層。該鑽石或似鑽石碳拋光停止層與該保護層一起作為一硬掩模以模造將成為金屬圖層(metal feature)的渠溝(trench)，其中於模造製程期間，此類的保護層會保護該鑽石或似鑽石碳拋光停止層。在沈積傳導金屬層之後，拋光該介電基板以去除過量的傳導材料及地形(topography)。在拋光製程中，該鑽石或似鑽石碳拋光停止層及任何剩餘的保護層均作為拋光停止層使用。該鑽石或似鑽石碳拋光停止層允許改良平坦表面，藉此在該層間介電表面上產生充分減少的地形(topography)。
简体摘要：本发明揭示一种使用镶嵌制程流程以钻石或似钻石碳层作为抛光停止层以将一金属层模造而成为层间(inter-level)介电基板之方法。在模造该金属层之前，先在该基板表面上沉积该钻石或似钻石碳层。然后，在整个钻石或似钻石碳抛光停止层上沉积一保护层，其中此类的保护层可作为额外的抛光停止层。该钻石或似钻石碳抛光停止层与该保护层一起作为一硬掩模以模造将成为金属图层(metal feature)的渠沟(trench)，其中于模造制程期间，此类的保护层会保护该钻石或似钻石碳抛光停止层。在沉积传导金属层之后，抛光该介电基板以去除过量的传导材料及地形(topography)。在抛光制程中，该钻石或似钻石碳抛光停止层及任何剩余的保护层均作为抛光停止层使用。该钻石或似钻石碳抛光停止层允许改良平坦表面，借此在该层间介电表面上产生充分减少的地形(topography)。

73. 发明专利

TW400642B 半導體裝置及其製造方法失效
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW400642B
公开(公告)日：2000-08-01
申请号：TW087107599
申请日：1998-05-16
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：國清辰也
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/10855 , H01L21/28525 , H01L27/10814 , H01L27/10873 , H01L27/10888 , H01L28/91 , H01L29/1608 , H01L29/41766
摘要：本發明開示能抑制源極/汲極領域之ｎ-p接合部之漏電流的半導體裝置及其製造方法。本發明於源極/汲極領域形成溝部(trench)，於形成溝部時除去源極/汲極領域的主表面，比較形成溝部前由增加源極/汲極領域的表面積而減小集中於隔離氧化膜之端部附近的源極/汲極領域或半導體基板之單位面積的應力以抑制微小缺陷的發生。其結果可抑制因應力而於微小缺陷引起的漏電流而得增長復充暫停時間(refresh pause time)亦即可提高復充特性。
简体摘要：本发明开示能抑制源极/汲极领域之ｎ-p接合部之漏电流的半导体设备及其制造方法。本发明于源极/汲极领域形成沟部(trench)，于形成沟部时除去源极/汲极领域的主表面，比较形成沟部前由增加源极/汲极领域的表面积而减小集中于隔离氧化膜之端部附近的源极/汲极领域或半导体基板之单位面积的应力以抑制微小缺陷的发生。其结果可抑制因应力而于微小缺陷引起的漏电流而得增长复充暂停时间(refresh pause time)亦即可提高复充特性。

74. 发明专利

TW359860B 具淡摻雜汲極區金氧半元件之製造方法失效
简体标题：具淡掺杂汲极区金氧半组件之制造方法
公开(公告)号：TW359860B
公开(公告)日：1999-06-01
申请号：TW086103714
申请日：1997-03-24
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：簡山傑
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/6659 , H01L21/26586 , H01L21/28525 , H01L29/1045 , H01L29/7833
摘要：本發明是一種具淡摻雜汲極區金氧半元件之製造方法，其特點在於利用一種與源極/汲極區不同類型離子，並以一傾斜角度及配合晶片旋轉進行植入，以在源極/汲極區兩側形成淡摻雜汲極區，同時源極/汲極區與淡摻雜汲極區可利用同一個罩幕形成。利用本發明之具淡摻雜汲極區金氧半元件之製造方法，可較習知方法減少一次間隙壁的製程。此外，由於減少間隙壁的製作，可使後續接觸窗的接觸面積增大，可降低接觸電阻。
简体摘要：本发明是一种具淡掺杂汲极区金氧半组件之制造方法，其特点在于利用一种与源极/汲极区不同类型离子，并以一倾斜角度及配合芯片旋转进行植入，以在源极/汲极区两侧形成淡掺杂汲极区，同时源极/汲极区与淡掺杂汲极区可利用同一个罩幕形成。利用本发明之具淡掺杂汲极区金氧半组件之制造方法，可较习知方法减少一次间隙壁的制程。此外，由于减少间隙壁的制作，可使后续接触窗的接触面积增大，可降低接触电阻。

75. 发明专利

TW201810666A 具有多重寬度電極結構之場效電晶體之製造方法审中-公开
简体标题：具有多重宽度电极结构之场效应管之制造方法
公开(公告)号：TW201810666A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW105126092
申请日：2016-08-16
申请人：台灣半導體股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR CO., LTD.
发明人：蔡宜龍 , TSAI, YI LUNG , 馬林納阿亞弟 , MRINAL, ARYADEEP , 阿馬努拉穆罕默德 , AMANULLAH, MOHAMMAD , 楊博文 , YANG, PO WEN , 梁書祥 , LIANG, SHU SIANG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7831 , H01L21/28525 , H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L29/401 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/4916
摘要：一種具有多重寬度電極結構之場效電晶體及其製造方法，場效電晶體中的半導體基板上的磊晶層開設有一溝槽，且溝槽內設有氧化層，而氧化層上設有具有第一寬度與第一高度之第一電極部與具有第二寬度與第二高度之第二電極部。閘極氧化層覆蓋於氧化層及第二電極部上，閘極氧化層上設有具有第三寬度之閘極部，磊晶層中設有鄰近於閘極部處之本體區及源極區，且源極區與閘極部上覆蓋有層間介電層。源極電極覆蓋本體區與層間介電層並接觸於源極區。其中，第一高度大於或等於第二高度，第一寬度小於第二寬度，第二寬度小於第三寬度。
简体摘要：一种具有多重宽度电极结构之场效应管及其制造方法，场效应管中的半导体基板上的磊晶层开设有一沟槽，且沟槽内设有氧化层，而氧化层上设有具有第一宽度与第一高度之第一电极部与具有第二宽度与第二高度之第二电极部。闸极氧化层覆盖于氧化层及第二电极部上，闸极氧化层上设有具有第三宽度之闸极部，磊晶层中设有邻近于闸极部处之本体区及源极区，且源极区与闸极部上覆盖有层间介电层。源极电极覆盖本体区与层间介电层并接触于源极区。其中，第一高度大于或等于第二高度，第一宽度小于第二宽度，第二宽度小于第三宽度。

76. 发明专利

TWI593117B 具有多重寬度電極結構之場效電晶體之製造方法有权
简体标题：具有多重宽度电极结构之场效应管之制造方法
公开(公告)号：TWI593117B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW105126092
申请日：2016-08-16
申请人：台灣半導體股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR CO., LTD.
发明人：蔡宜龍 , TSAI, YI LUNG , 馬林納阿亞弟 , MRINAL, ARYADEEP , 阿馬努拉穆罕默德 , AMANULLAH, MOHAMMAD , 楊博文 , YANG, PO WEN , 梁書祥 , LIANG, SHU SIANG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7831 , H01L21/28525 , H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L29/401 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/4916

77. 发明专利

TWI581369B 凹部充填方法及處理裝置有权
简体标题：凹部充填方法及处理设备
公开(公告)号：TWI581369B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW103144686
申请日：2014-12-22
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：柿本明修 , KAKIMOTO, AKINOBU , 千葉洋一郎 , CHIBA, YOUICHIROU , 山田匠 , YAMADA, TAKUMI , 鈴木大介 , SUZUKI, DAISUKE
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/285 , H01L21/205 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/76877 , C30B1/023 , C30B25/00 , C30B29/06 , H01L21/02667 , H01L21/28525 , H01L21/28531 , H01L21/67109 , H01L21/76879

78. 发明专利

TWI575748B Ｐ型場效電晶體及包含該Ｐ型場效電晶體的互補式金屬氧化半導體電晶體有权
简体标题：Ｐ型场效应管及包含该Ｐ型场效应管的互补式金属氧化半导体晶体管
公开(公告)号：TWI575748B
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：TW103130143
申请日：2014-09-01
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：翁文寅 , WENG, WEN YIN , 黃正同 , HUANG, CHENG TUNG , 許維恆 , HSU, WEI HENG , 吳奕廷 , WU, YI TING , 林育名 , LIN, YU MING , 王荏滺 , WANG, JEN YU
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40
CPC分类号： H01L29/7848 , H01L21/28512 , H01L21/28525 , H01L21/823814 , H01L21/823871 , H01L27/092 , H01L29/0847 , H01L29/0895 , H01L29/165 , H01L29/41783 , H01L29/665 , H01L29/66643

79. 发明专利

TW201709422A 於ＣＭＯＳ集成期間利用密閉磊晶生長技術形成源極／汲極接點之方法审中-公开
简体标题：于ＣＭＯＳ集成期间利用密闭磊晶生长技术形成源极／汲极接点之方法
公开(公告)号：TW201709422A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105104890
申请日：2016-02-19
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：新實寬明 , NIIMI, HIROAKI , 謝瑞龍 , XIE, RUILONG
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/08 , H01L29/66
CPC分类号： H01L27/092 , H01L21/28525 , H01L21/76801 , H01L21/76897 , H01L21/823418 , H01L21/823842 , H01L21/823864 , H01L21/823871 , H01L23/485 , H01L23/53266 , H01L29/0847 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/66628
摘要：一種方法，包括於相同之第一磊晶生長程序期間，在相鄰之一對第一虛設閘極結構之間形成第一密閉隆起源極/汲極區，並且在相鄰之一對第二虛設閘極結構之間形成第二密閉隆起源極/汲極區，第一與第二密閉隆起源極/汲極區包括第一半導體材料。之後，進行取代金屬閘極程序，以各別對第一與第二取代閘極結構取代此等對第一與第二虛設閘極結構。在進行取代金屬閘極程序之後，對第一密閉隆起源極/汲極區形成第一接觸元件，進行第二磊晶生長程序以在第二密閉隆起源極/汲極區上面形成第二半導體材料層，並且對此第二半導體材料層形成第二接觸元件。
简体摘要：一种方法，包括于相同之第一磊晶生长进程期间，在相邻之一对第一虚设闸极结构之间形成第一密闭隆起源极/汲极区，并且在相邻之一对第二虚设闸极结构之间形成第二密闭隆起源极/汲极区，第一与第二密闭隆起源极/汲极区包括第一半导体材料。之后，进行取代金属闸极进程，以各别对第一与第二取代闸极结构取代此等对第一与第二虚设闸极结构。在进行取代金属闸极进程之后，对第一密闭隆起源极/汲极区形成第一接触组件，进行第二磊晶生长进程以在第二密闭隆起源极/汲极区上面形成第二半导体材料层，并且对此第二半导体材料层形成第二接触组件。

80. 发明专利

TW201701481A 用於ＰＭＯＳ整合之第ＩＶ族電晶體审中-公开
简体标题：用于ＰＭＯＳ集成之第ＩＶ族晶体管
公开(公告)号：TW201701481A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105122618
申请日：2012-12-18
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：葛雷斯葛蘭 , GLASS, GLENN , 莫希安拿 , MURTHY, ANAND
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/0676 , H01L21/02532 , H01L21/28512 , H01L21/28525 , H01L21/3215 , H01L21/76831 , H01L23/535 , H01L27/092 , H01L27/0924 , H01L29/0615 , H01L29/0847 , H01L29/086 , H01L29/165 , H01L29/167 , H01L29/36 , H01L29/41791 , H01L29/42392 , H01L29/45 , H01L29/456 , H01L29/4966 , H01L29/66477 , H01L29/66545 , H01L29/6659 , H01L29/66628 , H01L29/66636 , H01L29/66681 , H01L29/66931 , H01L29/7785 , H01L29/78 , H01L29/7816 , H01L29/7833 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L29/7851
摘要：所揭露之技術係用以形成第IV族電晶體裝置，其具有高鍺濃度之源極/汲極區域，且相對傳統裝置表現出降低的寄生電阻。在某些範例具體實施例中，源極/汲極區域之每一者包括薄的p型矽或鍺或矽鍺沉積，且源極/汲極材料沉積的剩餘物為p型鍺或鍺合金(例如鍺：錫或其他適合的應變誘導物，且具有至少80原子百分比的鍺含量及20原子百分比或更低的其他成分)。在某些情況中，應變鬆弛的證據可於富含鍺的蓋層中觀察到，包括錯位差排及/或穿透差排及/或雙晶。可使用許多電晶體組態，包括平面及非平面電晶體結構兩者(例如鰭式場效電晶體及奈米線電晶體)、以及應變及非應變通道結構。
简体摘要：所揭露之技术系用以形成第IV族晶体管设备，其具有高锗浓度之源极/汲极区域，且相对传统设备表现出降低的寄生电阻。在某些范例具体实施例中，源极/汲极区域之每一者包括薄的p型硅或锗或硅锗沉积，且源极/汲极材料沉积的剩余物为p型锗或锗合金(例如锗：锡或其他适合的应变诱导物，且具有至少80原子百分比的锗含量及20原子百分比或更低的其他成分)。在某些情况中，应变松弛的证据可于富含锗的盖层中观察到，包括错位差排及/或穿透差排及/或双晶。可使用许多晶体管组态，包括平面及非平面晶体管结构两者(例如鳍式场效应管及奈米线晶体管)、以及应变及非应变信道结构。

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