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1. 发明专利

TW402778B 利用離子化金屬黏著層以鋁填充孔洞失效
简体标题：利用离子化金属黏着层以铝填充孔洞
公开(公告)号：TW402778B
公开(公告)日：2000-08-21
申请号：TW086108852
申请日：1997-06-25
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：彼德.莎蒂奔威恰 , 游恭達 , 肯尼K.T.南 , 徐日珩
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76846 , H01L21/28518 , H01L21/76877 , H01L23/485 , H01L23/5226 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種用於積體電路之填充孔洞的方法，該積體電路中有一介於以窄孔連接之兩線路層間的孔洞，特別地其中較下層者為矽。首先，以物理蒸氣沉積(PVD)填充一阻障三層入孔洞中。該阻障三層包括在高密度電漿之條件下長成之順序地Ti、TiN及遞級的TiNvx各層。之後，在高密度電漿之條件下以PVD沉積鋁層。接著以標準PVD技術沉積填充鋁層。
简体摘要：一种用于集成电路之填充孔洞的方法，该集成电路中有一介于以窄孔连接之两线路层间的孔洞，特别地其中较下层者为硅。首先，以物理蒸气沉积(PVD)填充一阻障三层入孔洞中。该阻障三层包括在高密度等离子之条件下长成之顺序地Ti、TiN及递级的TiNvx各层。之后，在高密度等离子之条件下以PVD沉积铝层。接着以标准PVD技术沉积填充铝层。

2. 发明专利

TW408358B 改良式電感耦合電漿源失效
简体标题：改良式电感耦合等离子源
公开(公告)号：TW408358B
公开(公告)日：2000-10-11
申请号：TW086114654
申请日：1997-10-07
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：游恭達 , 賴夫.霍夫曼 , 阿維.泰普曼 , 浦拉勃蘭.哥帕爾拉傑
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/321 , H01J37/34 , H01J37/3441 , H01J2237/3327
摘要：在一半導體製作系統中之一電漿室消除對磁控管濺射之需求。其已發現高密度電漿可產生足夠的離子化，以在一工作件上提供目標材料之高沉積率，且因而消除對磁控管磁場與伴隨之磁控管磁鐵的需求。藉由消除該磁控管下，一工作件上之目標材料之沉積均勻度亦可被改進。此外，槽溝狀構造之側壁與接觸孔之類的覆蓋亦可被增加。而且，在一工作件上目標材料之沉積率可與使用磁控管濺射所能獲得者相同或更好。
简体摘要：在一半导体制作系统中之一等离子室消除对磁控管溅射之需求。其已发现高密度等离子可产生足够的离子化，以在一工作件上提供目标材料之高沉积率，且因而消除对磁控管磁场与伴随之磁控管磁铁的需求。借由消除该磁控管下，一工作件上之目标材料之沉积均匀度亦可被改进。此外，槽沟状构造之侧壁与接触孔之类的覆盖亦可被增加。而且，在一工作件上目标材料之沉积率可与使用磁控管溅射所能获得者相同或更好。

3. 发明专利

TW335504B 提供全表面高密度電漿沉積之方法失效
简体标题：提供全表面高密度等离子沉积之方法
公开(公告)号：TW335504B
公开(公告)日：1998-07-01
申请号：TW086108262
申请日：1997-06-14
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：肯尼K.T.南 , 游恭達 , 賽門.胡
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32082 , C23C14/0641 , C23C14/185 , C23C14/32 , C23C14/35 , C23C14/358 , H01J37/3402
摘要：一物質沈積系統係使沈積物質在電漿中離子化並使該離子化的沈積物質加速至一沈積基板上，不需要外加偏壓至該基板。而且，也不需要供應氣體回流至該沈積基板的背面以控制該基板的溫度。在所示出的實施例中，該基板是支撐在一沒有嵌住或夾住該基板的前沈積面上的支座上。因此，該基板的前表面沒有一部份是被夾住機構所覆蓋，使得該基板的前面所有表面可以被沈積物質所沈積。再者，該離子化的沈積物質之結晶學上的性質可以藉由使該基板自生偏壓而予以改善。
简体摘要：一物质沉积系统系使沉积物质在等离子中离子化并使该离子化的沉积物质加速至一沉积基板上，不需要外加偏压至该基板。而且，也不需要供应气体回流至该沉积基板的背面以控制该基板的温度。在所示出的实施例中，该基板是支撑在一没有嵌住或夹住该基板的前沉积面上的支座上。因此，该基板的前表面没有一部份是被夹住机构所覆盖，使得该基板的前面所有表面可以被沉积物质所沉积。再者，该离子化的沉积物质之结晶学上的性质可以借由使该基板自生偏压而予以改善。

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