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3. 发明专利

TW201442253A 半導體裝置及其終端區結構审中-公开
简体标题：半导体设备及其终端区结构
公开(公告)号：TW201442253A
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW102113858
申请日：2013-04-19
申请人：實用半導體有限公司
发明人：林文斌
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/329
CPC分类号： H01L29/0661 , H01L29/66143 , H01L29/8725
摘要：一種半導體裝置之終端區結構，包含一半導體層；複數溝槽，形成於該半導體層之表面；一連結溝槽，形成於該半導體層之表面，用於連接該複數溝槽中相鄰之二溝槽；一第一絕緣層，形成於該複數溝槽、該連結溝槽、及該半導體層之表面；導電材料，形成於該複數溝槽及該連結溝槽內；一第二絕緣層，覆蓋該第一絕緣層之部分表面及該導電材料之部分表面；及一金屬層，覆蓋該第二絕緣層之部分表面。
简体摘要：一种半导体设备之终端区结构，包含一半导体层；复数沟槽，形成于该半导体层之表面；一链接沟槽，形成于该半导体层之表面，用于连接该复数沟槽中相邻之二沟槽；一第一绝缘层，形成于该复数沟槽、该链接沟槽、及该半导体层之表面；导电材料，形成于该复数沟槽及该链接沟槽内；一第二绝缘层，覆盖该第一绝缘层之部分表面及该导电材料之部分表面；及一金属层，覆盖该第二绝缘层之部分表面。

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