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1. 发明专利

TWI575748B Ｐ型場效電晶體及包含該Ｐ型場效電晶體的互補式金屬氧化半導體電晶體有权
简体标题：Ｐ型场效应管及包含该Ｐ型场效应管的互补式金属氧化半导体晶体管
公开(公告)号：TWI575748B
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：TW103130143
申请日：2014-09-01
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：翁文寅 , WENG, WEN YIN , 黃正同 , HUANG, CHENG TUNG , 許維恆 , HSU, WEI HENG , 吳奕廷 , WU, YI TING , 林育名 , LIN, YU MING , 王荏滺 , WANG, JEN YU
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40
CPC分类号： H01L29/7848 , H01L21/28512 , H01L21/28525 , H01L21/823814 , H01L21/823871 , H01L27/092 , H01L29/0847 , H01L29/0895 , H01L29/165 , H01L29/41783 , H01L29/665 , H01L29/66643

2. 发明专利

TWI387011B 金氧半導體元件的形成方法與其結構有权
简体标题：金属氧化物半导体组件的形成方法与其结构
公开(公告)号：TWI387011B
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：TW097100545
申请日：2008-01-07
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：丁世汎 , TING, SHYH FANN , 徐世杰 , HSU, SHIH CHIEH , 黃正同 , HUANG, CHENG TUNG , 吳誌強 , WU, CHIH CHIANG , 洪文瀚 , HUNG, WEN HAN , 吳孟益 , WU, MENG YI , 鄭禮賢 , JENG, LI SHIAN , 石忠民 , SHIH, CHUNG MIN , 李坤憲 , LEE, KUN HSIEN , 鄭子銘 , CHENG, TZYY MING
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78

3. 发明专利

TW201801317A 氧化物半導體電晶體以及其製作方法审中-公开
简体标题：氧化物半导体晶体管以及其制作方法
公开(公告)号：TW201801317A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105120712
申请日：2016-06-30
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：邢溯 , XING, SU , 王學文 , WANG, HSUEH-WEN , 柯建宇 , KO, CHIEN-YU , 童宇誠 , TUNG, YU-CHENG , 王荏滺 , WANG, JEN-YU , 黃正同 , HUANG, CHENG-TUNG , 林育名 , LIN, YU-MING
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/28291 , H01L27/11585 , H01L29/0649 , H01L29/4236 , H01L29/516 , H01L29/6684 , H01L29/66969
摘要：一種氧化物半導體電晶體包括氧化物半導體通道層、金屬閘極、閘極介電層、內電極以及鐵電材料層。金屬閘極設置於氧化物半導體通道層上，閘極介電層設置於金屬閘極以及氧化物半導體通道層之間，內電極設置於閘極介電層以及金屬閘極之間，且鐵電材料層設置於內電極以及金屬閘極之間。本發明之氧化物半導體電晶體可藉由鐵電材料層之設置來達到提升操作電性的效果。
简体摘要：一种氧化物半导体晶体管包括氧化物半导体信道层、金属闸极、闸极介电层、内电极以及铁电材料层。金属闸极设置于氧化物半导体信道层上，闸极介电层设置于金属闸极以及氧化物半导体信道层之间，内电极设置于闸极介电层以及金属闸极之间，且铁电材料层设置于内电极以及金属闸极之间。本发明之氧化物半导体晶体管可借由铁电材料层之设置来达到提升操作电性的效果。

4. 发明专利

TW201611280A Ｐ型場效電晶體及包含該Ｐ型場效電晶體的互補式金屬氧化半導體電晶體审中-公开
简体标题：Ｐ型场效应管及包含该Ｐ型场效应管的互补式金属氧化半导体晶体管
公开(公告)号：TW201611280A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW103130143
申请日：2014-09-01
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：翁文寅 , WENG, WEN YIN , 黃正同 , HUANG, CHENG TUNG , 許維恆 , HSU, WEI HENG , 吳奕廷 , WU, YI TING , 林育名 , LIN, YU MING , 王荏滺 , WANG, JEN YU
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40
CPC分类号： H01L29/7848 , H01L21/28512 , H01L21/28525 , H01L21/823814 , H01L21/823871 , H01L27/092 , H01L29/0847 , H01L29/0895 , H01L29/165 , H01L29/41783 , H01L29/665 , H01L29/66643
摘要：一種P型場效電晶體，包括：閘極區；絶緣區，鄰接該閘極區；矽鍺源極區及一矽鍺汲極區，分別鄰接於該絶緣區之二側；通道區，鄰接該絶緣區並形成於該矽鍺源極區及該矽鍺汲極區之間；導電層，分別電連接至該矽鍺源極區及該矽鍺汲極區；以及複數層覆蓋層，連接於該導電層與該矽鍺源極區及該導電層與該矽鍺汲極區之間，由矽層及矽鍺層交錯堆疊組成，其中接觸該矽鍺源極區及該矽鍺汲極區的是矽層，而接觸該導電層的是矽鍺層。本發明亦提供包含上述P型場效電晶體的互補式金屬氧化半導體電晶體。
简体摘要：一种P型场效应管，包括：闸极区；绝缘区，邻接该闸极区；硅锗源极区及一硅锗汲极区，分别邻接于该绝缘区之二侧；信道区，邻接该绝缘区并形成于该硅锗源极区及该硅锗汲极区之间；导电层，分别电连接至该硅锗源极区及该硅锗汲极区；以及复数层覆盖层，连接于该导电层与该硅锗源极区及该导电层与该硅锗汲极区之间，由硅层及硅锗层交错堆栈组成，其中接触该硅锗源极区及该硅锗汲极区的是硅层，而接触该导电层的是硅锗层。本发明亦提供包含上述P型场效应管的互补式金属氧化半导体晶体管。

5. 发明专利

TWI451499B 製作金氧半導體電晶體的方法與改善短通道效應及汲極引發能帶降低效應的金氧半導體電晶體結構有权
简体标题：制作金属氧化物半导体晶体管的方法与改善短信道效应及汲极引发能带降低效应的金属氧化物半导体晶体管结构
公开(公告)号：TWI451499B
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：TW098123710
申请日：2009-07-14
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：洪文瀚 , HUNG, WEN HAN , 陳再富 , CHEN, TSAI FU , 丁世汎 , TING, SHYH FANN , 黃正同 , HUANG, CHENG TUNG , 李坤憲 , LEE, KUN HSIEN , 羅大剛 , LO, TA KANG , 鄭子銘 , CHENG, TZYY MING
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78

6. 发明专利

TWI357130B 半導體元件的製造方法 METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
简体标题：半导体组件的制造方法 METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TWI357130B
公开(公告)日：2012-01-21
申请号：TW096108235
申请日：2007-03-09
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：鄭禮賢 , 黃正同 , 丁世汎 , 洪文瀚 , 李坤憲 , 吳孟益 , 鄭子銘
IPC分类号： H01L
摘要：一種互補式金氧半導體元件的製造方法，此方法是先在基底的第一區中形成第一導電型金氧半電晶體，其源極/汲極區是以半導體化合物做為主要材料，並在基底的第二區上形成第二導電型金氧半電晶體。之後，進行預非晶格化離子植入製程，使第二導電型金氧半電晶體之閘極導電層非晶格化。之後，於第二區上形成一應力轉移結構，以在閘極導電層中產生應力。接著，再進行快速熱回火製程，以使源極/汲極區的摻雜活化。其後，再移除應力轉移結構。
简体摘要：一种互补式金属氧化物半导体组件的制造方法，此方法是先在基底的第一区中形成第一导电型金氧半晶体管，其源极/汲极区是以半导体化合物做为主要材料，并在基底的第二区上形成第二导电型金氧半晶体管。之后，进行预非晶格化离子植入制程，使第二导电型金氧半晶体管之闸极导电层非晶格化。之后，于第二区上形成一应力转移结构，以在闸极导电层中产生应力。接着，再进行快速热回火制程，以使源极/汲极区的掺杂活化。其后，再移除应力转移结构。

7. 发明专利

TWI332242B 半導體元件的製作方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
简体标题：半导体组件的制作方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TWI332242B
公开(公告)日：2010-10-21
申请号：TW096101268
申请日：2007-01-12
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：丁世汎 , 黃正同 , 鄭禮賢 , 李坤憲 , 洪文瀚 , 鄭子銘
IPC分类号： H01L
摘要：一種半導體元件的製作方法，此方法是在基底上形成閘極結構。然後，於閘極結構兩側之基底中形成源極/汲極延伸區。接著，於閘極結構之側壁上形成間隙壁。隨後，於間隙壁遠離閘極結構一側之基底中形成源極/汲極區。此外，此方法還包括進行傾斜角碳原子植入製程，將碳原子植入於基底中，以減少接面漏電流。傾斜角碳原子植入製程可於上述任一步驟之前進行。在進行傾斜角碳原子植入製程之後，對源極/汲極區進行前置非晶化植入步驟。之後，於閘極結構與源極/汲極區上形成金屬矽化物層。
简体摘要：一种半导体组件的制作方法，此方法是在基底上形成闸极结构。然后，于闸极结构两侧之基底中形成源极/汲极延伸区。接着，于闸极结构之侧壁上形成间隙壁。随后，于间隙壁远离闸极结构一侧之基底中形成源极/汲极区。此外，此方法还包括进行倾斜角碳原子植入制程，将碳原子植入于基底中，以减少接面漏电流。倾斜角碳原子植入制程可于上述任一步骤之前进行。在进行倾斜角碳原子植入制程之后，对源极/汲极区进行前置非晶化植入步骤。之后，于闸极结构与源极/汲极区上形成金属硅化物层。

8. 发明专利

TWI363401B 互補式金屬氧化電晶體之製作方法 METHOD OF MANUFACTURING COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR TRANSISTOR 有权
简体标题：互补式金属氧化晶体管之制作方法 METHOD OF MANUFACTURING COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR TRANSISTOR
公开(公告)号：TWI363401B
公开(公告)日：2012-05-01
申请号：TW096126218
申请日：2007-07-18
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：梁佳文 , 黃正同 , 丁世汎 , 吳誌強 , 徐世杰 , 鄭禮賢 , 李坤憲 , 吳孟益 , 洪文瀚 , 鄭子銘
IPC分类号： H01L
摘要：一種CMOS電晶體之製作方法，係於完成閘極結構、輕摻雜汲極、源極/汲極摻雜區、或SEG製程之後，分別利用一回蝕刻製程回蝕刻一覆蓋一第一型閘極結構之硬遮罩層，以減少覆蓋第一型與第二型閘極結構之硬遮罩層之厚度差，因此後續製程中因移除硬遮罩層對閘極結構所造成之影響，以及對側壁子甚或STI之耗損係可有效避免。
简体摘要：一种CMOS晶体管之制作方法，系于完成闸极结构、轻掺杂汲极、源极/汲极掺杂区、或SEG制程之后，分别利用一回蚀刻制程回蚀刻一覆盖一第一型闸极结构之硬遮罩层，以减少覆盖第一型与第二型闸极结构之硬遮罩层之厚度差，因此后续制程中因移除硬遮罩层对闸极结构所造成之影响，以及对侧壁子甚或STI之耗损系可有效避免。

9. 发明专利

TW476137B 閘氧化層之製造方法有权
简体标题：闸氧化层之制造方法
公开(公告)号：TW476137B
公开(公告)日：2002-02-11
申请号：TW090107473
申请日：2001-03-29
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：李東興 , 徐世杰 , 黃昌棋 , 黃正同 , 林勝豪
IPC分类号： H01L
摘要：一種閘氧化層之製造方法，此方法係在基底上形成-層罩幕層，定義罩幕層並蝕刻基底，以在基底中形成一溝渠。接著移除部分罩幕層，暴露溝渠以及溝渠頂角周圍之區域。之後，以絕緣層滿溝渠及其頂角周圍之區域，再移除罩幕層而暴露部份基底表面。接著再對暴露之部份基底表面進行摻雜，使其氧化速率較未暴露出之該基底表面慢。其後移除部分絕緣層，暴露溝渠頂角周圍部分，接著在溝渠頂角周圍部分形成較其他部分厚之閘氧化層。
简体摘要：一种闸氧化层之制造方法，此方法系在基底上形成-层罩幕层，定义罩幕层并蚀刻基底，以在基底中形成一沟渠。接着移除部分罩幕层，暴露沟渠以及沟渠顶角周围之区域。之后，以绝缘层满沟渠及其顶角周围之区域，再移除罩幕层而暴露部份基底表面。接着再对暴露之部份基底表面进行掺杂，使其氧化速率较未暴露出之该基底表面慢。其后移除部分绝缘层，暴露沟渠顶角周围部分，接着在沟渠顶角周围部分形成较其他部分厚之闸氧化层。

10. 发明专利

TW439224B 一種製作互補式金屬氧化半導體電晶體的方法有权
简体标题：一种制作互补式金属氧化半导体晶体管的方法
公开(公告)号：TW439224B
公开(公告)日：2001-06-07
申请号：TW089100948
申请日：2000-01-21
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：陳進來 , 黃正同 , 徐世杰 , 盛義忠
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一種於一半導體晶片上製作互補式金屬氧化半導體電晶體的方法。該半導體晶片包含有一基底，一第一閘極設於該基底之上用來形成該CMOS電晶體之PMOS電晶體，以及一第二閘極設於該基底之上用來形成該CMOS電晶體之NMOS電晶體。該製作方法是先於於該二閘極兩側形成複數個第一側壁子，然後進行一第一離子佈植製程以於該第一閘極兩側之基底內形成一第一摻雜區，用來作為該 PMOS電晶體之重摻雜汲極。接著進行一清洗製程，縮減該複數個第一側壁子之寬度。然後進行一第二離子佈植製程以於該第二閘極兩側之基底內形成一第二摻雜區，用來作為該NMOS電晶體之重摻雜汲極。最後於該二閘極兩側形成複數個第二側壁子以及於該二閘極兩側之基底上形成該 PMOS電晶體與該NMOS電晶體之源極與汲極。
简体摘要：本发明提供一种于一半导体芯片上制作互补式金属氧化半导体晶体管的方法。该半导体芯片包含有一基底，一第一闸极设于该基底之上用来形成该CMOS晶体管之PMOS晶体管，以及一第二闸极设于该基底之上用来形成该CMOS晶体管之NMOS晶体管。该制作方法是先于于该二闸极两侧形成复数个第一侧壁子，然后进行一第一离子布植制程以于该第一闸极两侧之基底内形成一第一掺杂区，用来作为该 PMOS晶体管之重掺杂汲极。接着进行一清洗制程，缩减该复数个第一侧壁子之宽度。然后进行一第二离子布植制程以于该第二闸极两侧之基底内形成一第二掺杂区，用来作为该NMOS晶体管之重掺杂汲极。最后于该二闸极两侧形成复数个第二侧壁子以及于该二闸极两侧之基底上形成该 PMOS晶体管与该NMOS晶体管之源极与汲极。

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