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41. 发明专利

TWI692866B 半導體元件、半導體基板及半導體元件製作方法有权
简体标题：半导体组件、半导体基板及半导体组件制作方法
公开(公告)号：TWI692866B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：TW107128827
申请日：2018-08-17
申请人：實用半導體有限公司
发明人：林文斌 , LIN, WEN BIN
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/36 , H01L21/22

42. 发明专利

TWI683438B 半導體元件有权
简体标题：半导体组件
公开(公告)号：TWI683438B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：TW106113149
申请日：2017-04-19
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：詹景琳 , CHAN, CHING-LIN
IPC分类号： H01L29/36 , H01L29/772

43. 发明专利

TWI683350B 半導體磊晶晶圓之製造方法以及半導體元件的製造方法有权
简体标题：半导体磊晶晶圆之制造方法以及半导体组件的制造方法
公开(公告)号：TWI683350B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：TW108102481
申请日：2019-01-23
申请人：日商SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：奥山亮輔 , OKUYAMA, RYOSUKE
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/265 , H01L21/322 , H01L27/146 , H01L29/36 , H01L31/0288 , H01L31/18

44. 发明专利

TWI682543B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI682543B
公开(公告)日：2020-01-11
申请号：TW108108769
申请日：2019-03-15
申请人：新唐科技股份有限公司 , NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：韋維克 , NINGARAJU, VIVEK , 陳柏安 , CHEN, PO-AN
IPC分类号： H01L29/36 , H01L29/49

45. 发明专利

TWI673871B 整合富含鍺之Ｐ－ＭＯＳ源極／汲極接觸之技術有权
简体标题：集成富含锗之Ｐ－ＭＯＳ源极／汲极接触之技术
公开(公告)号：TWI673871B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：TW104104385
申请日：2015-02-10
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：葛雷斯葛蘭 , GLASS, GLENN , 莫希安拿 , MURTHY, ANAND , 甘尼塔何 , GHANI, TAHIR , 龐英 , PANG, YING , 密斯特卡威奈比爾 , MISTKAWI, NABIL G.
IPC分类号： H01L29/66 , H01L29/78 , H01L29/36

46. 发明专利

TWI671908B 半導體元件、電氣機器、雙向場效電晶體及安裝構造體有权
简体标题：半导体组件、电气机器、双向场效应管及安装构造体
公开(公告)号：TWI671908B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW104133139
申请日：2015-10-08
申请人：日商POWDEC股份有限公司 , POWDEC K. K.
发明人：松本壯太 , MATSUMOTO, SOUTA , 越後谷祥子 , ECHIGOYA, SHOKO , 八木修一 , YAGI, SHUICHI , 中村文彥 , NAKAMURA, FUMIHIKO , 河合弘治 , KAWAI, HIROJI
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/36 , H01L29/12

47. 发明专利

TWI668864B 具有電流路徑方向控制的半導體結構有权
简体标题：具有电流路径方向控制的半导体结构
公开(公告)号：TWI668864B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW107127863
申请日：2018-08-09
申请人：江啟文 , JIANG, CHII-WEN
发明人：江啟文 , JIANG, CHII-WEN
IPC分类号： H01L29/36 , H01L29/66

48. 发明专利

TWI665802B 高壓元件及其製造方法有权
简体标题：高压组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI665802B
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：TW107127582
申请日：2018-08-08
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：黃宗義 , HUANG, TSUNG-YI
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/36 , H01L29/66 , H01L21/70 , H01L21/8238

49. 发明专利

TW201911571A 半導體結構审中-公开
简体标题：半导体结构
公开(公告)号：TW201911571A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW106125730
申请日：2017-07-31
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：陳永翔 , CHEN, YUNG-HSIANG , 楊怡箴 , YANG, I-CHEN
IPC分类号： H01L29/36 , H01L29/41 , H01L29/78
摘要：一種半導體結構，包括一基板、一第一源極/汲極區、一第二源極/汲極區、一通道摻雜區、和一閘極結構。第一源極/汲極區設置於基板中。第一源極/汲極區包括一第一區和一第二區，第二區位於第一區下。第二源極/汲極區設置於基板中。第二源極/汲極區係與第一源極/汲極區相對設置。通道摻雜區設置於基板中，位於第一源極/汲極區與第二源極/汲極區之間。閘極結構設置於通道摻雜之上。在平行於基板之上表面的一投影面中，第一源極/汲極區的第二區係與閘極結構分離。第一源極/汲極區、第二源極/汲極區、和通道摻雜區具有相同導電類型。
简体摘要：一种半导体结构，包括一基板、一第一源极/汲极区、一第二源极/汲极区、一信道掺杂区、和一闸极结构。第一源极/汲极区设置于基板中。第一源极/汲极区包括一第一区和一第二区，第二区位于第一区下。第二源极/汲极区设置于基板中。第二源极/汲极区系与第一源极/汲极区相对设置。信道掺杂区设置于基板中，位于第一源极/汲极区与第二源极/汲极区之间。闸极结构设置于信道掺杂之上。在平行于基板之上表面的一投影面中，第一源极/汲极区的第二区系与闸极结构分离。第一源极/汲极区、第二源极/汲极区、和信道掺杂区具有相同导电类型。

50. 发明专利

TWI643339B 半導體結構及其形成方法有权
简体标题：半导体结构及其形成方法
公开(公告)号：TWI643339B
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW105133533
申请日：2016-10-18
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：安德勒斯福羅C , ONTALUS, VIOREL C.
IPC分类号： H01L29/36 , H01L29/40 , H01L29/78 , H01L21/28

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