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31. 发明专利

TW201838068A 基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TW201838068A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW107115286
申请日：2015-02-26
申请人：日商斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：吉原直彥 , YOSHIHARA, NAOHIKO , 小林健司 , KOBAYASHI, KENJI , 奧谷學 , OKUTANI, MANABU
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687
摘要：基板處理裝置包含有：一邊支撐基板，一邊從下方對基板進行加熱的基板加熱單元；以及使基板加熱單元在水平姿勢與傾斜姿勢之間進行姿勢變更的姿勢變更單元。在接著加熱基板的基板高溫化步驟之後所執行的有機溶劑排除步驟中，藉由使基板加熱單元姿勢變更為傾斜姿勢，使基板之上表面傾斜於水平面。
简体摘要：基板处理设备包含有：一边支撑基板，一边从下方对基板进行加热的基板加热单元；以及使基板加热单元在水平姿势与倾斜姿势之间进行姿势变更的姿势变更单元。在接着加热基板的基板高温化步骤之后所运行的有机溶剂排除步骤中，借由使基板加热单元姿势变更为倾斜姿势，使基板之上表面倾斜于水平面。

32. 发明专利

TW201838066A 基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TW201838066A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW107115284
申请日：2015-02-26
申请人：日商斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：吉原直彥 , YOSHIHARA, NAOHIKO , 小林健司 , KOBAYASHI, KENJI , 奧谷學 , OKUTANI, MANABU
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687
摘要：基板處理裝置包含有：一邊支撐基板，一邊從下方對基板進行加熱的基板加熱單元；以及使基板加熱單元在水平姿勢與傾斜姿勢之間進行姿勢變更的姿勢變更單元。在接著加熱基板的基板高溫化步驟之後所執行的有機溶劑排除步驟中，藉由使基板加熱單元姿勢變更為傾斜姿勢，使基板之上表面傾斜於水平面。
简体摘要：基板处理设备包含有：一边支撑基板，一边从下方对基板进行加热的基板加热单元；以及使基板加热单元在水平姿势与倾斜姿势之间进行姿势变更的姿势变更单元。在接着加热基板的基板高温化步骤之后所运行的有机溶剂排除步骤中，借由使基板加热单元姿势变更为倾斜姿势，使基板之上表面倾斜于水平面。

33. 发明专利

TWI540632B 基板處理方法及基板處理裝置有权
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TWI540632B
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104122607
申请日：2013-11-04
申请人：斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：奧谷學 , OKUTANI, MANABU
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/0206 , B08B3/04 , H01L21/02068 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/68792

34. 发明专利

TW201539628A 基板處理方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW201539628A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW104108315
申请日：2015-03-16
申请人：斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：小林健司 , KOBAYASHI, KENJI , 奧谷學 , OKUTANI, MANABU
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/02052 , B08B3/022 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/52 , H01L21/02057 , H01L21/30604 , H01L21/324 , H01L21/67028 , H01L21/67034 , H01L21/6704 , H01L21/67051 , H01L21/67075 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L21/67303 , H01L21/68728 , H01L21/68764 , H01L21/68792
摘要：本發明的基板處理方法，係包括有：有機溶劑置換步驟、基板高溫化步驟及有機溶劑排除步驟；該有機溶劑置換步驟係將表面張力為較低於清洗液之液體的有機溶劑，加以供給至基板之上表面，該清洗液係附著在以水平姿勢所保持之上述基板的上表面，在上述基板上形成將上述基板之上表面加以覆蓋之上述有機溶劑的液膜，而利用上述有機溶劑對上述清洗液進行置換；該基板高溫化步驟係在形成上述有機溶劑之液膜之後，使上述基板之上表面到達至高於上述有機溶劑之沸點的既定之第1溫度，藉此在上述有機溶劑之液膜的全區域，於上述有機溶劑之液膜與上述基板之上表面之間，形成有機溶劑之蒸發氣體膜，並且使上述有機溶劑之液膜浮起在上述有機溶劑之蒸發氣體膜的上方；該有機溶劑排除步驟係將浮起之上述有機溶劑的液膜，從上述基板之上表面的上方加以排除。
简体摘要：本发明的基板处理方法，系包括有：有机溶剂置换步骤、基板高温化步骤及有机溶剂排除步骤；该有机溶剂置换步骤系将表面张力为较低于清洗液之液体的有机溶剂，加以供给至基板之上表面，该清洗液系附着在以水平姿势所保持之上述基板的上表面，在上述基板上形成将上述基板之上表面加以覆盖之上述有机溶剂的液膜，而利用上述有机溶剂对上述清洗液进行置换；该基板高温化步骤系在形成上述有机溶剂之液膜之后，使上述基板之上表面到达至高于上述有机溶剂之沸点的既定之第1温度，借此在上述有机溶剂之液膜的全区域，于上述有机溶剂之液膜与上述基板之上表面之间，形成有机溶剂之蒸发气体膜，并且使上述有机溶剂之液膜浮起在上述有机溶剂之蒸发气体膜的上方；该有机溶剂排除步骤系将浮起之上述有机溶剂的液膜，从上述基板之上表面的上方加以排除。

35. 发明专利

TW201539627A 基板處理方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW201539627A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW104108057
申请日：2015-03-13
申请人：斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：小林健司 , KOBAYASHI, KENJI , 奧谷學 , OKUTANI, MANABU
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67028 , B05B1/24 , B05B15/60 , B05C11/08 , B05D1/02 , H01L21/67051 , H01L21/67109 , H01L21/67201 , H01L21/68728 , H01L21/68742 , H01L21/6875
摘要：本發明之基板處理方法，係一種於具備有用以保持基板之基板保持單元、與用以從下方對上述基板進行加熱之加熱板的基板處理裝置中所執行者；其包含有：在上述加熱板被配置從由上述基板保持單元退避至下方之退避位置的狀態下，對由上述基板保持單元所保持之上述基板之上表面供給處理液的處理液供給步驟；與上述處理液供給步驟並行，且於上述加熱板之上表面，形成覆蓋該上表面之保護液之液膜的保護液液膜形成步驟；以及一邊使上述加熱板接近或接觸上述基板之下表面，一邊藉由該加熱板對上述基板進行加熱的基板加熱步驟。
简体摘要：本发明之基板处理方法，系一种于具备有用以保持基板之基板保持单元、与用以从下方对上述基板进行加热之加热板的基板处理设备中所运行者；其包含有：在上述加热板被配置从由上述基板保持单元退避至下方之退避位置的状态下，对由上述基板保持单元所保持之上述基板之上表面供给处理液的处理液供给步骤；与上述处理液供给步骤并行，且于上述加热板之上表面，形成覆盖该上表面之保护液之液膜的保护液液膜形成步骤；以及一边使上述加热板接近或接触上述基板之下表面，一边借由该加热板对上述基板进行加热的基板加热步骤。

36. 发明专利

TWI497580B 基板處理方法及基板處理裝置有权
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TWI497580B
公开(公告)日：2015-08-21
申请号：TW102139922
申请日：2013-11-04
申请人：斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：奧谷學 , OKUTANI, MANABU
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/0206 , B08B3/04 , H01L21/02068 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/68792

37. 发明专利

TW201523730A 犧牲膜除去方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：牺牲膜除去方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW201523730A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103137385
申请日：2014-10-29
申请人：斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD. , 中央硝子股份有限公司 , CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：奧谷學 , OKUTANI, MANABU , 梅崎智典 , UMEZAKI, TOMONORI , 菊池亞紀応 , KIKUCHI, AKIOU
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/30604 , H01L21/02057 , H01L21/0206 , H01L21/3065 , H01L21/32134 , H01L21/32135 , H01L21/67028
摘要：本發明係由形成有在複數支柱與該複數支柱之間所埋設之犧牲膜的基板表面除去上述犧牲膜的犧牲膜除去方法，其包括：濕式蝕刻步驟，係藉由對上述基板表面供給蝕刻液，將上述犧牲膜除去至中途深度為止；潤洗步驟，係在上述濕式蝕刻步驟後，對上述基板表面供給潤洗液，藉此沖洗附著於上述基板表面的殘留物；乾燥步驟，係在上述潤洗步驟後，將上述基板表面之液成分除去；與乾式蝕刻步驟，係在上述乾燥步驟後對上述基板表面供給蝕刻氣體，藉此將殘存於上述基板表面之犧牲膜除去。
简体摘要：本发明系由形成有在复数支柱与该复数支柱之间所埋设之牺牲膜的基板表面除去上述牺牲膜的牺牲膜除去方法，其包括：湿式蚀刻步骤，系借由对上述基板表面供给蚀刻液，将上述牺牲膜除去至中途深度为止；润洗步骤，系在上述湿式蚀刻步骤后，对上述基板表面供给润洗液，借此冲洗附着于上述基板表面的残留物；干燥步骤，系在上述润洗步骤后，将上述基板表面之液成分除去；与干式蚀刻步骤，系在上述干燥步骤后对上述基板表面供给蚀刻气体，借此将残存于上述基板表面之牺牲膜除去。

38. 发明专利

TWI682477B 基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI682477B
公开(公告)日：2020-01-11
申请号：TW104107699
申请日：2015-03-09
申请人：斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：吉原直彥 , YOSHIHARA, NAOHIKO , 小林健司 , KOBAYASHI, KENJI , 奧谷學 , OKUTANI, MANABU
IPC分类号： H01L21/67

39. 发明专利

TWI670121B 基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI670121B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW106107743
申请日：2017-03-09
申请人：斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：太田喬 , OTA, TAKASHI , 奧谷學 , OKUTANI, MANABU , 阿部博史 , ABE, HIROSHI
IPC分类号： B05D3/02 , B05D1/40 , H01L21/304

40. 发明专利

TWI610386B 基板處理方法及基板處理裝置有权
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TWI610386B
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW104108057
申请日：2015-03-13
申请人：斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：小林健司 , KOBAYASHI, KENJI , 奧谷學 , OKUTANI, MANABU
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67028 , B05B1/24 , B05B15/60 , B05C11/08 , B05D1/02 , H01L21/67051 , H01L21/67109 , H01L21/67201 , H01L21/68728 , H01L21/68742 , H01L21/6875

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