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32. 发明专利

TWI468539B 用於支撐可旋轉靶材的裝置及濺射設備有权
简体标题：用于支撑可旋转靶材的设备及溅射设备
公开(公告)号：TWI468539B
公开(公告)日：2015-01-11
申请号：TW101101273
申请日：2012-01-12
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：斯可那潘布格法蘭克 , SCHNAPPENBERGER, FRANK , 慕特勒卓耿 , MULTERER, JURGEN
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3405 , H01J37/3435 , H01J37/3441

33. 发明专利

TWI428960B 薄膜形成裝置，薄膜形成方法及遮蔽組件有权
简体标题：薄膜形成设备，薄膜形成方法及屏蔽组件
公开(公告)号：TWI428960B
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW099145222
申请日：2010-12-22
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：江上明宏 , EGAMI, AKIHIRO , 中澤俊和 , NAKAZAWA, TOSHIKAZU , 鈴木勝大 , SUZUKI, KATSUHIRO , 長谷川晉也 , HASEGAWA, SHINYA
IPC分类号： H01L21/203
CPC分类号： C23C14/564 , C23C14/0036 , C23C14/34 , C23C16/4401 , C23C16/45591 , C23C16/4585 , H01J37/32477 , H01J37/32651 , H01J37/3405 , H01J37/3411 , H01J37/3441 , H01J2237/026 , H01J2237/0268

34. 发明专利

TW201348489A 沉積室的邊緣環审中-公开
简体标题：沉积室的边缘环
公开(公告)号：TW201348489A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102111924
申请日：2013-04-02
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：戈埃爾艾希思 , GOEL, ASHISH , 沙布藍尼安納薩 , SUBRAMANI, ANANTHA
IPC分类号： C23C14/56
CPC分类号： C23C16/4585 , C23C14/50 , C23C14/541 , C23C14/564 , H01J37/3408 , H01J37/3441 , H01L21/67115 , H01L21/68735
摘要：揭示者為於單一腔室中，用於基板的材料與熱處理的設備和方法。在一個實施例中，設置有邊緣環。該邊緣環包括環形主體，該環形主體具有內周邊邊緣、第一表面與相對於該第一表面的第二表面；第一突起構件，該第一突起構件實質正交地自該第二表面延伸出；第二突起構件；該第二突起構件自鄰近該第一突起構件的該第二表面延伸出，並由第一凹陷與該第一突起構件分離；及第三突起構件；該第三突起構件自鄰近該第二突起構件的第二表面延伸出，並由第二凹陷分離，該第二凹陷包含傾斜表面，該傾斜表面具有反射率值，該反射率值不同於該第一表面的反射率值。
简体摘要：揭示者为於单一腔室中，用于基板的材料与热处理的设备和方法。在一个实施例中，设置有边缘环。该边缘环包括环形主体，该环形主体具有内周边边缘、第一表面与相对于该第一表面的第二表面；第一突起构件，该第一突起构件实质正交地自该第二表面延伸出；第二突起构件；该第二突起构件自邻近该第一突起构件的该第二表面延伸出，并由第一凹陷与该第一突起构件分离；及第三突起构件；该第三突起构件自邻近该第二突起构件的第二表面延伸出，并由第二凹陷分离，该第二凹陷包含倾斜表面，该倾斜表面具有反射率值，该反射率值不同于该第一表面的反射率值。

35. 发明专利

TWI410511B 磁控管濺鍍裝置有权
简体标题：磁控管溅镀设备
公开(公告)号：TWI410511B
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW097109227
申请日：2008-03-14
申请人：國立大學法人東北大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOHOKU UNIVERSITY , 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 後藤哲也 , GOTO, TETSUYA , 松岡孝明 , MATSUOKA, TAKAAKI
IPC分类号： C23C14/35 , H01L21/67
CPC分类号： H01J37/3455 , C23C14/35 , H01J37/32495 , H01J37/3405 , H01J37/3408 , H01J37/3441 , H01J37/345 , H01J37/3452

36. 发明专利

TW201145358A 薄膜形成裝置，薄膜形成方法及遮蔽組件 THIN FILM FORMING APPARATUS, THIN FILM FORMING METHOD, AND SHIELD COMPONENT 审中-公开
简体标题：薄膜形成设备，薄膜形成方法及屏蔽组件 THIN FILM FORMING APPARATUS, THIN FILM FORMING METHOD, AND SHIELD COMPONENT
公开(公告)号：TW201145358A
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：TW099145222
申请日：2010-12-22
申请人：佳能安內華股份有限公司
发明人：江上明宏 , 中澤俊和 , 鈴木勝大 , 長谷川晉也
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C14/564 , C23C14/0036 , C23C14/34 , C23C16/4401 , C23C16/45591 , C23C16/4585 , H01J37/32477 , H01J37/32651 , H01J37/3405 , H01J37/3411 , H01J37/3441 , H01J2237/026 , H01J2237/0268
摘要：本發明的發明人實施測試且發現到,為了防止附著膜的剝離,曲率半徑設定等於或大於預定臨界値並沒有實質的重要性。本發明的發明人亦發現到,附著膜的剝離發生於曲率半徑改變之區域且在遮蔽的曲率變化小時較不可能發生。因此,問題的關鍵係遮蔽之曲率變化的大小,因而逐步改變曲率使其可能抑制大的曲率變化,且因此防止附著膜的剝離而免於諸如膜厚度分佈的劣化之任何缺點,其可能由於遮蔽尺寸的增大而發生。
简体摘要：本发明的发明人实施测试且发现到,为了防止附着膜的剥离,曲率半径设置等于或大于预定临界値并没有实质的重要性。本发明的发明人亦发现到,附着膜的剥离发生于曲率半径改变之区域且在屏蔽的曲率变化小时较不可能发生。因此,问题的关键系屏蔽之曲率变化的大小,因而逐步改变曲率使其可能抑制大的曲率变化,且因此防止附着膜的剥离而免于诸如膜厚度分布的劣化之任何缺点,其可能由于屏蔽尺寸的增大而发生。

37. 发明专利

TW505987B 在基材上沉積含鉭層之方法及設備有权
简体标题：在基材上沉积含钽层之方法及设备
公开(公告)号：TW505987B
公开(公告)日：2002-10-11
申请号：TW090118695
申请日：2001-08-21
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：麥克A 米勒 , 姜品成 , 丁培軍 , 傅建明 , 湯宏海
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76843 , C23C14/0641 , C23C14/35 , C30B25/02 , C30B29/38 , H01J37/3408 , H01J37/3441 , H01L21/28568
摘要：一種在一基材上形成一含鉭層之方法。該含鉭層的形成係由物理氣相沉積法為之，其中一磁場與一電場產生其中，用以將含鉭靶材濺擊出之物質侷限於一沉積室之一反應區內。該電場的產生係以提供一至少8仟瓦特之電源至該含鉭靶材而得；該磁場係由一磁控管產生之，該磁控管包含一第一磁極及一第二磁極，其中該第一磁極具有一第一磁極性，而該第二磁極具有一第二磁極性，該兩磁極性相反，且該第一磁極為該第二磁極所圍繞。該第一磁極的磁通量以至少大於該第二磁極者之30%為佳。該含鉭層沉積方法的進行得與積體電路製造過程相容。在一積體電路製造過程中，一內連接結構形成於其中。
简体摘要：一种在一基材上形成一含钽层之方法。该含钽层的形成系由物理气相沉积法为之，其中一磁场与一电场产生其中，用以将含钽靶材溅击出之物质局限于一沉积室之一反应区内。该电场的产生系以提供一至少8仟瓦特之电源至该含钽靶材而得；该磁场系由一磁控管产生之，该磁控管包含一第一磁极及一第二磁极，其中该第一磁极具有一第一磁极性，而该第二磁极具有一第二磁极性，该两磁极性相反，且该第一磁极为该第二磁极所围绕。该第一磁极的磁通量以至少大于该第二磁极者之30%为佳。该含钽层沉积方法的进行得与集成电路制造过程兼容。在一集成电路制造过程中，一内连接结构形成于其中。

38. 发明专利

TW408358B 改良式電感耦合電漿源失效
简体标题：改良式电感耦合等离子源
公开(公告)号：TW408358B
公开(公告)日：2000-10-11
申请号：TW086114654
申请日：1997-10-07
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：游恭達 , 賴夫.霍夫曼 , 阿維.泰普曼 , 浦拉勃蘭.哥帕爾拉傑
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/321 , H01J37/34 , H01J37/3441 , H01J2237/3327
摘要：在一半導體製作系統中之一電漿室消除對磁控管濺射之需求。其已發現高密度電漿可產生足夠的離子化，以在一工作件上提供目標材料之高沉積率，且因而消除對磁控管磁場與伴隨之磁控管磁鐵的需求。藉由消除該磁控管下，一工作件上之目標材料之沉積均勻度亦可被改進。此外，槽溝狀構造之側壁與接觸孔之類的覆蓋亦可被增加。而且，在一工作件上目標材料之沉積率可與使用磁控管濺射所能獲得者相同或更好。
简体摘要：在一半导体制作系统中之一等离子室消除对磁控管溅射之需求。其已发现高密度等离子可产生足够的离子化，以在一工作件上提供目标材料之高沉积率，且因而消除对磁控管磁场与伴随之磁控管磁铁的需求。借由消除该磁控管下，一工作件上之目标材料之沉积均匀度亦可被改进。此外，槽沟状构造之侧壁与接触孔之类的覆盖亦可被增加。而且，在一工作件上目标材料之沉积率可与使用磁控管溅射所能获得者相同或更好。

39. 发明专利

TW360717B 用於物理氣相沉積系統之改良靶及暗區保護屏失效
简体标题：用于物理气相沉积系统之改良靶及暗区保护屏
公开(公告)号：TW360717B
公开(公告)日：1999-06-11
申请号：TW085105564
申请日：1996-05-10
申请人：應用材料股份有限公司
发明人： R.史帝文西 , 西安.楊 , 佛南德.達利斯 , 克力斯托佛.哈格提 , 哈佛.唐 , 馬克.羅德 , 詹姆斯V.高佛
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01J37/3441 , C23C14/3407 , H01J37/3408 , H01J37/3423 , H01J37/3447
摘要：與早期技藝相關聯之前文所述缺點已由用於物理氣相沈積系統之本發明之一種改良式靶所克服。此改良式靶有一部分之靶邊壁懸出於靶之邊壁之外並隱覆此邊壁，因此而防止物質之沈積於邊緣上。要進一步地減少污染之發生，此改良式靶係與一暗區保護屏之有一第一終端和一第二終端者組合，其中此第二終端傳統地支承一視準儀，以及第一終端有一大體上係直立之內表面。
简体摘要：与早期技艺相关联之前文所述缺点已由用于物理气相沉积系统之本发明之一种改良式靶所克服。此改良式靶有一部分之靶边壁悬出于靶之边壁之外并隐覆此边壁，因此而防止物质之沉积于边缘上。要进一步地减少污染之发生，此改良式靶系与一暗区保护屏之有一第一终端和一第二终端者组合，其中此第二终端传统地支承一视准仪，以及第一终端有一大体上系直立之内表面。

40. 发明专利

TW357387B 用於產生噴濺用電漿之有源屏蔽體失效
简体标题：用于产生喷溅用等离子之有源屏蔽体
公开(公告)号：TW357387B
公开(公告)日：1999-05-01
申请号：TW086114655
申请日：1997-10-07
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：梅尼.蘇布拉麥尼 , 塞吉歐.艾得斯登
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/321 , H01J37/3408 , H01J37/3411 , H01J37/3441 , H01J2237/3327
摘要：一種在一半導體製造系統中之電漿室之線圈與屏蔽體的組合，該線圈屏蔽體具有多數圈以便將能量有效地結合成一電漿並且也防止沈積材料到達位在該第一屏蔽體後方的一第二屏蔽體。
简体摘要：一种在一半导体制造系统中之等离子室之线圈与屏蔽体的组合，该线圈屏蔽体具有多数圈以便将能量有效地结合成一等离子并且也防止沉积材料到达位在该第一屏蔽体后方的一第二屏蔽体。

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