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31. 发明专利

TW200404740A SI製造方法 SI PRODUCTION PROCESS 失效
简体标题： SI制造方法 SI PRODUCTION PROCESS
公开(公告)号：TW200404740A
公开(公告)日：2004-04-01
申请号：TW092120083
申请日：2003-07-23
申请人：新日本製鐵股份有限公司 NIPPON STEEL CORPORATION
发明人：近藤次郎 JIRO KONDO , 岡島正樹 MASAKI OKAJIMA , 德丸慎司 SHINJI TOKUMARU , 堂野前等 HITOSHI DOHNOMAE
IPC分类号： C01B , C30B
CPC分类号： C01B33/021
摘要：本發明之目標在於可廉價且效率佳地由Si製造步驟等當中產生之無工業價值之各種形態之SiO固體製造Si。因此，本發明係提供一種Si製造方法，係於SiO固體，添加總量莫耳數為SiO固體莫耳數之1／20以上1000倍以下之量之鹼金屬元素之氧化物、氫氧化物、碳酸化物、氟化物其中任一者，或鹼土類金屬元素之氧化物、氫氧化物、碳酸化物、氟化物其中任一者，或2種以上之該等化合物，且將該混合物加熱至Si之熔點以上2000℃以下，使之進行化學反應以生成Si，並自反應副生成物分離回收該Si。
简体摘要：本发明之目标在于可廉价且效率佳地由Si制造步骤等当中产生之无工业价值之各种形态之SiO固体制造Si。因此，本发明系提供一种Si制造方法，系于SiO固体，添加总量莫耳数为SiO固体莫耳数之1／20以上1000倍以下之量之碱金属元素之氧化物、氢氧化物、碳酸化物、氟化物其中任一者，或碱土类金属元素之氧化物、氢氧化物、碳酸化物、氟化物其中任一者，或2种以上之该等化合物，且将该混合物加热至Si之熔点以上2000℃以下，使之进行化学反应以生成Si，并自反应副生成物分离回收该Si。

32. 发明专利

TW335539B 多結晶矽之製造方法及裝置、以及太陽電池用矽基板之製造方法失效
简体标题：多结晶硅之制造方法及设备、以及太阳电池用硅基板之制造方法
公开(公告)号：TW335539B
公开(公告)日：1998-07-01
申请号：TW085113055
申请日：1996-10-24
申请人：川崎製鐵股份有限公司
发明人：中村尚道 , 加藤嘉英 , 阪口泰彥 , 花澤和浩 , 荒谷復夫 , 馬場裕幸 , 湯下憲吉
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C30B29/06 , C01B33/021 , C30B11/00 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要：本發明之目的係提供一種以一連貫之連續工程的流程作業，廉價且大量地從基本原料之矽金屬或氧化矽元素生產成多結晶矽以及使用多結晶矽之基板之製品之製造方法以及裝置。用以達成此一目的的手段係使用「Ａ. 在於減壓下精煉矽金屬後，進而執行用以從熔漿中除去不純成分之凝固而得到鑄塊、Ｂ. 切斷以除去上述鑄塊的不純物濃化部、Ｃ. 再熔解殘留部分後. 在於氧化性氣相環境下從熔漿中氧化去除硼以及碳後，接著吹入氬與氫氣之混合氣體予以脫氧、Ｄ. 將上述脫氧後之熔漿注入鑄模後，進行單一方向凝固以得到鑄塊、Ｅ. 切斷去除利用單一方向凝固所得到之鑄塊的不純物濃化部」之各工程，藉以從金屬矽中製造出多結晶矽及太陽電池用矽基板。
简体摘要：本发明之目的系提供一种以一连贯之连续工程的流程作业，廉价且大量地从基本原料之硅金属或氧化硅元素生产成多结晶硅以及使用多结晶硅之基板之制品之制造方法以及设备。用以达成此一目的的手段系使用“Ａ. 在于减压下精炼硅金属后，进而运行用以从熔浆中除去不纯成分之凝固而得到铸块、Ｂ. 切断以除去上述铸块的不纯物浓化部、Ｃ. 再熔解残留部分后. 在于氧化性气相环境下从熔浆中氧化去除硼以及碳后，接着吹入氩与氢气之混合气体予以脱氧、Ｄ. 将上述脱氧后之熔浆注入铸模后，进行单一方向凝固以得到铸块、Ｅ. 切断去除利用单一方向凝固所得到之铸块的不纯物浓化部”之各工程，借以从金属硅中制造出多结晶硅及太阳电池用硅基板。

33. 发明专利

TWI566910B 多晶矽碎塊及用於破碎多晶矽棒的方法有权
简体标题：多晶硅碎块及用于破碎多晶硅棒的方法
公开(公告)号：TWI566910B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW103128612
申请日：2014-08-20
申请人：瓦克化學公司 , WACKER CHEMIE AG
发明人：派屈雷納 , PECH, REINER , 格魯伯彼得
IPC分类号： B28D5/00
CPC分类号： C30B35/007 , B02C1/10 , B02C2/005 , B02C4/305 , B02C13/28 , B02C17/20 , B02C2210/02 , C01B33/02 , C01B33/021 , C30B15/00 , C30B29/06

34. 发明专利

TWI557071B 生產多晶矽的方法有权
简体标题：生产多晶硅的方法
公开(公告)号：TWI557071B
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：TW104106597
申请日：2015-03-03
申请人：瓦克化學公司 , WACKER CHEMIE AG
发明人：維茲麥提亞斯 , VIETZ, MATTHIAS
IPC分类号： C01B33/02 , B02C23/08 , B65B1/04 , B65D5/56 , B65D25/14 , B65B25/00 , B65B43/26
CPC分类号： C01B33/021 , B65B1/00 , B65B1/04 , B65B63/00 , B65D5/563 , C01B33/035

35. 发明专利

TWI550941B 非水電解質二次電池用負極活性物質及其製造方法有权
简体标题：非水电解质二次电池用负极活性物质及其制造方法
公开(公告)号：TWI550941B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：TW101140543
申请日：2012-11-01
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：中西鐵雄 , NAKANISHI, TETSUO , 山田佳益 , YAMADA, YOSHIYASU , 谷口一行 , TANIGUCHI, KAZUYUKI
IPC分类号： H01M4/38 , H01M4/134 , H01M10/0525 , C23C14/30 , C23C14/58
CPC分类号： H01M4/386 , B82Y30/00 , C01B33/021 , C01P2002/72 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , H01M4/0421 , H01M4/134 , H01M4/622 , H01M10/0525 , Y02E60/122 , Y02P70/54

36. 发明专利

TW201633586A 用於鋰離子電池陽極的方法與材料审中-公开
简体标题：用于锂离子电池阳极的方法与材料
公开(公告)号：TW201633586A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104139249
申请日：2015-11-25
申请人：康寧公司 , CORNING INCORPORATED
发明人：畢罕法蘭西斯馬汀 , BEHAN, FRANCIS MARTIN , 杜塔尹朵拉吉特 , DUTTA, INDRAJIT , 歐莫利尙恩麥克 , O'MALLEY, SHAWN MICHAEL , 施耐德維特馬利諾 , SCHNEIDER, VITOR MARINO
IPC分类号： H01M4/134 , H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/485
CPC分类号： H01M4/134 , C01B33/021 , H01M4/0471 , H01M4/13 , H01M4/1395 , H01M4/36 , H01M4/364 , H01M4/366 , H01M4/386 , H01M4/48 , H01M4/483 , H01M4/602
摘要：提供矽和碳材料的高度多孔協同組合、以及結合此類材料的物件及用於生產該等材料的方法。組成物具有新穎的特性，而且當在鋰電池單元(包括固態電池)中用作陽極材料時，該組成物在庫侖效率、脫鋰能力、及循環壽命上提供顯著的改良。
简体摘要：提供硅和碳材料的高度多孔协同组合、以及结合此类材料的对象及用于生产该等材料的方法。组成物具有新颖的特性，而且当在锂电池单元(包括固态电池)中用作阳极材料时，该组成物在库仑效率、脱锂能力、及循环寿命上提供显着的改良。

37. 发明专利

TW201625825A 多晶矽錠製造方法、多晶矽錠之用途之製造方法及多晶矽錠审中-公开
简体标题：多晶硅锭制造方法、多晶硅锭之用途之制造方法及多晶硅锭
公开(公告)号：TW201625825A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104136065
申请日：2015-11-02
申请人：夏普股份有限公司 , SHARP KABUSHIKI KAISHA
发明人：大石隆一 , OISHI, RYUICHI
IPC分类号： C30B28/06 , C30B29/06
CPC分类号： C01B33/02 , C01B33/021
摘要：本發明之目的在於提供一種可控制性良好地製造結晶缺陷密度較低、作為太陽電池用錠較佳之高品質之多晶矽錠的多晶矽錠製造方法，且藉此以低價格提供一種高品質之多晶矽錠及其用途。本發明之多晶矽錠製造方法係於坩堝3底板上表面配置平均結晶粒徑為15mm以下之多晶矽塊1，其後，將矽原料2投入坩堝內，使所投入之矽原料熔融後進行單向凝固而製造多晶矽錠。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种可控制性良好地制造结晶缺陷密度较低、作为太阳电池用锭较佳之高品质之多晶硅锭的多晶硅锭制造方法，且借此以低价格提供一种高品质之多晶硅锭及其用途。本发明之多晶硅锭制造方法系于坩埚3底板上表面配置平均结晶粒径为15mm以下之多晶硅块1，其后，将硅原料2投入坩埚内，使所投入之硅原料熔融后进行单向凝固而制造多晶硅锭。

38. 发明专利

TW201545978A 生產多晶矽的方法审中-公开
简体标题：生产多晶硅的方法
公开(公告)号：TW201545978A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104106597
申请日：2015-03-03
申请人：瓦克化學公司 , WACKER CHEMIE AG
发明人：維茲麥提亞斯 , VIETZ, MATTHIAS
IPC分类号： C01B33/02 , B02C23/08 , B65B1/04 , B65D5/56 , B65D25/14 , B65B25/00 , B65B43/26
CPC分类号： C01B33/021 , B65B1/00 , B65B1/04 , B65B63/00 , B65D5/563 , C01B33/035
摘要：本發明提供一種生產多晶矽的方法，該方法包括提供多晶矽棒，將該多晶矽棒破碎成多晶矽碎塊以及藉由將該多晶矽碎塊引入一包括一底部、一壁和一開口的硬紙板容器中從而包裝該多晶矽碎塊，其中至少該底部和壁與該多晶矽碎塊接觸的內表面係塗布有塑膠。
简体摘要：本发明提供一种生产多晶硅的方法，该方法包括提供多晶硅棒，将该多晶硅棒破碎成多晶硅碎块以及借由将该多晶硅碎块引入一包括一底部、一壁和一开口的硬纸板容器中从而包装该多晶硅碎块，其中至少该底部和壁与该多晶硅碎块接触的内表面系涂布有塑胶。

39. 发明专利

TW201531685A 固結粒狀矽及量測非金屬含量之方法與裝置审中-公开
简体标题：固结粒状硅及量测非金属含量之方法与设备
公开(公告)号：TW201531685A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW103112982
申请日：2014-04-09
申请人： REC多晶矽公司 , REC SILICON INC
发明人：耶爾馬茲塞法 , YILMAZ, SEFA , 西斯札克鐵歐德F , CISZEK, THEODORE F. , 米勒馬修J , MILLER, MATTHEW J. , 賈斯魯史坦 , JULSRUD, STEIN
IPC分类号： G01N1/28 , G01N21/3563
CPC分类号： C01B33/021 , C01B32/384 , C01B33/02 , C01B33/035 , C01B33/037 , G01N21/3563 , G01N2021/3595
摘要：本發明揭示用於固結粒狀矽及測定固結矽中之微量元素含量的裝置及方法。矽顆粒置放於容器中，且已知純度之矽塊至少部分地嵌埋於顆粒中。矽塊預熱至足以與感應加熱器耦合的溫度。當矽塊熔化時，鄰近於熔化矽的矽顆粒亦熔化。容器自前端至尾端通過感應線圈以連續感應加熱及熔化矽顆粒之區域，其中當熔化矽離開感應線圈時，各區域凝固以提供多晶矽錠。將多晶矽錠切成晶圓，藉由低溫傅立葉轉換紅外光譜學(Fourier transform infrared spectroscopy)分析測定矽錠中之微量元素含量。
简体摘要：本发明揭示用于固结粒状硅及测定固结硅中之微量元素含量的设备及方法。硅颗粒置放于容器中，且已知纯度之硅块至少部分地嵌埋于颗粒中。硅块预热至足以与感应加热器耦合的温度。当硅块熔化时，邻近于熔化硅的硅颗粒亦熔化。容器自前端至尾端通过感应线圈以连续感应加热及熔化硅颗粒之区域，其中当熔化硅离开感应线圈时，各区域凝固以提供多晶硅锭。将多晶硅锭切成晶圆，借由低温傅里叶转换红外光谱学(Fourier transform infrared spectroscopy)分析测定硅锭中之微量元素含量。

40. 发明专利

TW201518206A 氫製造裝置、氫製造方法、氫製造用矽微細粒子及氫製造用矽微細粒子的製造方法审中-公开
简体标题：氢制造设备、氢制造方法、氢制造用硅微细粒子及氢制造用硅微细粒子的制造方法
公开(公告)号：TW201518206A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW103130219
申请日：2014-09-02
申请人：小林光 , KOBAYASHI, HIKARU , KIT股份有限公司 , KIT CO. LTD. , 日新化成股份有限公司 , NISSHIN KASEI CO., LTD.
发明人：小林光 , KOBAYASHI, HIKARU , 肥後徹 , HIGO, TORU , 金谷彌生 , KANATANI, YAYOI
IPC分类号： C01B3/06 , C01B33/02 , B09B3/00
CPC分类号： C01B3/06 , B01J7/02 , B01J8/02 , B01J8/20 , B01J2208/00592 , B01J2208/024 , C01B33/021 , Y02E60/36
摘要：本發明之一的氫製造裝置100具備粉碎部10及氫產生部70，該粉碎部10藉由將矽切削粉或矽研磨屑1粉碎來形成矽微細粒子2，該氫產生部70藉由使矽微細粒子2與水或水溶液接觸及/或分散於該水或該水溶液中來產生氫。根據該氫製造裝置100，能夠以通常被視為廢棄物的矽切削粉或矽研磨屑作為起始材料來可靠地製造足堪實用之量的氫。因此，本發明藉由有效利用矽切削粉或矽研磨屑來對保護環境以及大幅降低作為次世代能源資源有效地被利用的氫的製造成本作出貢獻。
简体摘要：本发明之一的氢制造设备100具备粉碎部10及氢产生部70，该粉碎部10借由将硅切削粉或硅研磨屑1粉碎来形成硅微细粒子2，该氢产生部70借由使硅微细粒子2与水或水溶液接触及/或分散于该水或该水溶液中来产生氢。根据该氢制造设备100，能够以通常被视为废弃物的硅切削粉或硅研磨屑作为起始材料来可靠地制造足堪实用之量的氢。因此，本发明借由有效利用硅切削粉或硅研磨屑来对保护环境以及大幅降低作为次世代能源资源有效地被利用的氢的制造成本作出贡献。

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