专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

31. 发明专利

TWI426349B 光阻材料及圖案形成方法有权
简体标题：光阻材料及图案形成方法
公开(公告)号：TWI426349B
公开(公告)日：2014-02-11
申请号：TW099116728
申请日：2010-05-25
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：畠山潤 , HATAKEYAMA, JUN , 片山和弘 , KATAYAMA, KAZUHIRO , 大澤洋一 , OHSAWA, YOUICHI , 大橋正樹 , OHASHI, MASAKI
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/004 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70466 , G03F7/0035 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/38 , G03F7/40 , Y10S430/108 , Y10S430/111

32. 发明专利

TW201139353A 鋶鹽、高分子化合物、高分子化合物之製造方法、光阻材料及圖案形成方法 NOVEL SULFONIUM SALT, POLYMER, METHOD FOR PRODUCING THE POLYMER, RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS 审中-公开
简体标题：锍盐、高分子化合物、高分子化合物之制造方法、光阻材料及图案形成方法 NOVEL SULFONIUM SALT, POLYMER, METHOD FOR PRODUCING THE POLYMER, RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TW201139353A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW100101446
申请日：2011-01-14
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：大橋正樹 , 渡邊聰 , 大澤洋一 , 增永惠一 , 金生剛
IPC分类号： C07C , C08F , G03F , H01L
CPC分类号： C07C69/54 , C08F220/38 , G03F7/004 , G03F7/20
摘要：本發明提供一種在將ArF準分子雷射、EUV光、電子束等高能量射線作為光源的光微影中，可作為高解析性且LER優異的光阻材料使用之鋶鹽、由該鋶鹽得到的高分子化合物、含有該高分子化合物的光阻材料、及使用該光阻材料的圖案形成方法。本發明提供一種下述通式(1)所表示的鋶鹽。(式中之X、Y表示具有聚合性官能基的基。Z表示可包含雜原子之碳數1~33的二價烴基。R 1 表示可包含雜原子之碳數1~36的二價烴基。R 2 及R 3 各自表示可包含雜原子之碳數1~30的一價烴基，或是R 2 及R 3 相互鍵結，並與式中之硫原子一起形成環。)
简体摘要：本发明提供一种在将ArF准分子激光、EUV光、电子束等高能量射线作为光源的光微影中，可作为高解析性且LER优异的光阻材料使用之锍盐、由该锍盐得到的高分子化合物、含有该高分子化合物的光阻材料、及使用该光阻材料的图案形成方法。本发明提供一种下述通式(1)所表示的锍盐。(式中之X、Y表示具有聚合性官能基的基。Z表示可包含杂原子之碳数1~33的二价烃基。R 1 表示可包含杂原子之碳数1~36的二价烃基。R 2 及R 3 各自表示可包含杂原子之碳数1~30的一价烃基，或是R 2 及R 3 相互键结，并与式中之硫原子一起形成环。)

33. 发明专利

TW201005429A 重複圖型之形成方法 DOUBLE PATTERNING PROCESS 审中-公开
简体标题：重复图型之形成方法 DOUBLE PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TW201005429A
公开(公告)日：2010-02-01
申请号：TW098110918
申请日：2009-04-01
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：竹村勝也 , 畠山潤 , 野田和美 , 中島睦雄 , 大橋正樹 , 石原俊信
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/0035 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/40
摘要：一種重複圖案之形成方法，為包含，為於被加工基板上塗佈化學增幅正型光阻膜形成用組成物以形成光阻膜，於圖案照射後，對曝光部之樹脂的酸不穩定基進行解離反應以形成鹼可溶，顯影後得到第1正型圖案之步驟；第1圖案中之酸不穩定基解離之同時形成交聯之步驟；塗佈作為反轉膜形成用組成物之第2化學增幅負型光阻膜形成用組成物，以形成第2光阻膜，於圖案照射後，使曝光都之樹脂形成對鹼顯影液不溶化後，經顯影而得第2負型圖案之步驟；於該顯影步驟中，使反轉為對顯影液為可溶之第1圖案，於第2光阻膜中，以空間圖案方式溶解去除，進行反轉轉印之步驟，而可於得到第1光阻膜的反轉轉印圖案的同時，形成第2圖案。依本發明之內容，可以簡易之步驟下進行高精確度之正負反轉。
简体摘要：一种重复图案之形成方法，为包含，为于被加工基板上涂布化学增幅正型光阻膜形成用组成物以形成光阻膜，于图案照射后，对曝光部之树脂的酸不稳定基进行解离反应以形成碱可溶，显影后得到第1正型图案之步骤；第1图案中之酸不稳定基解离之同时形成交联之步骤；涂布作为反转膜形成用组成物之第2化学增幅负型光阻膜形成用组成物，以形成第2光阻膜，于图案照射后，使曝光都之树脂形成对碱显影液不溶化后，经显影而得第2负型图案之步骤；于该显影步骤中，使反转为对显影液为可溶之第1图案，于第2光阻膜中，以空间图案方式溶解去除，进行反转转印之步骤，而可于得到第1光阻膜的反转转印图案的同时，形成第2图案。依本发明之内容，可以简易之步骤下进行高精确度之正负反转。

34. 发明专利

TW201001063A 正型光阻材料及圖型形成方法 POSITIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS 审中-公开
简体标题：正型光阻材料及图型形成方法 POSITIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TW201001063A
公开(公告)日：2010-01-01
申请号：TW098104507
申请日：2009-02-12
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：大澤洋一 , 金生剛 , 大橋正樹 , 橘誠一郎 , 渡邊武 , 畠山潤
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , Y10S430/108 , Y10S430/111 , Y10S430/143
摘要：一種正型光阻材料，其為含有經由酸之作用而形成對鹼顯影液為可溶之樹脂成份（A），其特徵為，樹脂成份（A）為含有下述通式（a）、（b）、（c）、（d）所表示之重複單位之高分子化合物。
（式中，R 1 分別表示獨立之氫原子或甲基；R 2 表示酸不穩定基；Y表示具有內酯構造之取代基；Z表示具有羥基之有機基；R 5 、R 6 、R 7 分別表示獨立之氫原子，或可含有雜原子之碳數1～20之直鏈狀、分支狀或環狀之1價烴基）。本發明之光阻材料，經由高能量線照射而發生酸之情形會產生非常強之磺酸，而可有效的切斷化學增幅型光阻材料中之酸不穩定基。
简体摘要：一种正型光阻材料，其为含有经由酸之作用而形成对碱显影液为可溶之树脂成份（A），其特征为，树脂成份（A）为含有下述通式（a）、（b）、（c）、（d）所表示之重复单位之高分子化合物。（式中，R 1 分别表示独立之氢原子或甲基；R 2 表示酸不稳定基；Y表示具有内酯构造之取代基；Z表示具有羟基之有机基；R 5 、R 6 、R 7 分别表示独立之氢原子，或可含有杂原子之碳数1～20之直链状、分支状或环状之1价烃基）。本发明之光阻材料，经由高能量线照射而发生酸之情形会产生非常强之磺酸，而可有效的切断化学增幅型光阻材料中之酸不稳定基。

35. 发明专利

TW202017890A 錪鹽、光阻組成物、以及圖案形成方法审中-公开
简体标题：錪盐、光阻组成物、以及图案形成方法
公开(公告)号：TW202017890A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108132344
申请日：2019-09-09
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：藤原敬之 , FUJIWARA, TAKAYUKI , 大橋正樹 , OHASHI, MASAKI , 片山和弘 , KATAYAMA, KAZUHIRO , 山田健司 , YAMADA, KENJI
IPC分类号： C07C25/18 , C07C59/115 , C07D207/267 , C09K3/00 , C08F220/10 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/32 , G03F7/38 , H01L21/027
摘要：本發明之課題為提供一種羧酸錪鹽，其在以KrF或ArF準分子雷射光、EB、EUV等高能射線作為光源的光微影中作為淬滅劑使用，並給予矩形性優異，MEF、LWR、CDU優異之光阻組成物；提供含有該錪鹽的光阻組成物、以及使用該光阻組成物的圖案形成方法。本發明之解決手段為下列式(1)表示之錪鹽。
简体摘要：本发明之课题为提供一种羧酸錪盐，其在以KrF或ArF准分子激光光、EB、EUV等高能射线作为光源的光微影中作为淬灭剂使用，并给予矩形性优异，MEF、LWR、CDU优异之光阻组成物；提供含有该錪盐的光阻组成物、以及使用该光阻组成物的图案形成方法。本发明之解决手段为下列式(1)表示之錪盐。

36. 发明专利

TWI691788B 光阻材料及圖案形成方法有权
简体标题：光阻材料及图案形成方法
公开(公告)号：TWI691788B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW108133145
申请日：2019-09-16
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：畠山潤 , HATAKEYAMA, JUN , 大橋正樹 , OHASHI, MASAKI , 藤原敬之 , FUJIWARA, TAKAYUKI
IPC分类号： G03F7/004 , C07C381/12 , H01L21/027

37. 发明专利

TWI649400B 黏著劑組成物、生物體電極及生物體電極之製造方法有权
简体标题：黏着剂组成物、生物体电极及生物体电极之制造方法
公开(公告)号：TWI649400B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：TW106132869
申请日：2017-09-26
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：畠山潤 , HATAKEYAMA, JUN , 岩淵元亮 , IWABUCHI, MOTOAKI , 大橋正樹 , OHASHI, MASAKI , 黑田泰嘉 , KURODA, YASUYOSHI
IPC分类号： C09J9/02 , A61K50/00 , H01B1/22 , H01B5/14 , A61B5/0245

38. 发明专利

TW201838972A 光阻材料及圖案形成方法审中-公开
简体标题：光阻材料及图案形成方法
公开(公告)号：TW201838972A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW107109207
申请日：2018-03-19
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：畠山潤 , HATAKEYAMA, JUN , 大橋正樹 , OHASHI, MASAKI
IPC分类号： C07C381/12 , C07C309/29 , G03F7/028 , H01L21/027
摘要：本發明之課題係提供無論在正型光阻材料或負型光阻材料中均為高感度，且LWR、CDU小的光阻材料，以及使用該光阻材料的圖案形成方法。解決該課題之手段為一種光阻材料包含：基礎聚合物，以及含有下式(A-1)表示之鋶鹽或下式(A-2)表示之錪鹽之酸產生劑。
简体摘要：本发明之课题系提供无论在正型光阻材料或负型光阻材料中均为高感度，且LWR、CDU小的光阻材料，以及使用该光阻材料的图案形成方法。解决该课题之手段为一种光阻材料包含：基础聚合物，以及含有下式(A-1)表示之锍盐或下式(A-2)表示之錪盐之酸产生剂。

39. 发明专利

TWI635073B 光阻材料及圖案形成方法有权
简体标题：光阻材料及图案形成方法
公开(公告)号：TWI635073B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：TW106121402
申请日：2017-06-27
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：畠山潤 , HATAKEYAMA, JUN , 大橋正樹 , OHASHI, MASAKI , 藤原敬之 , FUJIWARA, TAKAYUKI , 福島將大 , FUKUSHIMA, MASAHIRO , 本田和也 , HONDA, KAZUYA
IPC分类号： C07C309/12 , C07C381/12 , G03F7/039 , G03F7/038 , G03F7/00 , G03F7/20

40. 发明专利

TW201812447A 光阻材料及圖案形成方法审中-公开
简体标题：光阻材料及图案形成方法
公开(公告)号：TW201812447A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106118452
申请日：2017-06-05
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：畠山潤 , HATAKEYAMA, JUN , 大橋正樹 , OHASHI, MASAKI
IPC分类号： G03F7/004 , C07C381/12
CPC分类号： G03F7/0382 , C07C57/58 , C07C63/70 , C07C65/03 , C07C65/05 , C07C233/54 , C07C271/28 , C07C309/65 , C07C309/66 , C07C381/12 , C07C2601/14 , C07C2601/18 , C07C2602/28 , C07C2603/68 , C07C2603/74 , C07D279/20 , C07D327/08 , C07D333/76 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0048 , G03F7/0392 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2004 , G03F7/2006 , G03F7/2037 , G03F7/322 , G03F7/325 , G03F7/38
摘要：本發明提供一種光阻材料，於正型光阻材料、負型光阻材料皆係高感度且LWR小，並提供使用此光阻材料之圖案形成方法。該光阻材料包含基礎聚合物及下式(A)表示之鋶鹽；
简体摘要：本发明提供一种光阻材料，于正型光阻材料、负型光阻材料皆系高感度且LWR小，并提供使用此光阻材料之图案形成方法。该光阻材料包含基础聚合物及下式(A)表示之锍盐；

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式