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41. 发明专利

TW201713721A 高分子化合物、正型光阻組成物、疊層體及光阻圖案形成方法审中-公开
简体标题：高分子化合物、正型光阻组成物、叠层体及光阻图案形成方法
公开(公告)号：TW201713721A
公开(公告)日：2017-04-16
申请号：TW105124377
申请日：2016-08-02
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：土門大將 , DOMON, DAISUKE , 渡邊聰 , WATANABE, SATOSHI , 增永惠一 , MASUNAGA, KEIICHI , 小竹正晃 , KOTAKE, MASAAKI
IPC分类号： C08L33/14 , C08L25/18 , G03F7/039
CPC分类号： C08F216/10 , C08F220/38 , G03F1/78 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/039 , G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/093 , G03F7/2059 , G03F7/322 , C08F216/02 , C08F212/32 , C08F216/1416 , C08F2220/382
摘要：本發明提供能形成有極高解像性且可作為能形成LER小、矩形性優異之圖案之光阻膜之光阻組成物的基礎樹脂的理想高分子化合物。一種高分子化合物，其特徵為含有：下列通式(1c)表示之重複單元；以及選自於下列通式(2)表示之重複單元及下列通式(3)表示之重複單元中之1種以上之重複單元。【化1】式中，Mb+ 表示下列通式(a)表示之鋶陽離子或下列通式(b)表示之錪陽離子。【化2】【化3】
简体摘要：本发明提供能形成有极高解像性且可作为能形成LER小、矩形性优异之图案之光阻膜之光阻组成物的基础树脂的理想高分子化合物。一种高分子化合物，其特征为含有：下列通式(1c)表示之重复单元；以及选自于下列通式(2)表示之重复单元及下列通式(3)表示之重复单元中之1种以上之重复单元。【化1】式中，Mb+ 表示下列通式(a)表示之锍阳离子或下列通式(b)表示之錪阳离子。【化2】【化3】

42. 发明专利

TW201631036A 導電性高分子組成物、被覆品、圖型形成方法及基板审中-公开
简体标题：导电性高分子组成物、被覆品、图型形成方法及基板
公开(公告)号：TW201631036A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW104132173
申请日：2015-09-30
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：長澤賢幸 , NAGASAWA, TAKAYUKI , 畠山潤 , HATAKEYAMA, JUN
IPC分类号： C08L79/02 , C08L101/06 , C08K5/17 , H01B1/12 , H01B5/14 , C09K3/16 , H01B13/00 , G03F7/09 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/093 , C07C227/02 , C07C229/06 , C08G73/0266 , C12P13/04 , C12P13/08 , G03F7/039 , G03F7/11 , G03F7/2059
摘要：本發明的課題為以提供一種抗靜電能優異、不會給予抗蝕不良影響、塗佈性優異、可適合使用在使用電子束等之微影術的一種導電性高分子組成物作為目的。本發明的解決手段為一種導電性高分子組成物，其特徵為含有下述一般式(1)表示之具有重複單位的聚苯胺系導電性高分子(A)、聚陰離子(B)、胺基酸(C)； (式中，RA1~RA4分別獨立表示可具有雜原子之碳數1~20之直鏈狀、分支狀或環狀之1價烴基、氫原子、鹵素原子之任一種；又，RA1與RA2、或是RA3與RA4可彼此鍵結形成環)。
简体摘要：本发明的课题为以提供一种抗静电能优异、不会给予抗蚀不良影响、涂布性优异、可适合使用在使用电子束等之微影术的一种导电性高分子组成物作为目的。本发明的解决手段为一种导电性高分子组成物，其特征为含有下述一般式(1)表示之具有重复单位的聚苯胺系导电性高分子(A)、聚阴离子(B)、氨基酸(C)； (式中，RA1~RA4分别独立表示可具有杂原子之碳数1~20之直链状、分支状或环状之1价烃基、氢原子、卤素原子之任一种；又，RA1与RA2、或是RA3与RA4可彼此键结形成环)。

43. 发明专利

TWI460555B 導電性高分子之圖型形成方法有权
简体标题：导电性高分子之图型形成方法
公开(公告)号：TWI460555B
公开(公告)日：2014-11-11
申请号：TW098125390
申请日：2009-07-28
申请人：東亞合成股份有限公司 , TOAGOSEI CO., LTD. , 鶴見曹達股份有限公司 , TSURUMI SODA CO., LTD.
发明人：田口裕務 , TAGUCHI, HIROMU
IPC分类号： G03F7/32 , G03F7/023 , G03F7/039 , H01B13/00
CPC分类号： G03F7/322 , G03F7/0233 , G03F7/093 , H05K1/09 , H05K3/064 , H05K2201/0329 , Y10T428/24802

44. 发明专利

TW201335115A 防靜電膜形成組成物及低聚物化合物审中-公开
简体标题：防静电膜形成组成物及低聚物化合物
公开(公告)号：TW201335115A
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW101143752
申请日：2012-11-22
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：西田登喜雄 , NISHITA, TOKIO , 水落龍太 , MIZUOCHI, RYUTA , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 山田智久 , YAMADA, TOMOHISA , 中家直樹 , NAKAIE, NAOKI , 高山祐樹 , TAKAYAMA, YUKI
IPC分类号： C07C211/54 , G03F7/11
CPC分类号： C07C211/54 , C08G73/0266 , C08L79/02 , C09D179/02 , G03F1/00 , G03F7/093 , G03F7/11 , H01B1/128
摘要：本發明之課題係提供一種對抗蝕表面之塗佈性優異、可防止抗蝕膜帶電之用以形成防靜電膜的組成物。解決課題的手段係提供一種含有下述式(1A)所示之低聚物化合物及水之防靜電膜形成組成物： (式中，R1表示氫原子或下述式(2)所示之基，R2及R3各自獨立表示氫原子或下述式(3)或式(4)所示之基，複數之R當中至少一個表示磺基，a及b表示滿足2≦(a+b)≦6之正整數，複數之x各自獨立表示0至4之整數) (式中，n表示滿足1≦n＜(a+b+4)之整數，a、b、R及x與前述式(1A)同義，複數之y各自獨立表示0至5之整數)。
简体摘要：本发明之课题系提供一种对抗蚀表面之涂布性优异、可防止抗蚀膜带电之用以形成防静电膜的组成物。解决课题的手段系提供一种含有下述式(1A)所示之低聚物化合物及水之防静电膜形成组成物： (式中，R1表示氢原子或下述式(2)所示之基，R2及R3各自独立表示氢原子或下述式(3)或式(4)所示之基，复数之R当中至少一个表示磺基，a及b表示满足2≦(a+b)≦6之正整数，复数之x各自独立表示0至4之整数) (式中，n表示满足1≦n＜(a+b+4)之整数，a、b、R及x与前述式(1A)同义，复数之y各自独立表示0至5之整数)。

45. 发明专利

TWI345681B 防帶電劑，防帶電膜及被覆防帶電膜物件 ANTISTATIC AGENT, ANTISTATIC FILM AND ARTICLES COATED WITH ANTISTATIC FILM 有权
简体标题：防带电剂，防带电膜及被覆防带电膜对象 ANTISTATIC AGENT, ANTISTATIC FILM AND ARTICLES COATED WITH ANTISTATIC FILM
公开(公告)号：TWI345681B
公开(公告)日：2011-07-21
申请号：TW096100687
申请日：2007-01-08
申请人：昭和電工股份有限公司
发明人：西岡綾子 , 大久保隆
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： C09K3/16 , C08L65/00 , C09D5/24 , G03F7/093 , C08L2666/04 , C08L2666/22 , C08L2666/26
摘要：本發明的目的是提供在化學放大型光阻中對於防止霧化及膜減薄現象表現優異的防帶電劑、使用了該防帶電劑的防帶電膜及被覆物件。本發明關於含有水溶性導電性高分子、溶劑及水溶性高分子的防帶電劑。藉由將特定的水溶性高分子，特別是具有多肽鍵的水溶性高分子化合物或具有聚乙烯結構的特定水溶性高分子與水溶性導電性高分子併用，即使使用可便宜而簡單地賦予對光阻的塗佈性的界面活性劑，也能在保持塗佈性的同時，抑制對光阻產生的影響(光阻溶解或光阻顯影後形成的光阻霧化和膜減薄現象)。藉由含有界面活性劑來提高塗佈性的防帶電劑，對於化學放大型光阻和非化學放大型光阻均有抑制混合的效果。
简体摘要：本发明的目的是提供在化学放大型光阻中对于防止雾化及膜减薄现象表现优异的防带电剂、使用了该防带电剂的防带电膜及被覆对象。本发明关于含有水溶性导电性高分子、溶剂及水溶性高分子的防带电剂。借由将特定的水溶性高分子，特别是具有多肽键的水溶性高分子化合物或具有聚乙烯结构的特定水溶性高分子与水溶性导电性高分子并用，即使使用可便宜而简单地赋予对光阻的涂布性的界面活性剂，也能在保持涂布性的同时，抑制对光阻产生的影响(光阻溶解或光阻显影后形成的光阻雾化和膜减薄现象)。借由含有界面活性剂来提高涂布性的防带电剂，对于化学放大型光阻和非化学放大型光阻均有抑制混合的效果。

46. 发明专利

TW201033761A 具有圖案化的導電性高分子膜之基板之製法及具有圖案化的導電性高分子膜之基板 MANUFACTURING METHOD OF SUBSTRATES HAVING PATTERNED FILM OBJECT OF CONDUCTIVE POLYMER AND SUBSTRATES HAVING PATTERNED FILM OBJECT OF CONDUCTIVE POLYMER 失效
简体标题：具有图案化的导电性高分子膜之基板之制法及具有图案化的导电性高分子膜之基板 MANUFACTURING METHOD OF SUBSTRATES HAVING PATTERNED FILM OBJECT OF CONDUCTIVE POLYMER AND SUBSTRATES HAVING PATTERNED FILM OBJECT OF CONDUCTIVE POLYMER
公开(公告)号：TW201033761A
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：TW098138918
申请日：2009-11-17
申请人：東亞合成股份有限公司 , 鶴見曹達股份有限公司
发明人：井原孝
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： H05K3/06 , G03F7/093 , G03F7/40 , G03F7/422 , H05K1/09 , H05K2201/0329
摘要：本發明係提供具有經圖案化的導電性高分子膜之基板的製造方法，及藉由該製造方法所得之基板，該製造方法係剝離性優異，且自導電性高分子膜剝離光組膜時，可抑制導電性高分子膜端部的變色。本發明之具有經圖案化的導電性高分子膜之基板的製造方法，其特徵在於依序包含：於基板上依序具有導電性高分子膜及經圖案化的光阻膜之基板的形成步驟、根據光阻膜之圖案來蝕刻導電性高分子膜的步驟、及藉由剝離液剝離導電性高分子膜上的光阻膜的步驟；其中該剝離液係含有有機溶劑(A)及有機溶劑(B)；該有機溶劑(A)係選自於下列所構成的群組：N-烷基吡咯啶酮、羧酸醯胺化合物、二烷基亞碸、及醚化合物；該有機溶劑(B)係選自於下列所構成的群組：烷內酯、碳酸伸烷基酯、及多元醇；該有機溶劑(A)之含量為剝離液的5重量%以上、40重量%以下，且該有機溶劑(B)之含量為剝離液的60重量%以上、95重量%以下。
简体摘要：本发明系提供具有经图案化的导电性高分子膜之基板的制造方法，及借由该制造方法所得之基板，该制造方法系剥离性优异，且自导电性高分子膜剥离光组膜时，可抑制导电性高分子膜端部的变色。本发明之具有经图案化的导电性高分子膜之基板的制造方法，其特征在于依序包含：于基板上依序具有导电性高分子膜及经图案化的光阻膜之基板的形成步骤、根据光阻膜之图案来蚀刻导电性高分子膜的步骤、及借由剥离液剥离导电性高分子膜上的光阻膜的步骤；其中该剥离液系含有有机溶剂(A)及有机溶剂(B)；该有机溶剂(A)系选自于下列所构成的群组：N-烷基吡咯啶酮、羧酸酰胺化合物、二烷基亚砜、及醚化合物；该有机溶剂(B)系选自于下列所构成的群组：烷内酯、碳酸伸烷基酯、及多元醇；该有机溶剂(A)之含量为剥离液的5重量%以上、40重量%以下，且该有机溶剂(B)之含量为剥离液的60重量%以上、95重量%以下。

47. 发明专利

TW201031684A 可減少產生釋放氣體之形成光阻下層膜組成物 RESIST UNDERLAYER COATING FORMING COMPOSITION WITH REDUCED OUTGASSING 审中-公开
简体标题：可减少产生释放气体之形成光阻下层膜组成物 RESIST UNDERLAYER COATING FORMING COMPOSITION WITH REDUCED OUTGASSING
公开(公告)号：TW201031684A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：TW098140608
申请日：2009-11-27
申请人：日產化學工業股份有限公司
发明人：坂本力丸 , 何邦慶 , 遠藤貴文
IPC分类号： C08G , G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/091 , G03F7/093
摘要：本發明提供一種在半導體裝置製造之微影蝕刻中,塗佈於半導體基板上之藉高能量線光阻層曝光時用以抗反射、抗靜電、顯像缺陷、抑制氣體釋出發生之高能量線光阻下層膜。一種包含芳香族環構造或雜環構造作為膜構成成份之高能量線光阻下層膜形成組成物。於膜中以5~85質量%之比例含有芳香族環構造或雜環構造作為膜構成成份。包含具有芳香族環構造或雜環構造之化合物。化合物為包含重複單位之聚合物或聚合物前驅物化合物。芳香族環為苯環或縮合苯環。雜環為三三酮環。
简体摘要：本发明提供一种在半导体设备制造之微影蚀刻中,涂布于半导体基板上之藉高能量线光阻层曝光时用以抗反射、抗静电、显像缺陷、抑制气体发佈发生之高能量线光阻下层膜。一种包含芳香族环构造或杂环构造作为膜构成成份之高能量线光阻下层膜形成组成物。于膜中以5~85质量%之比例含有芳香族环构造或杂环构造作为膜构成成份。包含具有芳香族环构造或杂环构造之化合物。化合物为包含重复单位之聚合物或聚合物前驱物化合物。芳香族环为苯环或缩合苯环。杂环为三三酮环。

48. 发明专利

TWI294562B 使用電場强化光阻性能 ENHANCING PHOTORESIST PERFORMANCE USING ELECTRIC FIELDS 有权
简体标题：使用电场强化光阻性能 ENHANCING PHOTORESIST PERFORMANCE USING ELECTRIC FIELDS
公开(公告)号：TWI294562B
公开(公告)日：2008-03-11
申请号：TW093130021
申请日：2004-10-04
申请人：英特爾股份有限公司 INTEL CORPORATION
发明人：羅伯特布里斯托 BRISTOL, ROBERT , 曹海蒂 CAO, HEIDI , 曼尼許錢霍克 CHANDHOK, MANISH , 羅伯特麥格利 MEAGLEY, ROBERT , 維傑亞庫瑪瑞瑪錢德洛 RAMACHANDRARAO, VIJAYAKUMAR
IPC分类号： G03F
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G03F7/093 , G03F7/11 , G03F7/168 , G03F7/2002 , G03F7/3007 , G03F7/38
摘要：在微影製程的各個步驟中可以相當有利用使用電場。例如，在預曝光烘烤之前，已被旋塗在晶圓上之光阻可被曝露至一電場，以定位在該未經曝光之光阻中的聚集體或其他成份。藉由將這些聚集體或其他成份對準於電場，便可以降低線邊緣粗糙度，例如針對193奈米光阻。同樣地，在曝光期間，電場可被供應通過獨特定位之電極或使用一射頻線圈。此外，在微影製程中的任何時間點可藉由沉積一導電性電極來施加該電場，其中該電極隨後在顯影期間會被移除。最後，在顯影製程期間可施加電場以改善線邊緣粗糙度。
简体摘要：在微影制程的各个步骤中可以相当有利用使用电场。例如，在预曝光烘烤之前，已被旋涂在晶圆上之光阻可被曝露至一电场，以定位在该未经曝光之光阻中的聚集体或其他成份。借由将这些聚集体或其他成份对准于电场，便可以降低线边缘粗糙度，例如针对193奈米光阻。同样地，在曝光期间，电场可被供应通过独特定位之电极或使用一射频线圈。此外，在微影制程中的任何时间点可借由沉积一导电性电极来施加该电场，其中该电极随后在显影期间会被移除。最后，在显影制程期间可施加电场以改善线边缘粗糙度。

49. 发明专利

TWI270929B 用於深紫外線(DUV)直接刻寫雷射罩幕製造之光阻頂塗層 PHOTORESIST TOPCOAT FOR DEEP ULTRAVIOLET (DUV) DIRECT WRITE LASER MASK FABRICATION 失效
简体标题：用于深紫外线(DUV)直接刻写激光罩幕制造之光阻顶涂层 PHOTORESIST TOPCOAT FOR DEEP ULTRAVIOLET (DUV) DIRECT WRITE LASER MASK FABRICATION
公开(公告)号：TWI270929B
公开(公告)日：2007-01-11
申请号：TW091115250
申请日：2002-07-09
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：梅爾文華倫蒙哥馬利 MELVIN WARREN MONTGOMERY , 傑夫瑞A. 艾貝多 JEFFREY A. ALBELO , 譚丞弘佐羅 ZOILO CHENG HO TAN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G03F7/11 , G03F1/48 , G03F7/0045 , G03F7/091 , G03F7/092 , G03F7/093
摘要：本發明提出者為一種加於一未經大量污染之光阻層上的鍍層，該光阻層可為化學放大式光阻(CAR)等。該鍍層得使製程控制得以穩定，並能在曝光進行前一段時間時對晶圓或空白罩幕上之化學放大式光阻即加以覆鍍。
简体摘要：本发明提出者为一种加于一未经大量污染之光阻层上的镀层，该光阻层可为化学放大式光阻(CAR)等。该镀层得使制程控制得以稳定，并能在曝光进行前一段时间时对晶圆或空白罩幕上之化学放大式光阻即加以覆镀。

50. 发明专利

TWI265381B 用於極紫外光微影之塗佈基板的方法及具光阻層之基板 METHOD FOR COATING A SUBSTRATE FOR EUV LITHOGRAPHY AND SUBSTRATE WITH PHOTORESIST LAYER 失效
简体标题：用于极紫外光微影之涂布基板的方法及具光阻层之基板 METHOD FOR COATING A SUBSTRATE FOR EUV LITHOGRAPHY AND SUBSTRATE WITH PHOTORESIST LAYER
公开(公告)号：TWI265381B
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：TW093114271
申请日：2004-05-20
申请人： ASML荷蘭公司 ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：孔范英根斯奇紐 VAN INGEN SCHENAU, KOEN , 馬歇爾瑪堤斯塞多爾瑪里戴雷奇 DIERICHS, MARCEL MATHIJS THEODORE MARIE
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/11 , G03F1/22 , G03F7/093 , Y10T428/31504
摘要：本發明係關於一種用於極紫外光(EUV)微影之塗佈基板的方法，其包括將一光阻層塗佈於該基板上。本發明進一步係關於一種使用微影投影裝置之設備製造方法，其中該方法包括：
-提供一基板，藉由將光阻層塗佈於基板上而使該基板至少部分地由該光阻層覆蓋；
-使用一輻射系統來提供一輻射之投影光束；
-使用圖案化構件以在投影光束之橫截面中賦予其一圖案；及
-將該已圖案化之輻射光束投影至光阻層之一目標部分上。
本發明亦係關於一種具有光阻層之基板。
简体摘要：本发明系关于一种用于极紫外光(EUV)微影之涂布基板的方法，其包括将一光阻层涂布于该基板上。本发明进一步系关于一种使用微影投影设备之设备制造方法，其中该方法包括： -提供一基板，借由将光阻层涂布于基板上而使该基板至少部分地由该光阻层覆盖； -使用一辐射系统来提供一辐射之投影光束； -使用图案化构件以在投影光束之横截面中赋予其一图案；及 -将该已图案化之辐射光束投影至光阻层之一目标部分上。本发明亦系关于一种具有光阻层之基板。

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