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71. 发明专利

TW200931504A 具有電荷控制之電漿摻雜系統 PLASMA DOPING SYSTEM WITH CHARGE CONTROL 审中-公开
简体标题：具有电荷控制之等离子掺杂系统 PLASMA DOPING SYSTEM WITH CHARGE CONTROL
公开(公告)号：TW200931504A
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：TW097139526
申请日：2008-10-15
申请人：瓦里安半導體設備公司 VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人：田容培 JEON, YONG-BAE , 辛區維克拉姆 SINGH, VIKRAM , 米勒提摩太 MILLER, TIMOTHY , 方子韋 FANG, ZI-WEI , 沃特史帝文 WALTHER, STEVEN , 古普塔阿塔爾 GUPTA, ATUL
IPC分类号： H01L , H01J
CPC分类号： H01J37/32642 , H01J37/32412 , H01J37/32935
摘要：一種電漿摻雜方法,包括在電漿室中支撐著基板的平臺附近產生包含摻質離子的電漿。利用具有負電位的偏壓波形來對平臺施加偏壓,使電漿中的離子被吸引到基板上以進行電漿摻雜。監測至少一個感測器,其中至少一個感測器是用來測量與有利於產生放電的充電狀態有關的資料。至少一個電漿製程參數被修正以回應於所測量的資料,從而降低產生放電的機率。
简体摘要：一种等离子掺杂方法,包括在等离子室中支撑着基板的平台附近产生包含掺质离子的等离子。利用具有负电位的偏压波形来对平台施加偏压,使等离子中的离子被吸引到基板上以进行等离子掺杂。监测至少一个传感器,其中至少一个传感器是用来测量与有利于产生放电的充电状态有关的数据。至少一个等离子制程参数被修正以回应于所测量的数据,从而降低产生放电的概率。

72. 发明专利

TW200912987A 電漿處理裝置 PLASMA PROCESSING DEVICE 审中-公开
简体标题：等离子处理设备 PLASMA PROCESSING DEVICE
公开(公告)号：TW200912987A
公开(公告)日：2009-03-16
申请号：TW097131878
申请日：2008-08-21
申请人：松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：水上達弘 TATSUHIRO MIZUKAMI , 有田潔 KIYOSHI ARITA , 野野村勝 MASARU NONOMURA
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J37/32091 , H01J37/32935
摘要：本發明之一目的為提供一種電漿處理裝置,其能夠準確地判斷使一裝置之操作狀態維持於最佳條件下所需之適當維護時間是否已到來。一放電偵測感測器23附著至一提供於一構成一真空室之蓋部2中之開口部2a,在該放電偵測感測器23中,一介電構件21與一探針電極單元22彼此組合。接收根據一電漿放電的改變而在該探針電極22b中所引發之一電位的改變,及藉由將一計數値與一已先前由一維護判斷部44所設定之容許値進行比較來判斷是否需要進行維護工作,該計數値係在一洩漏放電波形計數器39計數藉由一V型波形偵測部35偵測一V形特定圖案之一V型波形的偵測次數時所獲得,該V型波形係由與外來物件之附著於該真空室中相關之洩漏放電所引起。
简体摘要：本发明之一目的为提供一种等离子处理设备,其能够准确地判断使一设备之操作状态维持于最佳条件下所需之适当维护时间是否已到来。一放电侦测传感器23附着至一提供于一构成一真空室之盖部2中之开口部2a,在该放电侦测传感器23中,一介电构件21与一探针电极单元22彼此组合。接收根据一等离子放电的改变而在该探针电极22b中所引发之一电位的改变,及借由将一计数値与一已先前由一维护判断部44所设置之容许値进行比较来判断是否需要进行维护工作,该计数値系在一泄漏放电波形计数器39计数借由一V型波形侦测部35侦测一V形特定图案之一V型波形的侦测次数时所获得,该V型波形系由与外来对象之附着于该真空室中相关之泄漏放电所引起。

73. 发明专利

TWI303844B 電漿處理裝置失效
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI303844B
公开(公告)日：2008-12-01
申请号：TW095106127
申请日：2006-02-23
申请人：三菱重工業股份有限公司 MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD.
发明人：松田龍一 MATSUDA, RYUICHI , 井上雅彥 INOUE, MASAHIKO
IPC分类号： H01L , H01J
CPC分类号： H01L22/20 , H01J37/32009 , H01J37/32568 , H01J37/32935
摘要：本發明之電漿處理裝置被指示基板1之尺寸時,讀出根據高密度電漿區域的直徑尺寸Dp與高密度電漿區域之中心與電漿擴散區域下部之間的高度H之關係之可均勻濺擊蝕刻範圍之圖;根據內壓以及來自天線116之電磁波頻率,求出高密度電漿區域之中心與真空反應室111內部上面之間的高度Hp以及上述Dp之値;根據內壓以及基板1之自給偏壓電位大小,求出電漿擴散區域之下部與支撐台113上面之間的高度Hs;根據上述Dp、上述Hp、上述Hs之値,從上述圖中求出可成為均勻濺擊蝕刻範圍的前述H値之後,控制昇降裝置121,以便達到上述H値。
简体摘要：本发明之等离子处理设备被指示基板1之尺寸时,读出根据高密度等离子区域的直径尺寸Dp与高密度等离子区域之中心与等离子扩散区域下部之间的高度H之关系之可均匀溅击蚀刻范围之图;根据内压以及来自天线116之电磁波频率,求出高密度等离子区域之中心与真空反应室111内部上面之间的高度Hp以及上述Dp之値;根据内压以及基板1之自给偏压电位大小,求出等离子扩散区域之下部与支撑台113上面之间的高度Hs;根据上述Dp、上述Hp、上述Hs之値,从上述图中求出可成为均匀溅击蚀刻范围的前述H値之后,控制升降设备121,以便达到上述H値。

74. 发明专利

TW200839835A 偵測電漿反應之系統及方法 SYSTEM FOR DETECTING A PLASMA REACTIONS AND METHOD FOR USING THE SAME 审中-公开
简体标题：侦测等离子反应之系统及方法 SYSTEM FOR DETECTING A PLASMA REACTIONS AND METHOD FOR USING THE SAME
公开(公告)号：TW200839835A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：TW096109099
申请日：2007-03-16
申请人：茂德科技股份有限公司 PROMOS TECHNOLOGIES INC.
发明人：楊正杰 YANG, CHENG JER , 楊淑卿 YANG, SHU CHING , 張弘明 CHANG, HONG MING , 邱皇文 CHIOU, HUNG WEN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H05H1/0012 , H01J37/32935
摘要：一種偵測電漿反應之系統及方法,當該電漿反應之功率產生變化時,該電漿反應伴隨產生一光線强弱變化,該系統包含一感測裝置,該感測裝置具有一電阻値,得因應該光線强弱變化而改變該電阻値,藉此,該系統得以偵測該電漿反應之狀態。
简体摘要：一种侦测等离子反应之系统及方法,当该等离子反应之功率产生变化时,该等离子反应伴随产生一光线强弱变化,该系统包含一传感设备,该传感设备具有一电阻値,得因应该光线强弱变化而改变该电阻値,借此,该系统得以侦测该等离子反应之状态。

75. 发明专利

TW200838181A 用以監控射頻功率的量測系統與監控射頻功率之方法 MULTIPOINT VOLTAGE AND CURRENT PROBE SYSTEM 审中-公开
简体标题：用以监控射频功率的量测系统与监控射频功率之方法 MULTIPOINT VOLTAGE AND CURRENT PROBE SYSTEM
公开(公告)号：TW200838181A
公开(公告)日：2008-09-16
申请号：TW096134945
申请日：2007-09-19
申请人：萬機科技股份有限公司 MKS INSTRUMENTS, INC.
发明人：雷喬艾瑞 CHOUEIRY, RAY , 陶德賀客曼 HECKLEMAN, TODD , 大衛寇姆 COUMOU, DAVID J.
IPC分类号： H04B , G06K
CPC分类号： H01J37/32935 , H01J37/32082 , H01J37/32174 , H04B17/318
摘要：一種量測系統,用於監控電路中複數個位置的射頻功率。此系統包含複數個射頻感測器、多工模組及分析模組。其中,射頻感測器根據射頻功率的電特性產生類比訊號,多工模組根據此類比訊號產生輸出訊號,而分析模組則根據輸出訊號產生訊息。此些訊息包含關於由複數個射頻感測器所感測的電特性的資訊。
简体摘要：一种量测系统,用于监控电路中复数个位置的射频功率。此系统包含复数个射频传感器、多任务模块及分析模块。其中,射频传感器根据射频功率的电特性产生模拟信号,多任务模块根据此模拟信号产生输出信号,而分析模块则根据输出信号产生消息。此些消息包含关于由复数个射频传感器所传感的电特性的信息。

76. 发明专利

TW200836595A 電弧偵測系統及其偵測方法 HARMONIC DERIVED ARC DETECTOR 审中-公开
简体标题：电弧侦测系统及其侦测方法 HARMONIC DERIVED ARC DETECTOR
公开(公告)号：TW200836595A
公开(公告)日：2008-09-01
申请号：TW096137163
申请日：2007-10-03
申请人：萬機科技股份有限公司 MKS INSTRUMENTS, INC.
发明人：約翰菲爾寇 VALCORE, JR., JOHN , 韓宇峰 HAN, YUFENG , 强納生史密卡 SMYKA, JONATHAN , 薩瓦多波利柔 POLIZZO, SALVATORE , 阿恩瑞德姆斯基 RADOMSKI, AARON T.
IPC分类号： H05H , G01R , G05F
CPC分类号： H05H1/0062 , H01J37/32082 , H01J37/32935 , H01J37/32944 , H01J2237/0206
摘要：一種電弧偵測系統,包括射頻訊號探針。該射頻訊號探針感測射頻電漿室之輸入處的射頻訊號,並且根據該射頻訊號的電壓、電流和功率中至少之一而產生訊號。一訊號分析器接收此訊號,監視訊號中高於或等於該射頻訊號的基本頻率的頻率分量,以及根據該頻率分量產生輸出訊號。該輸出訊號指示該射頻電漿室中產生電弧。
简体摘要：一种电弧侦测系统,包括射频信号探针。该射频信号探针传感射频等离子室之输入处的射频信号,并且根据该射频信号的电压、电流和功率中至少之一而产生信号。一信号分析器接收此信号,监视频号中高于或等于该射频信号的基本频率的频率分量,以及根据该频率分量产生输出信号。该输出信号指示该射频等离子室中产生电弧。

77. 发明专利

TW200835399A 將所期望之M個電漿參數値轉譯為N個腔室參數値之電漿反應器控制方法 A PLASMA REACTOR CONTROL BY TRANSLATING DESIRED VALUES OF M PLASMA PARAMETERS TO VALUES OF N CHAMBER PARAMETERS 审中-公开
简体标题：将所期望之M个等离子参数値转译为N个腔室参数値之等离子反应器控制方法 A PLASMA REACTOR CONTROL BY TRANSLATING DESIRED VALUES OF M PLASMA PARAMETERS TO VALUES OF N CHAMBER PARAMETERS
公开(公告)号：TW200835399A
公开(公告)日：2008-08-16
申请号：TW096147298
申请日：2007-12-11
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：霍夫曼丹尼爾J HOFFMAN, DANIEL J. , 古德愛爾羅伯 GOLD, EZRA ROBERT
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01J37/3299 , H01J37/32174 , H01J37/32935
摘要：本發明涉及一種藉由根據複數電漿參數的預期値來控制複數腔室參數,進而在電漿反應器腔室中處理晶圓的方法。該方法包括將M個電漿參數的一組M個預期値同時轉換為各個N個腔室參數的一組N個値。該等M個電漿參數選自包括晶圓電壓、離子密度、蝕刻速率、晶圓電流、蝕刻選擇性、離子能量和離子質量的一組參數。該等N個腔室參數選自包括源功率、偏壓功率、腔室壓力、內磁鐵線圈電流、外磁鐵線圈電流、內區氣體流速、外區氣體流速、內區氣體組成、外區氣體組成的一組參數。該方法進一步包括將N個腔室參數設定為一組N個値。
简体摘要：本发明涉及一种借由根据复数等离子参数的预期値来控制复数腔室参数,进而在等离子反应器腔室中处理晶圆的方法。该方法包括将M个等离子参数的一组M个预期値同时转换为各个N个腔室参数的一组N个値。该等M个等离子参数选自包括晶圆电压、离子密度、蚀刻速率、晶圆电流、蚀刻选择性、离子能量和离子质量的一组参数。该等N个腔室参数选自包括源功率、偏压功率、腔室压力、内磁铁线圈电流、外磁铁线圈电流、内区气体流速、外区气体流速、内区气体组成、外区气体组成的一组参数。该方法进一步包括将N个腔室参数设置为一组N个値。

78. 发明专利

TW200832482A 管理電漿反應室電源供應之系統與方法 SYSTEM AND METHOD FOR MANAGING POWER SUPPLIED TO A PLASMA CHAMBER 审中-公开
简体标题：管理等离子反应室电源供应之系统与方法 SYSTEM AND METHOD FOR MANAGING POWER SUPPLIED TO A PLASMA CHAMBER
公开(公告)号：TW200832482A
公开(公告)日：2008-08-01
申请号：TW096134335
申请日：2007-09-13
申请人：先驅能源工業公司 ADVANCED ENERGY INDUSTRIES, INC.
发明人：喬許華布萊恩潘克拉茲 PANKRATZ, JOSHUA BRIAN
IPC分类号： H01H
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32064 , H01J37/32935 , H01J2237/0206 , H05H2001/4682
摘要：說明用來管理被傳遞至處理反應室的電力之系統與方法。於一實施例中,電力係利用電力纜線被傳遞至該處理反應室,該電力纜線儲存能量並且包含第一導體與第二導體,該第一導體具有相對於該第二導體的第一電壓極性。該第一導體相對於該第二導體的電壓極性被反轉,並且當反轉該第一電力纜線的極性時,在該電力纜線所儲存的能量其中至少一部份被提供給該電漿反應室。
简体摘要：说明用来管理被传递至处理反应室的电力之系统与方法。于一实施例中,电力系利用电力缆线被传递至该处理反应室,该电力缆线存储能量并且包含第一导体与第二导体,该第一导体具有相对于该第二导体的第一电压极性。该第一导体相对于该第二导体的电压极性被反转,并且当反转该第一电力缆线的极性时,在该电力缆线所存储的能量其中至少一部份被提供给该等离子反应室。

79. 发明专利

TW200830944A 利用頻率監控來偵測不正常電漿處理 FREQUENCY MONITORING TO DETECT PLASMA PROCESS ABNORMALITY 审中-公开
简体标题：利用频率监控来侦测不正常等离子处理 FREQUENCY MONITORING TO DETECT PLASMA PROCESS ABNORMALITY
公开(公告)号：TW200830944A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：TW096133523
申请日：2007-09-07
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：朴範秀 PARK, BEOM SOO , 崔壽永 CHOI, SOO YOUNG , 懷特約翰M WHITE, JOHN M. , 金宏順 KIM, HONG SOON , 霍夫曼詹姆士 HOFFMAN, JAMES
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01J37/32174 , H01J37/32935 , H03H7/40
摘要：本發明揭示一種藉由檢測變頻RF電源之頻率是否超出所建立的上限和下限來檢測RF驅動式電漿處理室內的異常情況。在第一態樣中,在新的製程步驟開始之後或者在取樣控制信號改變狀態之後,以取樣之電源頻率的函數建立第一對上限和下限。在第二態樣中,第二對上限和下限並不適應該電源的頻率。最好將兩態樣一起使用,以檢測異常情況的不同事件。
简体摘要：本发明揭示一种借由检测变频RF电源之频率是否超出所创建的上限和下限来检测RF驱动式等离子处理室内的异常情况。在第一态样中,在新的制程步骤开始之后或者在采样控制信号改变状态之后,以采样之电源频率的函数创建第一对上限和下限。在第二态样中,第二对上限和下限并不适应该电源的频率。最好将两态样一起使用,以检测异常情况的不同事件。

80. 发明专利

TWI296828B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI296828B
公开(公告)日：2008-05-11
申请号：TW094127157
申请日：2005-08-10
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：幾原祥二 IKUHARA, SHOJI , 白石大輔 SHIRAISHI, DAISUKE , 山本秀之 YAMAMOTO, HIDEYUKI , 鹿子昭 KAGOSHIMA, AKIRA , 榎並弘充 ENAMI, HIROMICHI , 唐島陽助 KARASHIMA, YOSUKE , 松本英治 MATSUMOTO, EIJI
IPC分类号： H01L , B01J , H05H
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32935 , H01L21/67253
摘要： [課題]提供不伴隨稼動率之大幅降低，而可診斷裝置狀態之預防保全技術。[解決手段]具備：真空處理室1；及將該真空處理室內予以真空排氣之排氣裝置6；及對前述真空處理室內導入處理氣體之質量流控制器5；及在前述真空處理室內載置試料而加以吸附保持的載置電極；及對被導入之前述處理氣體施加高頻電力，使生成電漿之高頻電源8；及具備有將試料搬入前述載置電極上，將處理結束之試料予以搬出之搬運裝置之電漿處理裝置本體50；及控制該電漿處理裝置本體之裝置控制控制器13，該裝置控制控制器13係具備；依據事先所設定的步驟來控制電漿處理裝置本體，對所被搬入之試料施以各試料之處理的複數個處理程序；及於該複數個處理程序中之特定的處理程序之實行時，取得前述電漿處理裝置之裝置參數，以所取得之裝置參數為基礎，來診斷電漿處理裝置本體的狀態之良否的診斷裝置。
简体摘要： [课题]提供不伴随稼动率之大幅降低，而可诊断设备状态之预防保全技术。[解决手段]具备：真空处理室1；及将该真空处理室内予以真空排气之排气设备6；及对前述真空处理室内导入处理气体之质量流控制器5；及在前述真空处理室内载置试料而加以吸附保持的载置电极；及对被导入之前述处理气体施加高频电力，使生成等离子之高频电源8；及具备有将试料搬入前述载置电极上，将处理结束之试料予以搬出之搬运设备之等离子处理设备本体50；及控制该等离子处理设备本体之设备控制控制器13，该设备控制控制器13系具备；依据事先所设置的步骤来控制等离子处理设备本体，对所被搬入之试料施以各试料之处理的复数个处理进程；及于该复数个处理进程中之特定的处理进程之实行时，取得前述等离子处理设备之设备参数，以所取得之设备参数为基础，来诊断等离子处理设备本体的状态之良否的诊断设备。

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