专利号TW105126092 | 具有多重寬度電極結構之場效電晶體之製造方法

专利标题：具有多重寬度電極結構之場效電晶體之製造方法
专利标题（英）：Field effect transistor having multi-width electrode structure and manufacturing the same
专利标题（中）：具有多重宽度电极结构之场效应管之制造方法
申请号：TW105126092 申请日：2016-08-16
公开(公告)号：TW201810666A 公开(公告)日：2018-03-16
发明人：蔡宜龍 , TSAI, YI LUNG , 馬林納阿亞弟 , MRINAL, ARYADEEP , 阿馬努拉穆罕默德 , AMANULLAH, MOHAMMAD , 楊博文 , YANG, PO WEN , 梁書祥 , LIANG, SHU SIANG
申请人：台灣半導體股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR CO., LTD.
申请人地址：新北市
专利权人：台灣半導體股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR CO., LTD.
当前专利权人：台灣半導體股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR CO., LTD.
当前专利权人地址：新北市
代理人：李長銘
主分类号： H01L29/78
IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/28

摘要：

一種具有多重寬度電極結構之場效電晶體及其製造方法，場效電晶體中的半導體基板上的磊晶層開設有一溝槽，且溝槽內設有氧化層，而氧化層上設有具有第一寬度與第一高度之第一電極部與具有第二寬度與第二高度之第二電極部。閘極氧化層覆蓋於氧化層及第二電極部上，閘極氧化層上設有具有第三寬度之閘極部，磊晶層中設有鄰近於閘極部處之本體區及源極區，且源極區與閘極部上覆蓋有層間介電層。源極電極覆蓋本體區與層間介電層並接觸於源極區。其中，第一高度大於或等於第二高度，第一寬度小於第二寬度，第二寬度小於第三寬度。

摘要（中）：

一种具有多重宽度电极结构之场效应管及其制造方法，场效应管中的半导体基板上的磊晶层开设有一沟槽，且沟槽内设有氧化层，而氧化层上设有具有第一宽度与第一高度之第一电极部与具有第二宽度与第二高度之第二电极部。闸极氧化层覆盖于氧化层及第二电极部上，闸极氧化层上设有具有第三宽度之闸极部，磊晶层中设有邻近于闸极部处之本体区及源极区，且源极区与闸极部上覆盖有层间介电层。源极电极覆盖本体区与层间介电层并接触于源极区。其中，第一高度大于或等于第二高度，第一宽度小于第二宽度，第二宽度小于第三宽度。

摘要（英）：

A field effect transistor with multi-width electrode structure and manufacturing the same are provided in the present invention. In the field effect transistor, an epitaxial layer set on a substrate is set a trench which has an oxide layer. The oxide layer has a first electrode portion which has a first width and a first height and a second electrode portion which has a second width and a second height. A gate oxide layer which covered the oxide layer and the second electrode portion has a gate portion which has a third width. The epitaxial layer has a body region and a source region. The body region and the source region are adjacent to the gate portion and covered by an interlayer dielectric. A source contact is covered the body region and the interlayer dielectric and contact the source region. The first height is more than the second height or equals to the second height, the first width is smaller than the second width, and the second width is smaller than the third width.

TWI593117B 具有多重寬度電極結構之場效電晶體之製造方法公开/授权日：2017-07-21

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H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件
--------H01L29/02	.按其半导体本体的特征区分的
----------H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的
------------H01L29/70	...双极器件
--------------H01L29/762	....电荷转移器件
----------------H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的

发明专利 TW201810666A 具有多重寬度電極結構之場效電晶體之製造方法 审中-公开

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