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1. 发明专利

TW201431686A 阻氣性薄膜审中-公开
简体标题：阻气性薄膜
公开(公告)号：TW201431686A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW102148590
申请日：2013-12-27
申请人：東麗股份有限公司 , TORAY INDUSTRIES, INC.
发明人：森健太郎 , MORI, KENTARO , 上林浩行 , UEBAYASHI, HIROYUKI
IPC分类号： B32B27/06 , B32B9/00
CPC分类号： C09D1/00 , C08J7/045 , C08J2365/00 , C08J2367/02 , C08J2475/04 , C08J2483/16 , C23C14/08 , C23C14/086 , H01L51/524 , Y10T428/31598
摘要：本發明係以提供具有高度阻氣性且耐彎曲性優異之阻氣性薄膜為目的。本發明之阻氣性薄膜係於高分子基材之至少單側上，從該高分子基材側開始依序具有無機層[A]與矽化合物層[B]之阻氣性薄膜；其特徵為，無機層[A]含有鋅化合物與矽氧化物，矽化合物層[B]含有矽酸氮化物，且無機層[A]與矽化合物層[B]相連接。
简体摘要：本发明系以提供具有高度阻气性且耐弯曲性优异之阻气性薄膜为目的。本发明之阻气性薄膜系于高分子基材之至少单侧上，从该高分子基材侧开始依序具有无机层[A]与硅化合物层[B]之阻气性薄膜；其特征为，无机层[A]含有锌化合物与硅氧化物，硅化合物层[B]含有硅酸氮化物，且无机层[A]与硅化合物层[B]相连接。

2. 发明专利

TW201815565A 積層體审中-公开
简体标题：积层体
公开(公告)号：TW201815565A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106128884
申请日：2017-08-25
申请人：日商東麗股份有限公司 , TORAY INDUSTRIES, INC.
发明人：上林浩行 , UEBAYASHI, HIROYUKI , 德永幸大 , TOKUNAGA, KODAI , 佐藤誠 , SATO, MAKOTO
IPC分类号： B32B9/00 , B32B27/06 , B32B7/02
摘要：於高分子基材之至少單面具有[A]層(厚度小於50nm且含鋅化合物之層)的積層體，其係特徵為在溫度23℃、濕度90%保管48小時之後的捲曲量為3mm以下之積層體。可提供一種具有對於水蒸氣等之高度的阻氣性與減少了捲曲之優異的平面性之積層體，其可有用地作為例如食品、醫藥品等之包材及薄型電視、太陽能電池等之電子裝置用構件來使用。
简体摘要：于高分子基材之至少单面具有[A]层(厚度小于50nm且含锌化合物之层)的积层体，其系特征为在温度23℃、湿度90%保管48小时之后的卷曲量为3mm以下之积层体。可提供一种具有对于水蒸气等之高度的阻气性与减少了卷曲之优异的平面性之积层体，其可有用地作为例如食品、医药品等之包材及薄型电视、太阳能电池等之电子设备用构件来使用。

3. 发明专利

TWI643739B 阻氣性薄膜有权
简体标题：阻气性薄膜
公开(公告)号：TWI643739B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：TW104102337
申请日：2015-01-23
申请人：東麗股份有限公司 , TORAY INDUSTRIES, INC.
发明人：上林浩行 , UEBAYASHI, HIROYUKI , 佐竹光 , SATAKE, HIKARU , 德永幸大 , TOKUNAGA, KODAI
IPC分类号： B32B27/00 , B32B27/40 , B32B9/00 , B32B7/04 , G01N23/227

4. 发明专利

TWI616331B 阻氣性薄膜有权
简体标题：阻气性薄膜
公开(公告)号：TWI616331B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW101132487
申请日：2012-09-06
申请人：東麗股份有限公司 , TORAY INDUSTRIES, INC.
发明人：上林浩行 , UEBAYASHI, HIROYUKI , 吉田實 , YOSHIDA, MINORU
IPC分类号： B32B27/06
CPC分类号： C09D1/00 , B32B9/00 , C23C14/06 , C23C14/0629 , C23C14/08 , C23C14/081 , C23C14/086 , C23C14/10 , C23C14/3407 , C23C14/562 , C23C16/401 , C23C16/45555 , Y10T428/24992

5. 发明专利

TW201532808A 阻氣性薄膜审中-公开
简体标题：阻气性薄膜
公开(公告)号：TW201532808A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW104102337
申请日：2015-01-23
申请人：東麗股份有限公司 , TORAY INDUSTRIES, INC.
发明人：上林浩行 , UEBAYASHI, HIROYUKI , 佐竹光 , SATAKE, HIKARU , 德永幸大 , TOKUNAGA, KODAI
IPC分类号： B32B27/00 , B32B27/40 , B32B9/00 , B32B7/04 , G01N23/227
CPC分类号： C23C28/00 , C08J7/045 , C08J2367/02 , C08J2375/04 , C23C14/08 , C23C16/401 , C23C28/04
摘要：本發明之目的在於提供具有高度阻氣性的阻氣性薄膜。本發明之阻氣薄膜係於高分子基材的至少一面上具有阻氣層，該阻氣層係自高分子基材起，含氧化鋅和二氧化矽的第1層與含矽化合物的第2層依序相接而配置，藉由X射線光電子分光法所測定的第1層與第2層之界面的Si2p軌道之結合能係大於第1層的Si2p軌道之結合能，且小於第2層的Si2p軌道之結合能。
简体摘要：本发明之目的在于提供具有高度阻气性的阻气性薄膜。本发明之阻气薄膜系于高分子基材的至少一面上具有阻气层，该阻气层系自高分子基材起，含氧化锌和二氧化硅的第1层与含硅化合物的第2层依序相接而配置，借由X射线光电子分光法所测定的第1层与第2层之界面的Si2p轨道之结合能系大于第1层的Si2p轨道之结合能，且小于第2层的Si2p轨道之结合能。

6. 发明专利

TW201323207A 阻氣性薄膜审中-公开
简体标题：阻气性薄膜
公开(公告)号：TW201323207A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW101132487
申请日：2012-09-06
申请人：東麗股份有限公司 , TORAY INDUSTRIES, INC.
发明人：上林浩行 , UEBAYASHI, HIROYUKI , 吉田實 , YOSHIDA, MINORU
IPC分类号： B32B27/06
CPC分类号： C09D1/00 , B32B9/00 , C23C14/06 , C23C14/0629 , C23C14/08 , C23C14/081 , C23C14/086 , C23C14/10 , C23C14/3407 , C23C14/562 , C23C16/401 , C23C16/45555 , Y10T428/24992
摘要：本發明之目的係提供高阻氣性且阻氣性的重複再現性優良之阻氣性薄膜。本發明之阻氣性薄膜係於高分子薄膜基材的至少一面以[A]層、[B]層、[C]層之順序配置3層無機化合物層而成的阻氣性薄膜，其特徵為前述[B]層的厚度為0.2~20nm，且密度比[A]層或[C]層中的任一層的密度都高。
简体摘要：本发明之目的系提供高阻气性且阻气性的重复再现性优良之阻气性薄膜。本发明之阻气性薄膜系于高分子薄膜基材的至少一面以[A]层、[B]层、[C]层之顺序配置3层无机化合物层而成的阻气性薄膜，其特征为前述[B]层的厚度为0.2~20nm，且密度比[A]层或[C]层中的任一层的密度都高。

7. 发明专利

TWI608934B 阻氣性薄膜及其製造方法、以及電子裝置有权
简体标题：阻气性薄膜及其制造方法、以及电子设备
公开(公告)号：TWI608934B
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：TW102148590
申请日：2013-12-27
申请人：東麗股份有限公司 , TORAY INDUSTRIES, INC.
发明人：森健太郎 , MORI, KENTARO , 上林浩行 , UEBAYASHI, HIROYUKI
IPC分类号： B32B27/06 , B32B9/00
CPC分类号： C09D1/00 , C08J7/045 , C08J2365/00 , C08J2367/02 , C08J2475/04 , C08J2483/16 , C23C14/08 , C23C14/086 , H01L51/524 , Y10T428/31598

8. 发明专利

TW201634267A 阻氣性薄膜审中-公开
简体标题：阻气性薄膜
公开(公告)号：TW201634267A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW105120528
申请日：2012-04-03
申请人：東麗股份有限公司 , TORAY INDUSTRIES, INC.
发明人：上林浩行 , UEBAYASHI, HIROYUKI , 塚村裕介 , TSUKAMURA, YUSUKE , 渡邊修 , WATANABE, OSAMU
IPC分类号： B32B9/00 , B32B27/06 , B32B33/00
CPC分类号： H01L23/296 , C09D1/00 , H01L23/564 , H01L31/0203 , H01L31/02161 , H01L31/0392 , H01L31/03921 , H01L31/03926 , H01L31/048 , H01L33/54 , H01L51/5253 , H01L2924/0002 , Y02E10/50 , Y10T428/24355 , Y10T428/265 , H01L2924/00
摘要：本發明之目的在於提供一種高阻氣性且阻氣性的重複再現性優異之阻氣性薄膜。一種阻氣性薄膜，其係於高分子基材的至少一面上依順序積層有以下的[A]層與[B]層；[A]層：鉛筆硬度為H以上且表面自由能為45mN/m以下的交聯樹脂層，[B]層：厚度為10~1000nm的含矽無機層。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种高阻气性且阻气性的重复再现性优异之阻气性薄膜。一种阻气性薄膜，其系于高分子基材的至少一面上依顺序积层有以下的[A]层与[B]层；[A]层：铅笔硬度为H以上且表面自由能为45mN/m以下的交联树脂层，[B]层：厚度为10~1000nm的含硅无机层。

9. 发明专利

TWI546198B 阻氣性薄膜有权
简体标题：阻气性薄膜
公开(公告)号：TWI546198B
公开(公告)日：2016-08-21
申请号：TW101111822
申请日：2012-04-03
申请人：東麗股份有限公司 , TORAY INDUSTRIES, INC.
发明人：上林浩行 , UEBAYASHI, HIROYUKI , 塚村裕介 , TSUKAMURA, YUSUKE , 渡邊修 , WATANABE, OSAMU
IPC分类号： B32B9/00 , B32B27/06 , B32B33/00
CPC分类号： H01L23/296 , C09D1/00 , H01L23/564 , H01L31/0203 , H01L31/02161 , H01L31/0392 , H01L31/03921 , H01L31/03926 , H01L31/048 , H01L33/54 , H01L51/5253 , H01L2924/0002 , Y02E10/50 , Y10T428/24355 , Y10T428/265 , H01L2924/00

10. 发明专利

TW201444696A 阻氣性薄膜及其製造方法审中-公开
简体标题：阻气性薄膜及其制造方法
公开(公告)号：TW201444696A
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW103112230
申请日：2014-04-02
申请人：東麗股份有限公司 , TORAY INDUSTRIES, INC.
发明人：德永幸大 , TOKUNAGA, KODAI , 上林浩行 , UEBAYASHI, HIROYUKI , 佐竹光 , SATAKE, HIKARU , 鈴木基之 , SUZUKI, MOTOYUKI
IPC分类号： B32B9/00 , C23C14/08 , C23C14/10 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/08 , B32B9/00 , B32B2307/412 , B32B2307/7244 , B32B2439/70 , C23C14/0021 , C23C14/10 , C23C14/3414 , C23C14/562
摘要：本發明課題係提供一種阻氣性薄膜，其即使對於彎曲，阻氣性也難以降低，表現高透明且高度的阻氣性。一種阻氣性薄膜，其係在高分子薄膜基材之至少單側，具有至少含有氧化鋅及二氧化矽的阻氣層之阻氣性薄膜，其特徵為該阻氣層滿足以下之[I]至[III]任一項[I]就鋅之K吸收端之X射線吸收近能帶緣結構(XANES)光譜，(9664.0eV之光譜強度)/(9668.0eV之光譜強度)之值為0.910~1.000。[II]將鋅之原子濃度除以矽之原子濃度的比例為0.1~1.5，以下式所示結構密度指數為1.20~1.40，結構密度指數=(藉由X射線反射率(XRR)法所求得之阻氣層的密度)/(由藉由X射線光電子光譜(XPS)法所求得之組成比率所計算的理論密度)。[III]將在藉由FT-IR測定所測定的波數900~1,100cm-1的波峰，進行波峰分離成為波數920cm-1與1,080cm-1時，在920cm-1具有波峰之光譜的面積強度(A)與在1,080cm-1具有波峰之光譜的面積強度(B)之比(A/B)的值為1.0以上7.0以下。
简体摘要：本发明课题系提供一种阻气性薄膜，其即使对于弯曲，阻气性也难以降低，表现高透明且高度的阻气性。一种阻气性薄膜，其系在高分子薄膜基材之至少单侧，具有至少含有氧化锌及二氧化硅的阻气层之阻气性薄膜，其特征为该阻气层满足以下之[I]至[III]任一项[I]就锌之K吸收端之X射线吸收近能带缘结构(XANES)光谱，(9664.0eV之光谱强度)/(9668.0eV之光谱强度)之值为0.910~1.000。[II]将锌之原子浓度除以硅之原子浓度的比例为0.1~1.5，以下式所示结构密度指数为1.20~1.40，结构密度指数=(借由X射线反射率(XRR)法所求得之阻气层的密度)/(由借由X射线光电子光谱(XPS)法所求得之组成比率所计算的理论密度)。[III]将在借由FT-IR测定所测定的波数900~1,100cm-1的波峰，进行波峰分离成为波数920cm-1与1,080cm-1时，在920cm-1具有波峰之光谱的面积强度(A)与在1,080cm-1具有波峰之光谱的面积强度(B)之比(A/B)的值为1.0以上7.0以下。

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