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71. 发明专利

TW201315555A 玻璃基板之雷射加工裝置审中-公开
简体标题：玻璃基板之激光加工设备
公开(公告)号：TW201315555A
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：TW101136548
申请日：2012-10-03
申请人： V科技股份有限公司 , V TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：水村通伸 , MIZUMURA, MICHINOBU
IPC分类号： B23K26/04 , B23K26/06 , B23K26/08
CPC分类号： B23K26/0734 , B23K26/0648 , C03B33/091
摘要：本發明提供一種玻璃基板之雷射加工裝置，其利用設置成環狀的圓柱透鏡，使雷射光源所射出之雷射光對應並集中於玻璃基板的切斷預定線。對圓柱透鏡的雷射光的照射位置，藉由驅動裝置在第1方向上移動。雷射光，在與其光軸正交的面上，與第1方向垂直的第2方向的寬度W5比圓柱透鏡的寬度W7更大。然後，在藉由驅動裝置使雷射光的照射位置在第1方向上移動的過程中，從雷射光源射出複數次雷射光，藉此形成對應切斷預定線的加工痕。如是，便可較易在玻璃基板上形成無端點的封閉形狀的加工痕，並縮短玻璃基板的分割處理時間。
简体摘要：本发明提供一种玻璃基板之激光加工设备，其利用设置成环状的圆柱透镜，使激光光源所射出之激光光对应并集中于玻璃基板的切断预定线。对圆柱透镜的激光光的照射位置，借由驱动设备在第1方向上移动。激光光，在与其光轴正交的面上，与第1方向垂直的第2方向的宽度W5比圆柱透镜的宽度W7更大。然后，在借由驱动设备使激光光的照射位置在第1方向上移动的过程中，从激光光源射出复数次激光光，借此形成对应切断预定线的加工痕。如是，便可较易在玻璃基板上形成无端点的封闭形状的加工痕，并缩短玻璃基板的分割处理时间。

72. 发明专利

TW201305744A 微透鏡陣列及使用該微透鏡陣列之掃描曝光裝置审中-公开
简体标题：微透镜数组及使用该微透镜数组之扫描曝光设备
公开(公告)号：TW201305744A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101126994
申请日：2012-07-26
申请人： V科技股份有限公司 , V TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：水村通伸 , MIZUMURA, MICHINOBU , 火田中誠 , HATANAKA, MAKOTO
IPC分类号： G03F7/20 , G02B3/00
CPC分类号： G03F7/7015 , G02B3/00 , G02B3/0056 , G02B3/0062 , G02B3/0075 , G02B7/00 , G02B27/0961 , G03F7/70275
摘要：微透鏡陣列係於玻璃板之頂面及底面分別疊層有單位微透鏡陣列，藉由上板及下板以保持各單位微透鏡陣列。各單位微透鏡陣列與玻璃板，形成有對位用的標記，單位微透鏡陣列與玻璃板藉由該等標記對位，相互疊層。藉此在使用複數片微透鏡陣列之掃描曝光時，防止曝光不均。
简体摘要：微透镜数组系于玻璃板之顶面及底面分别叠层有单位微透镜数组，借由上板及下板以保持各单位微透镜数组。各单位微透镜数组与玻璃板，形成有对位用的标记，单位微透镜数组与玻璃板借由该等标记对位，相互叠层。借此在使用复数片微透镜数组之扫描曝光时，防止曝光不均。

73. 发明专利

TWI638236B 曝光裝置（二）有权
简体标题：曝光设备（二）
公开(公告)号：TWI638236B
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：TW100138775
申请日：2011-10-26
申请人： V科技股份有限公司 , V TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：水村通伸 , MIZUMURA, MICHINOBU
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027

74. 发明专利

TWI632611B 雷射退火裝置及雷射退火方法有权
简体标题：激光退火设备及激光退火方法
公开(公告)号：TWI632611B
公开(公告)日：2018-08-11
申请号：TW102109159
申请日：2013-03-15
申请人： V科技股份有限公司 , V TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：水村通伸 , MIZUMURA, MICHINOBU
IPC分类号： H01L21/324

75. 发明专利

TWI627009B 雷射加工裝置、及雷射加工方法有权
简体标题：激光加工设备、及激光加工方法
公开(公告)号：TWI627009B
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：TW103103279
申请日：2014-01-28
申请人： V科技股份有限公司 , V TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：水村通伸 , MIZUMURA, MICHINOBU , 瀧本政美 , TAKIMOTO, MASAMI , 松山將太 , MATSUYAMA, SHOTA
IPC分类号： B23K26/382

76. 发明专利

TW201812924A 雷射照射裝置、薄膜電晶體及薄膜電晶體的製造方法审中-公开
简体标题：激光照射设备、薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法
公开(公告)号：TW201812924A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106122774
申请日：2017-07-07
申请人： V科技股份有限公司 , V TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：水村通伸 , MIZUMURA, MICHINOBU
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/268 , H01L21/20 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/20 , H01L21/268 , H01L29/786
摘要：取決於雷射光的能量密度的偏差，玻璃基板中所包含的複數個薄膜電晶體的特性產生偏差，在液晶顯示裝置的液晶中使用玻璃基板的情況下，會有產生顯示不均勻的問題。在本發明的一實施形態的雷射照射裝置包含：光源，用以產生雷射光；及投射透鏡，用以使上述雷射光照射在沈積在薄膜電晶體之上的非晶矽薄膜的互相不同的複數個區域上，其中投射透鏡係以對應上述薄膜電晶體的源極電極與汲極電極之間的複數個通道區域並列而連接的方式，在上述非晶矽薄膜的上述互相不同的複數個區域上照射上述雷射光。
简体摘要：取决于激光光的能量密度的偏差，玻璃基板中所包含的复数个薄膜晶体管的特性产生偏差，在液晶显示设备的液晶中使用玻璃基板的情况下，会有产生显示不均匀的问题。在本发明的一实施形态的激光照射设备包含：光源，用以产生激光光；及投射透镜，用以使上述激光光照射在沉积在薄膜晶体管之上的非晶硅薄膜的互相不同的复数个区域上，其中投射透镜系以对应上述薄膜晶体管的源极电极与汲极电极之间的复数个信道区域并列而连接的方式，在上述非晶硅薄膜的上述互相不同的复数个区域上照射上述激光光。

77. 发明专利

TW201740434A 雷射退火方法、雷射退火裝置及薄膜電晶體基板审中-公开
简体标题：激光退火方法、激光退火设备及薄膜晶体管基板
公开(公告)号：TW201740434A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW106105674
申请日：2017-02-21
申请人： V科技股份有限公司 , V TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：水村通伸 , MIZUMURA, MICHINOBU
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/20 , H01L21/268 , H01L29/786
摘要：本發明係將雷射光照射至基板上所披覆的非晶矽膜而結晶化之雷射退火方法，將相異照射光量之雷射光照射至該基板上之複數第1及第2TFT形成部，而將該複數第1及第2TFT形成部的該非晶矽膜結晶化為相異結晶狀態之聚矽膜。
简体摘要：本发明系将激光光照射至基板上所披覆的非晶硅膜而结晶化之激光退火方法，将相异照射光量之激光光照射至该基板上之复数第1及第2TFT形成部，而将该复数第1及第2TFT形成部的该非晶硅膜结晶化为相异结晶状态之聚硅膜。

78. 发明专利

TW201732838A 放射線檢測裝置之製造方法审中-公开
简体标题：放射线检测设备之制造方法
公开(公告)号：TW201732838A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW106102984
申请日：2017-01-25
申请人： V科技股份有限公司 , V TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：田坂知樹 , TASAKA, TOMOKI , 藤森裕也 , FUJIMORI, YUYA , 水村通伸 , MIZUMURA, MICHINOBU , 梶山康一 , KAJIYAMA, KOICHI
IPC分类号： G21K4/00 , G01T1/20 , H01L27/144
CPC分类号： A61B6/00 , G01T1/20
摘要：具備有：閃爍體部形成工程，其係將閃爍體部形成用遮罩(5)配置在感測器基板(1)上，以閃爍體材料形成複數閃爍體部(6)；遮罩去除工程，其係將閃爍體部形成用遮罩(5)去除；及遮光性材料膜形成工程，其係在遮罩去除工程之後，在形成有複數閃爍體部(6)的感測器基板(1)上形成遮光性材料膜(8)。
简体摘要：具备有：闪烁体部形成工程，其系将闪烁体部形成用遮罩(5)配置在传感器基板(1)上，以闪烁体材料形成复数闪烁体部(6)；遮罩去除工程，其系将闪烁体部形成用遮罩(5)去除；及遮光性材料膜形成工程，其系在遮罩去除工程之后，在形成有复数闪烁体部(6)的传感器基板(1)上形成遮光性材料膜(8)。

79. 发明专利

TW201729404A X射線攝影元件的製造方法审中-公开
简体标题： X射线摄影组件的制造方法
公开(公告)号：TW201729404A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW106101814
申请日：2017-01-19
申请人： V科技股份有限公司 , V TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：水村通伸 , MIZUMURA, MICHINOBU , 田坂知樹 , TASAKA, TOMOKI , 藤森裕也 , FUJIMORI, YUYA
IPC分类号： H01L27/144 , H01L27/146 , G01T1/24
CPC分类号： A61B6/00 , G01T1/20 , H01L27/144 , H01L27/146 , H01L31/10
摘要：一種X射線攝影元件的製造方法，包含以下各步驟：一TFT電路層的形成步驟，在支撐基板的上方形成TFT電路層；一光電轉換膜的形成步驟，在上述TFT電路的上方形成由將可見光轉換成電信號的光二極體所形成的光電轉換膜；一退火處理步驟，根據螢光材料的發光特性而對上述光電轉換膜施加退火處理；及一螢光體層的形成步驟，在上述光電轉換膜的上方，形成由將X射線轉換成可見光的上述螢光材料所形成的螢光體層。
简体摘要：一种X射线摄影组件的制造方法，包含以下各步骤：一TFT电路层的形成步骤，在支撑基板的上方形成TFT电路层；一光电转换膜的形成步骤，在上述TFT电路的上方形成由将可见光转换成电信号的光二极管所形成的光电转换膜；一退火处理步骤，根据萤光材料的发光特性而对上述光电转换膜施加退火处理；及一萤光体层的形成步骤，在上述光电转换膜的上方，形成由将X射线转换成可见光的上述萤光材料所形成的萤光体层。

80. 发明专利

TW201723203A 成膜遮罩及成膜遮罩之製造方法审中-公开
简体标题：成膜遮罩及成膜遮罩之制造方法
公开(公告)号：TW201723203A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105118687
申请日：2016-06-15
申请人： V科技股份有限公司 , V TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：梶山康一 , KAJIYAMA, KOICHI , 水村通伸 , MIZUMURA, MICHINOBU , 小林郁典 , KOBAYASHI, IKUNORI , 藤森裕也 , FUJIMORI, YUYA
IPC分类号： C23C14/04
CPC分类号： C23C14/04
摘要：本發明係具備有：樹脂層，係設置有對應於成膜對象之成膜基板上所形成之圖案的複數第1槽；以及金屬層，係層積在該樹脂層，在對應於該第1槽之位置設有第2槽，並以既定間隔於複數位置處設有交叉於該第2槽而加以連接之補強部，藉由對該層積後的樹脂層施以雷射加工，而從該金屬層之該補強部區域來去除所層積之該樹脂層的樹脂，以讓該樹脂層具有規則的開口圖案以及將該開口圖案分割之不規則的遮蔽圖案。藉此，便可提供一種容易讓補強部正下方區域之加工容易，而可在成膜基板上容易地製作規則圖案與不規則圖案之成膜遮罩。
简体摘要：本发明系具备有：树脂层，系设置有对应于成膜对象之成膜基板上所形成之图案的复数第1槽；以及金属层，系层积在该树脂层，在对应于该第1槽之位置设有第2槽，并以既定间隔于复数码置处设有交叉于该第2槽而加以连接之补强部，借由对该层积后的树脂层施以激光加工，而从该金属层之该补强部区域来去除所层积之该树脂层的树脂，以让该树脂层具有守则的开口图案以及将该开口图案分割之不守则的屏蔽图案。借此，便可提供一种容易让补强部正下方区域之加工容易，而可在成膜基板上容易地制作守则图案与不守则图案之成膜遮罩。

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