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    • 59. 发明专利
    • 金屬矽化物熱感測器及其製法
    • 金属硅化物热传感器及其制法
    • TW201330338A
    • 2013-07-16
    • TW101101317
    • 2012-01-13
    • 國立高雄應用科技大學NATIONAL KAOHSIUNG UNIVERSITY OF APPLIED SCIENCES
    • 陳忠男蕭健華黃文琦
    • H01L35/00H01L35/34
    • H01C7/008H01C1/14
    • 本發明是一種金屬矽化物熱感測器及其製法,係於一感測器本體形成複數蝕刻窗口與一空穴,蝕刻窗口形成於該感測器本體表面,空穴形成於蝕刻窗口下方且連通蝕刻窗口;所述蝕刻窗口將該感測器本體表面區分為一懸浮部與複數連接部,該懸浮部包含有一呈連續彎曲狀的導電線路,該導電線路為金屬矽化物,該感測器本體上形成有複數個電極且分別電性連接所述導電線路;本發明金屬矽化物所選用的材料係相容於一般CMOS製程而可以降低成本,且金屬矽化物具有正電阻溫度係數及於高溫時有較佳的穩定性,故可提升熱感測器的性能。
    • 本发明是一种金属硅化物热传感器及其制法,系于一传感器本体形成复数蚀刻窗口与一空穴,蚀刻窗口形成于该传感器本体表面,空穴形成于蚀刻窗口下方且连通蚀刻窗口;所述蚀刻窗口将该传感器本体表面区分为一悬浮部与复数连接部,该悬浮部包含有一呈连续弯曲状的导电线路,该导电线路为金属硅化物,该传感器本体上形成有复数个电极且分别电性连接所述导电线路;本发明金属硅化物所选用的材料系兼容于一般CMOS制程而可以降低成本,且金属硅化物具有正电阻温度系数及于高温时有较佳的稳定性,故可提升热传感器的性能。