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21. 发明专利

TW201402340A 阻氣性薄膜及其製造方法审中-公开
简体标题：阻气性薄膜及其制造方法
公开(公告)号：TW201402340A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW102116489
申请日：2013-05-09
申请人：三菱樹脂股份有限公司 , MITSUBISHI PLASTICS, INC.
发明人：堤健智 , TSUTSUMI, TAKETOSHI , 天內英隆 , AMANAI, HIDETAKA , 山內康嗣 , YAMAUCHI, KOJI
IPC分类号： B32B9/00 , C23C14/10 , C23C14/24 , C23C14/34 , C23C16/36 , C23C16/513
CPC分类号： B32B9/00 , C23C14/081 , C23C14/10 , C23C14/24 , C23C14/352 , C23C16/30
摘要：本發明係一種下述(1)或(2)之阻氣性薄膜及其製造方法。(1)於基材之至少一面上依序具有利用對向靶濺鍍法形成之無機層、利用真空蒸鍍法形成之無機層、利用化學蒸鍍法形成之無機層及利用真空蒸鍍法形成之無機層的阻氣性薄膜。(2)於基材之至少一面上依序具有利用真空蒸鍍法形成之無機層、利用化學蒸鍍法形成之無機層、利用真空蒸鍍法形成之無機層及利用對向靶濺鍍法形成之無機層的阻氣性薄膜。
简体摘要：本发明系一种下述(1)或(2)之阻气性薄膜及其制造方法。(1)于基材之至少一面上依序具有利用对向靶溅镀法形成之无机层、利用真空蒸镀法形成之无机层、利用化学蒸镀法形成之无机层及利用真空蒸镀法形成之无机层的阻气性薄膜。(2)于基材之至少一面上依序具有利用真空蒸镀法形成之无机层、利用化学蒸镀法形成之无机层、利用真空蒸镀法形成之无机层及利用对向靶溅镀法形成之无机层的阻气性薄膜。

22. 发明专利

TWI386496B ＳｉＯｘ：Ｓｉ濺鍍靶材及製造與使用此等靶材之方法失效
简体标题：ＳｉＯｘ：Ｓｉ溅镀靶材及制造与使用此等靶材之方法
公开(公告)号：TWI386496B
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：TW095129716
申请日：2006-08-10
申请人：溫泰克電子光學有限公司 , WINTEK ELECTRO-OPTICS CORPORATION
发明人：大衛E 史帝文森 , STEVENSON, DAVID E. , 周立昆 , ZHOU, LI Q.
IPC分类号： C23C14/10 , C23C14/54
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/14 , C04B35/6455 , C04B2235/40 , C04B2235/401 , C04B2235/402 , C04B2235/428 , C04B2235/77 , C23C14/10 , Y10T428/2991

23. 发明专利

TW201910540A 阻氣薄膜之製造方法审中-公开
简体标题：阻气薄膜之制造方法
公开(公告)号：TW201910540A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107127565
申请日：2018-08-08
申请人：日商東洋紡股份有限公司 , TOYOBO CO., LTD.
发明人：柏充裕 , KASHIWA, MITSUHIRO , 沼田幸裕 , NUMATA, YUKIHIRO , 伊關清司 , ISEKI, KIYOSHI
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/10 , C23C14/24 , B32B9/00 , B32B27/06 , B65D65/40 , B65D81/24
摘要：提供一種能以高速生產透明性、阻氣性優異的阻氣薄膜之製造方法。一種阻氣薄膜之製造方法，其係製造在高分子基材的至少一面上積層有無機薄膜層的阻氣薄膜之方法，其特徵係該無機薄膜層為以真空蒸鍍法成膜，且使用Al、及SiO2作為蒸鍍材料，一邊導入氧氣一邊使其成膜。
简体摘要：提供一种能以高速生产透明性、阻气性优异的阻气薄膜之制造方法。一种阻气薄膜之制造方法，其系制造在高分子基材的至少一面上积层有无机薄膜层的阻气薄膜之方法，其特征系该无机薄膜层为以真空蒸镀法成膜，且使用Al、及SiO2作为蒸镀材料，一边导入氧气一边使其成膜。

24. 发明专利

TWI648417B 二氧化矽之沉積有权
简体标题：二氧化硅之沉积
公开(公告)号：TWI648417B
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：TW103137817
申请日：2014-10-31
申请人： SPTS科技公司 , SPTS TECHNOLOGIES LIMITED
发明人：周韻 , ZHOU, YUN , 辛德曼隆達 , HYNDMAN, RHONDA , 柏格斯史蒂芬R , BURGESS, STEPHEN R.
IPC分类号： C23C14/10 , C23C14/34 , H03H9/46

25. 发明专利

TW201840873A 生產濺鍍氧化矽電解質的方法审中-公开
简体标题：生产溅镀氧化硅电解质的方法
公开(公告)号：TW201840873A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107103486
申请日：2018-01-31
申请人：曼徹斯特大學 , THE UNIVERSITY OF MANCHESTER
发明人：宋愛民 , SONG, AIMIN , 馬囂塵 , MA, XIAOCHEN
IPC分类号： C23C14/10 , C23C14/54
摘要：本發明之具體實例提供一種濺鍍氧化矽電解質及用於生產其之方法，其中工作氣體之預定壓力及每目標單位面積之功率密度中之一或多者經控制以使得濺鍍氧化矽電解質具有非晶形結構、0.5至2.0g/cm3之間的密度以及10-200Hz下0.05至15.0μF/cm2之間的單位面積電容。
简体摘要：本发明之具体实例提供一种溅镀氧化硅电解质及用于生产其之方法，其中工作气体之预定压力及每目标单位面积之功率密度中之一或多者经控制以使得溅镀氧化硅电解质具有非晶形结构、0.5至2.0g/cm3之间的密度以及10-200Hz下0.05至15.0μF/cm2之间的单位面积电容。

26. 发明专利

TW201816151A 真空蒸鍍裝置审中-公开
简体标题：真空蒸镀设备
公开(公告)号：TW201816151A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106125452
申请日：2017-07-28
申请人：日商愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：北沢僚也 , KITAZAWA, RYOYA , 中村寿充 , NAKAMURA, TOSHIMITSU , 朝比奈伸一 , ASAHINA, SHINICHI , 斎藤一也 , SAITOU, KAZUYA
IPC分类号： C23C14/10 , C23C14/24 , H01L23/08
摘要：提供可以將微粒的影響儘可能地減少的附著物減少方式的真空蒸鍍裝置。　　本發明的真空蒸鍍裝置（DM），具備被配置於真空腔室（1）內的蒸鍍源（3），蒸鍍源是具有：收容蒸鍍物質（Vm）的收容箱（31）、及將蒸鍍物質加熱昇華或是氣化的加熱手段（33），在收容箱，設有被昇華或是氣化的蒸鍍物質的噴出部（32），噴出部是位於比真空腔室內的被鍍膜物（S）更垂直方向上方，噴出部，是具有對於垂直方向傾斜向下的噴出口（32b），使蒸鍍物質從該噴出口朝向被鍍膜物被噴出，收容箱是朝從被鍍膜物的端部分離的位置偏移地配置。
简体摘要：提供可以将微粒的影响尽可能地减少的附着物减少方式的真空蒸镀设备。　　本发明的真空蒸镀设备（DM），具备被配置于真空腔室（1）内的蒸镀源（3），蒸镀源是具有：收容蒸镀物质（Vm）的收容箱（31）、及将蒸镀物质加热升华或是气化的加热手段（33），在收容箱，设有被升华或是气化的蒸镀物质的喷出部（32），喷出部是位于比真空腔室内的被镀膜物（S）更垂直方向上方，喷出部，是具有对于垂直方向倾斜向下的喷出口（32b），使蒸镀物质从该喷出口朝向被镀膜物被喷出，收容箱是朝从被镀膜物的端部分离的位置偏移地配置。

27. 发明专利

TW201809325A 藍寶石薄膜塗布基材审中-公开
简体标题：蓝宝石薄膜涂布基材
公开(公告)号：TW201809325A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106116519
申请日：2017-05-18
申请人：香港浸會大學 , HONG KONG BAPTIST UNIVERSITY
发明人：謝國偉 , CHEAH, KOK WAI , 林永銳 , LAM, WING YUI , 譚海嵐 , TAM, HOI LAM
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/10 , C23C14/22 , C23C14/34 , C23C14/30 , C23C14/58 , C03C17/245
CPC分类号： C23C14/34 , C08J7/04 , C23C14/024 , C23C14/081 , C23C14/30 , C23C14/5806
摘要：一種將較硬的薄膜基材層轉移到較軟的撓性基材上的方法。具體而言，本發明提供一種將藍寶石薄膜層沈積到較軟的撓性基材（如石英、熔矽石、矽、玻璃、韌化玻璃、PET、聚合物、塑膠、紙與織物）上的方法。這種組合讓較軟的撓性基材具有藍寶石薄膜的硬度。
简体摘要：一种将较硬的薄膜基材层转移到较软的挠性基材上的方法。具体而言，本发明提供一种将蓝宝石薄膜层沉积到较软的挠性基材（如石英、熔硅石、硅、玻璃、韧化玻璃、PET、聚合物、塑胶、纸与织物）上的方法。这种组合让较软的挠性基材具有蓝宝石薄膜的硬度。

28. 发明专利

TW201724265A 氧化物介電質元件及氧化物介電質元件之製造方法审中-公开
简体标题：氧化物介电质组件及氧化物介电质组件之制造方法
公开(公告)号：TW201724265A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105128267
申请日：2016-09-01
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：鈴木亮由 , SUZUKI, AKIYOSHI , 木村勳 , KIMURA, ISAO , 小林宏樹 , KOBAYASHI, HIROKI , 森川泰宏 , MORIKAWA, YASUHIRO , 久保昌司 , KUBO, MASASHI
IPC分类号： H01L21/316 , C23C14/08 , C23C14/10 , C23C16/40
CPC分类号： H01L27/105 , H01L41/053 , H01L41/09 , H01L41/23
摘要：本發明係提供可以減少保護膜所導致的拘束力而使壓電特性提高，或者抑制介電係數的降低，同時防止起因於氫離子導致的還原劣化的物理特性的降低之氧化物介電質元件的保護膜的技術。本發明之氧化物介電質元件(15)，具備：矽基板(1)、及設於矽基板(1)上，具有挾著氧化物介電質層(5)而設的第1及第2電極層(4)、(6)的氧化物介電質薄膜層積體(8)；而氧化物介電質薄膜層積體(8)，藉由高分子聚合體構成的保護膜(7)所覆蓋。保護膜(7)可藉由蒸鍍聚合法形成。
简体摘要：本发明系提供可以减少保护膜所导致的拘束力而使压电特性提高，或者抑制介电系数的降低，同时防止起因于氢离子导致的还原劣化的物理特性的降低之氧化物介电质组件的保护膜的技术。本发明之氧化物介电质组件(15)，具备：硅基板(1)、及设于硅基板(1)上，具有挟着氧化物介电质层(5)而设的第1及第2电极层(4)、(6)的氧化物介电质薄膜层积体(8)；而氧化物介电质薄膜层积体(8)，借由高分子聚合体构成的保护膜(7)所覆盖。保护膜(7)可借由蒸镀聚合法形成。

29. 发明专利

TWI503430B 鍍膜件及其製造方法有权
简体标题：镀膜件及其制造方法
公开(公告)号：TWI503430B
公开(公告)日：2015-10-11
申请号：TW100115410
申请日：2011-05-03
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：張新倍 , CHANG, HSIN PEI , 陳文榮 , CHEN, WEN RONG , 蔣煥梧 , CHIANG, HUANN WU , 陳正士 , CHEN, CHENG SHI , 馬楠 , MA, NAN
IPC分类号： C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/10 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/021 , C23C14/022 , C23C14/0641 , C23C14/0652 , C23C14/081 , C23C14/10 , C23C14/345 , C23C14/3492 , Y10T428/265 , Y10T428/31678

30. 发明专利

TW201444696A 阻氣性薄膜及其製造方法审中-公开
简体标题：阻气性薄膜及其制造方法
公开(公告)号：TW201444696A
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW103112230
申请日：2014-04-02
申请人：東麗股份有限公司 , TORAY INDUSTRIES, INC.
发明人：德永幸大 , TOKUNAGA, KODAI , 上林浩行 , UEBAYASHI, HIROYUKI , 佐竹光 , SATAKE, HIKARU , 鈴木基之 , SUZUKI, MOTOYUKI
IPC分类号： B32B9/00 , C23C14/08 , C23C14/10 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/08 , B32B9/00 , B32B2307/412 , B32B2307/7244 , B32B2439/70 , C23C14/0021 , C23C14/10 , C23C14/3414 , C23C14/562
摘要：本發明課題係提供一種阻氣性薄膜，其即使對於彎曲，阻氣性也難以降低，表現高透明且高度的阻氣性。一種阻氣性薄膜，其係在高分子薄膜基材之至少單側，具有至少含有氧化鋅及二氧化矽的阻氣層之阻氣性薄膜，其特徵為該阻氣層滿足以下之[I]至[III]任一項[I]就鋅之K吸收端之X射線吸收近能帶緣結構(XANES)光譜，(9664.0eV之光譜強度)/(9668.0eV之光譜強度)之值為0.910~1.000。[II]將鋅之原子濃度除以矽之原子濃度的比例為0.1~1.5，以下式所示結構密度指數為1.20~1.40，結構密度指數=(藉由X射線反射率(XRR)法所求得之阻氣層的密度)/(由藉由X射線光電子光譜(XPS)法所求得之組成比率所計算的理論密度)。[III]將在藉由FT-IR測定所測定的波數900~1,100cm-1的波峰，進行波峰分離成為波數920cm-1與1,080cm-1時，在920cm-1具有波峰之光譜的面積強度(A)與在1,080cm-1具有波峰之光譜的面積強度(B)之比(A/B)的值為1.0以上7.0以下。
简体摘要：本发明课题系提供一种阻气性薄膜，其即使对于弯曲，阻气性也难以降低，表现高透明且高度的阻气性。一种阻气性薄膜，其系在高分子薄膜基材之至少单侧，具有至少含有氧化锌及二氧化硅的阻气层之阻气性薄膜，其特征为该阻气层满足以下之[I]至[III]任一项[I]就锌之K吸收端之X射线吸收近能带缘结构(XANES)光谱，(9664.0eV之光谱强度)/(9668.0eV之光谱强度)之值为0.910~1.000。[II]将锌之原子浓度除以硅之原子浓度的比例为0.1~1.5，以下式所示结构密度指数为1.20~1.40，结构密度指数=(借由X射线反射率(XRR)法所求得之阻气层的密度)/(由借由X射线光电子光谱(XPS)法所求得之组成比率所计算的理论密度)。[III]将在借由FT-IR测定所测定的波数900~1,100cm-1的波峰，进行波峰分离成为波数920cm-1与1,080cm-1时，在920cm-1具有波峰之光谱的面积强度(A)与在1,080cm-1具有波峰之光谱的面积强度(B)之比(A/B)的值为1.0以上7.0以下。

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