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1. 发明专利

TW201635316A 具有電阻溫度係數（ＴＣＲ）補償的電阻器审中-公开
简体标题：具有电阻温度系数（ＴＣＲ）补偿的电阻器
公开(公告)号：TW201635316A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW105120298
申请日：2010-09-03
申请人：維謝戴爾電子公司 , VISHAY DALE ELECTRONICS, INC.
发明人：史密斯克拉克L , SMITH, CLARK L. , 伯特許湯瑪斯L , BERTSCH, THOMAS L. , 魏德泰德L , WYATT, TODD L. , 維克湯瑪斯L , VEIK, THOMAS L.
IPC分类号： H01C7/06
CPC分类号： H01C7/06 , G01R1/203 , G01R19/0092 , G01R19/32 , H01C1/00 , H01C1/148 , H01C17/232 , H01C17/28 , Y10T29/49082 , Y10T29/49101
摘要：揭示一種電流感測電阻器以及一種製造具有電阻溫度係數(TCR)補償之電流感測電阻器的方法。該電阻器具有一電阻片配置於二導電片之間。一對主要接頭以及一對電壓感測接頭形成於該導電片之中。一對粗TCR校準狹槽位於該主要接頭及該電壓感測接頭之間，每一粗TCR校準狹槽各自具有一深度，選擇以獲得一在該電壓感測接頭處觀測到的負初始TCR數值。一細TCR校準狹槽形成於該對電壓感測接頭之間。該細TCR校準狹槽具有一深度，選擇以獲得一在該電壓感測接頭處觀測到的趨近於零之TCR數值。該電阻器同時亦可以具有一電阻校準狹槽位於該對主要接頭之間。該電阻校準狹槽具有一深度，選擇以校準該電阻器之一電阻值。
简体摘要：揭示一种电流传感电阻器以及一种制造具有电阻温度系数(TCR)补偿之电流传感电阻器的方法。该电阻器具有一电阻片配置于二导电片之间。一对主要接头以及一对电压传感接头形成于该导电片之中。一对粗TCR校准狭槽位于该主要接头及该电压传感接头之间，每一粗TCR校准狭槽各自具有一深度，选择以获得一在该电压传感接头处观测到的负初始TCR数值。一细TCR校准狭槽形成于该对电压传感接头之间。该细TCR校准狭槽具有一深度，选择以获得一在该电压传感接头处观测到的趋近于零之TCR数值。该电阻器同时亦可以具有一电阻校准狭槽位于该对主要接头之间。该电阻校准狭槽具有一深度，选择以校准该电阻器之一电阻值。

2. 发明专利

TWI428938B 減輕熱電動勢之金屬片電阻器失效
简体标题：减轻热电动势之金属片电阻器
公开(公告)号：TWI428938B
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW099108002
申请日：2010-03-18
申请人：微協戴爾電子股份有限公司 , VISHAY DALE ELECTRONICS, INC.
发明人：柏克漢道格 , BRACKHAN, DOUG , 史密斯克拉克 , SMITH, CLARK L. , 維克湯瑪士 , VEIK, THOMAS L.
IPC分类号： H01C3/00
CPC分类号： H01C1/084 , H01C3/06 , Y10T29/49082

3. 发明专利

TWI400013B 具可撓性引線之表面安裝晶片電阻及其製法失效
简体标题：具可挠性引线之表面安装芯片电阻及其制法
公开(公告)号：TWI400013B
公开(公告)日：2013-06-21
申请号：TW097106575
申请日：2008-02-26
申请人：韋司海中間科技公司 , VISHAY INTERTECHNOLOGY, INC.
发明人：喬瑟夫史瓦克 , SZWARC, JOSEPH , 丹尼麥士萊 , MAZLIAH, DANY , 佐藤牧夫 , SATO, MAKIO , 岡本透 , OKAMOTO, TORU
IPC分类号： H05K1/16 , H05K3/32
CPC分类号： H01C1/14 , H01C1/144 , H01C7/003 , H01C17/006 , H01C17/28 , H05K3/3426 , H05K2201/10651 , H05K2201/10848 , Y02P70/613 , Y10T29/49082

4. 发明专利

TW201111804A 電流感測用電阻裝置與製造方法 CURRENT SENSING RESISTOR DEVICE AND PROCESS 审中-公开
简体标题：电流传感用电阻设备与制造方法 CURRENT SENSING RESISTOR DEVICE AND PROCESS
公开(公告)号：TW201111804A
公开(公告)日：2011-04-01
申请号：TW098131424
申请日：2009-09-17
申请人：乾坤科技股份有限公司
发明人：駱達文 , 廖玟雄 , 朱武良 , 林彥霆
IPC分类号： G01R
CPC分类号： H01C1/148 , H01C7/003 , H01C7/13 , Y10T29/49082
摘要：本發明係為一種電阻裝置與製造方法。電阻裝置包含：一電阻片，具有一第一側邊、一第二側邊、一第三側邊及一第四側邊，該等側邊上分別對應具有一第一開口、一第二開口、一第三開口及一第四開口；一第一電極片，位於電阻片之第一側邊上，部份區域被第一開口區隔為一第一量測區域與一第二量測區域；以及一第二電極片，位於電阻片之第三側邊上，部份區域被第三開口區隔為一第三量測區域與一第四量測區域，其中第二開口位於第一量測區域與第三量測區域之間，而第四開口位於第二量測區域與第四量測區域之間。
简体摘要：本发明系为一种电阻设备与制造方法。电阻设备包含：一电阻片，具有一第一侧边、一第二侧边、一第三侧边及一第四侧边，该等侧边上分别对应具有一第一开口、一第二开口、一第三开口及一第四开口；一第一电极片，位于电阻片之第一侧边上，部份区域被第一开口区隔为一第一量测区域与一第二量测区域；以及一第二电极片，位于电阻片之第三侧边上，部份区域被第三开口区隔为一第三量测区域与一第四量测区域，其中第二开口位于第一量测区域与第三量测区域之间，而第四开口位于第二量测区域与第四量测区域之间。

5. 发明专利

TW200935458A 圓柱形電流感測電阻 CYLINDRICAL CURRENT SENSE RESISTOR 审中-公开
简体标题：圆柱形电流传感电阻 CYLINDRICAL CURRENT SENSE RESISTOR
公开(公告)号：TW200935458A
公开(公告)日：2009-08-16
申请号：TW097104775
申请日：2008-02-12
申请人：維謝戴爾電子公司 VISHAY DALE ELECTRONICS, INC.
发明人：克拉克L 史密斯 SMITH, CLARK L. , 珠兒J 司梅可 SMEJKAL, JOEL J. , 大衛朗葛 LANGE, DAVID , 湯瑪斯L 伯特許 BERTSCH, THOMAS L. , 史蒂夫漢德里克斯 HENDRICKS, STEVE , 羅德布內 BRUNE, ROD
IPC分类号： H01C
CPC分类号： H01C1/148 , G01R1/203 , G01R31/3679 , H01C1/144 , H01C10/00 , H01C17/28 , Y10T29/49082
摘要：一種電阻器包含:具有約小於1毫歐姆電阻之實質上圓柱形電阻構件、電連接至該電阻構件之實質上圓柱形第一終端、及電連接至該電阻構件之第二終端。該實質上圓柱形第一終端係中空以承接例如來自電池纜線之連接。此外,可感測呈現於該電阻器上之導線。一種形成實質上圓柱形電阻器之方法包含:藉由捲曲包括一電阻構件及連結在該電阻構件相對末端上之第一終端及第二終端之平板以形成一中空圓柱形電阻器本體。
简体摘要：一种电阻器包含:具有约小于1毫欧姆电阻之实质上圆柱形电阻构件、电连接至该电阻构件之实质上圆柱形第一终端、及电连接至该电阻构件之第二终端。该实质上圆柱形第一终端系中空以承接例如来自电池缆线之连接。此外,可传感呈现于该电阻器上之导线。一种形成实质上圆柱形电阻器之方法包含:借由卷曲包括一电阻构件及链接在该电阻构件相对末端上之第一终端及第二终端之平板以形成一中空圆柱形电阻器本体。

6. 发明专利

TW200901236A 晶片電阻器及其製法审中-公开
简体标题：芯片电阻器及其制法
公开(公告)号：TW200901236A
公开(公告)日：2009-01-01
申请号：TW096123664
申请日：2007-06-29
申请人：斐成企業股份有限公司 FEEL CHERNG ENTERPRISE CO., LTD.
发明人：蔡榮澤 TSAI, RONG TZER
IPC分类号： H01C
CPC分类号： H01C17/006 , H01C1/142 , H01C7/003 , Y10T29/49082
摘要：一種晶片電阻器及其製法,係藉一導熱膠合層相對貼合一基材與一定阻電阻體,並利用一保護層覆蓋至該定阻電阻體局部表面,以使該定阻電阻體表面未覆蓋該保護層之部份區隔成二電極區,俾排除習知技術不必要的電流傳導阻抗、有效穩定減小電阻溫度係數(TCR),而基材與定阻電阻體的貼合設計則可排除習知技術使用半導體製程之高成本缺點,達易於製造、提昇製程良率與降低成本之效。
简体摘要：一种芯片电阻器及其制法,系藉一导热胶合层相对贴合一基材与一定阻电阻体,并利用一保护层覆盖至该定阻电阻体局部表面,以使该定阻电阻体表面未覆盖该保护层之部份区隔成二电极区,俾排除习知技术不必要的电流传导阻抗、有效稳定减小电阻温度系数(TCR),而基材与定阻电阻体的贴合设计则可排除习知技术使用半导体制程之高成本缺点,达易于制造、提升制程良率与降低成本之效。

7. 发明专利

TW200836602A 內設電阻元件的印刷配線板的製造方法审中-公开
简体标题：内设电阻组件的印刷配线板的制造方法
公开(公告)号：TW200836602A
公开(公告)日：2008-09-01
申请号：TW096143210
申请日：2007-11-15
申请人：日本美可多龍股份有限公司 NIPPON MEKTRON, LTD.
发明人：宮本雅郎 MIYAMOTO, GARO
IPC分类号： H05K
CPC分类号： H05K1/167 , H05K3/243 , H05K3/4069 , H05K2201/0323 , H05K2201/0347 , H05K2201/0394 , H05K2201/0969 , H05K2203/107 , H05K2203/171 , Y10T29/49082 , Y10T29/49099 , Y10T29/49124 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155
摘要：課題提供在形成電阻元件後可調整電阻値,而可保證得到高精度的電阻値精度的內設電阻元件的印刷配線板的製造方法。解決手段一種內設電阻元件的印刷配線板的製造方法,屬於使用碳膏的內設電阻元件的印刷配線板的製造方法,其特徵為:包括:在兩個貼銅的層積板,形成貫通孔5、6、25、26或有底孔的工程;及在上述貫通孔或有底孔施以鍍貴金屬的工程;及在上述貫通孔或有底孔填充碳膏的工程;及在填充於上述貫通孔或有底孔的上述碳膏上施以鍍貴金屬,導電化處理及鍍處理以形成導電層的工程;及在填充上述碳膏的上述貫通孔的端部上的上述導電層,形成開口18的工程;及經上述開口予以修整,調整利用上述碳膏所形成的電阻的電阻値的工程。
简体摘要：课题提供在形成电阻组件后可调整电阻値,而可保证得到高精度的电阻値精度的内设电阻组件的印刷配线板的制造方法。解决手段一种内设电阻组件的印刷配线板的制造方法,属于使用碳膏的内设电阻组件的印刷配线板的制造方法,其特征为:包括:在两个贴铜的层积板,形成贯通孔5、6、25、26或有底孔的工程;及在上述贯通孔或有底孔施以镀贵金属的工程;及在上述贯通孔或有底孔填充碳膏的工程;及在填充于上述贯通孔或有底孔的上述碳膏上施以镀贵金属,导电化处理及镀处理以形成导电层的工程;及在填充上述碳膏的上述贯通孔的端部上的上述导电层,形成开口18的工程;及经上述开口予以修整,调整利用上述碳膏所形成的电阻的电阻値的工程。

8. 发明专利

TWI290726B 製造被動元件於半導體基底上之方法 METHOD OF MANUFACTURING PASSIVE DEVICES ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE 有权
简体标题：制造被动组件于半导体基底上之方法 METHOD OF MANUFACTURING PASSIVE DEVICES ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
公开(公告)号：TWI290726B
公开(公告)日：2007-12-01
申请号：TW090119587
申请日：2001-08-10
申请人：聯合莫諾里西克半導體有限公司 UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：達格.貝哈瑪 BEHAMMER, DAG
IPC分类号： H01L , H01C
CPC分类号： H01L21/822 , H01L27/016 , Y10T29/49082 , Y10T29/49117 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155
摘要：本發明提出一種在半導體基底上製造被動元件的方法。秈用這種方法可以用低成本、高產量的方式在半導體基底上製造出各種不同的被動元件，尤其是高歐姆電阻元件、低歐姆電阻元件、高單位長度電容量的電容元件、以及低單位長度電容量的電容元件。本方法可以完全或極大程度的取代lift-oft製程(離析製程)(尤其是元件構造非常複雜時)，並選擇性的的以乾式及/或濕式化學法進行蝕刻。
简体摘要：本发明提出一种在半导体基底上制造被动组件的方法。籼用这种方法可以用低成本、高产量的方式在半导体基底上制造出各种不同的被动组件，尤其是高欧姆电阻组件、低欧姆电阻组件、高单位长度电容量的电容组件、以及低单位长度电容量的电容组件。本方法可以完全或极大程度的取代lift-oft制程(离析制程)(尤其是组件构造非常复杂时)，并选择性的的以干式及/或湿式化学法进行蚀刻。

9. 发明专利

TW200737187A 可變電阻元件及其製造方法與包含其之半導體記憶裝置失效
简体标题：可变电阻组件及其制造方法与包含其之半导体记忆设备
公开(公告)号：TW200737187A
公开(公告)日：2007-10-01
申请号：TW095148014
申请日：2006-12-20
申请人：夏普股份有限公司 SHARP KABUSHIKI KAISHA
发明人：石原數也 ISHIHARA, KAZUYA , 細井康成 HOSOI, YASUNARI , 小林慎司 KOBAYASHI, SHINJI
IPC分类号： G11C , H01C
CPC分类号： H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1633 , Y10T29/49082
摘要：本發明提供一種可變電阻元件,其可進行穩定的電阻式變換動作,且具有良好的電阻値保持特性。上述可變電阻元件係於夾持於上部電極1與下部電極3之區域具有可變電阻體2之構成,且利用結晶粒徑為30 nm以下之氧化鈦或氮氧化鈦構成該可變電阻體2。尤其是使可變電阻體2成膜時,於使基板溫度為150℃~500℃之條件下進行,藉此形成結晶粒徑為30 nm以下之銳鈦礦型結晶。根據具有此種構成之可變電阻體2之可變電阻元件,具有如下優良效果:藉由施加電壓脈衝,可變電阻體之結晶狀態變化,藉此電阻値變化,因此不需要成形過程,藉此可進行穩定的電阻式變換動作,並且即使重複變換次數,電阻變動亦較少,又,即使於高溫下長期保管,電阻變動亦較小。
简体摘要：本发明提供一种可变电阻组件,其可进行稳定的电阻式变换动作,且具有良好的电阻値保持特性。上述可变电阻组件系于夹持于上部电极1与下部电极3之区域具有可变电阻体2之构成,且利用结晶粒径为30 nm以下之氧化钛或氮氧化钛构成该可变电阻体2。尤其是使可变电阻体2成膜时,于使基板温度为150℃~500℃之条件下进行,借此形成结晶粒径为30 nm以下之锐钛矿型结晶。根据具有此种构成之可变电阻体2之可变电阻组件,具有如下优良效果:借由施加电压脉冲,可变电阻体之结晶状态变化,借此电阻値变化,因此不需要成形过程,借此可进行稳定的电阻式变换动作,并且即使重复变换次数,电阻变动亦较少,又,即使于高温下长期保管,电阻变动亦较小。

10. 发明专利

TWI284013B 包埋厚膜組分之改良方法 AN IMPROVED METHOD TO EMBED THICK FILM COMPONENTS 有权
简体标题：包埋厚膜组分之改良方法 AN IMPROVED METHOD TO EMBED THICK FILM COMPONENTS
公开(公告)号：TWI284013B
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：TW092100171
申请日：2003-01-06
申请人：杜邦股份有限公司 E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY
发明人：約翰詹姆斯費爾頓 JOHN JAMES FELTEN
IPC分类号： H05K
CPC分类号： H01C7/003 , H01C17/065 , H05K1/095 , H05K1/167 , H05K3/386 , H05K2201/0187 , H05K2201/0355 , H05K2203/0338 , Y10T29/49082 , Y10T29/49099 , Y10T29/49101 , Y10T29/49124 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49156
摘要：本發明係針對一種包埋厚膜電阻器組合物於印刷線路板中之方法，其包括以下步驟，塗敷補強組合物於經配置在金屬基材上之電阻器組合物上方，形成一種組裝，其中電阻器組合物係至少部份以補強組合物塗覆；處理該組裝；及將該組裝施加至有機基材之至少一個側面上，形成一種組件，其中有機基材係至少部份以黏著層塗覆，且其中該組裝之補強組合物側面係被包埋於黏著層中。此補強組合物允許燒成電阻器之雷射修整，且亦消除本發明層合步驟期間之龜裂。
简体摘要：本发明系针对一种包埋厚膜电阻器组合物于印刷线路板中之方法，其包括以下步骤，涂敷补强组合物于经配置在金属基材上之电阻器组合物上方，形成一种组装，其中电阻器组合物系至少部份以补强组合物涂覆；处理该组装；及将该组装施加至有机基材之至少一个侧面上，形成一种组件，其中有机基材系至少部份以黏着层涂覆，且其中该组装之补强组合物侧面系被包埋于黏着层中。此补强组合物允许烧成电阻器之激光修整，且亦消除本发明层合步骤期间之龟裂。

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