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21. 发明专利

TW413839B 供高速率離軸濺鍍使用之高流動氣體歧管失效
简体标题：供高速率离轴溅镀使用之高流动气体歧管
公开(公告)号：TW413839B
公开(公告)日：2000-12-01
申请号：TW085101839
申请日：1996-02-14
申请人：杜邦股份有限公司
发明人：汀.威利特.費斯 , 肯斯登.伊利沙貝茲.麥爾斯
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C14/0063 , C23C14/087 , H01J37/3405 , H01L39/2435 , H01L39/2496 , Y10S505/731
摘要：本發明係揭示一種供離軸磁電管濺鍍無機氧化物用之改良型裝置,其具有濺射槍、靶材、基質、氣體流動治具與封閉室，其中之改善包括定位在基質與靶材間之具有至少一個氣體入口與至少一個出口開口於歧管上之中空氣體流動歧管，該出口開口係經定位以引導氣體流體遠離靶材且朝向基質之方向，以及此種沉積之方法。
简体摘要：本发明系揭示一种供离轴磁电管溅镀无机氧化物用之改良型设备,其具有溅射枪、靶材、基质、气体流动治具与封闭室，其中之改善包括定位在基质与靶材间之具有至少一个气体入口与至少一个出口开口于歧管上之中空气体流动歧管，该出口开口系经定位以引导气体流体远离靶材且朝向基质之方向，以及此种沉积之方法。

22. 发明专利

TWI435943B 薄膜金屬氮氧化半導體有权
简体标题：薄膜金属氮氧化半导体
公开(公告)号：TWI435943B
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW098108079
申请日：2009-03-12
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：葉雁 , YE, YAN
IPC分类号： C23C14/14 , H01L21/20 , H01L21/34
CPC分类号： C23C14/0063 , C23C14/0676 , H01J37/3408 , H01J37/3429 , H01L21/02521 , H01L21/0254 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02573 , H01L21/02631 , H01L29/26 , H01L29/7869 , H01L31/18 , H01L31/20 , Y02E10/50

23. 发明专利

TWI401330B 反應性濺鍍氧化鋅透明導電氧化物至大面積基材上有权
简体标题：反应性溅镀氧化锌透明导电氧化物至大面积基材上
公开(公告)号：TWI401330B
公开(公告)日：2013-07-11
申请号：TW096112371
申请日：2007-04-09
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：劉家凌 , LAU, ALLEN KA-LING , 稻川真 , INAGAWA, MAKOTO , 史汀森貝德利O , STIMSON, BRADLEY O. , 細川昭弘 , HOSOKAWA, AKIHIRO , 懷特約翰M , WHITE, JOHN M. , 葉洋 , YE, YAN , 卡丹安庫 , KADAM, ANKUR , 李洋平 , LI, YANPING
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/54
CPC分类号： C23C14/564 , C23C14/0063 , C23C14/35 , H01J37/3244 , H01J37/34 , H01J37/3438

24. 发明专利

TW201036043A 半導體裝置之製造方法及濺鍍裝置审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法及溅镀设备
公开(公告)号：TW201036043A
公开(公告)日：2010-10-01
申请号：TW098138980
申请日：2009-11-17
申请人：佳能安內華股份有限公司
发明人：池本學 , 山口述夫 , 真下公子 , 松尾和昭
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01L21/28097 , C23C14/0063 , C23C14/0068 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32761 , H01J37/3405 , H01J37/3447 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/02266 , H01L21/28202 , H01L21/3143 , H01L29/4966 , H01L29/517
摘要：本發明,係提供一種:並不使工程增加,而將金屬與反應性氣體間之膜組成作了改善的半導體裝置之製造方法以及濺鍍裝置。本發明之其中一種實施型態,係具備有:將基板載置在處理室內之基板支持器上的工程;和一面將第1反應性氣體以及較該第1反應性氣體而反應性為更高之第2反應性氣體導入至前述處理室中,一面對於前述處理室內之標靶施加電力而進行濺鍍,來在前述基板上成膜含有標靶材料之膜的成膜工程。前述成膜工程,係從被設置在前述標靶之近旁處的第1氣體導入口,而至少將前述第1反應性氣體導入,並從被設置在與前述標靶間之距離成為較前述第1氣體導入口而更為遠離之位置處的第2氣體導入口,而導入前述第2反應性氣體。
简体摘要：本发明,系提供一种:并不使工程增加,而将金属与反应性气体间之膜组成作了改善的半导体设备之制造方法以及溅镀设备。本发明之其中一种实施型态,系具备有:将基板载置在处理室内之基板支持器上的工程;和一面将第1反应性气体以及较该第1反应性气体而反应性为更高之第2反应性气体导入至前述处理室中,一面对于前述处理室内之标靶施加电力而进行溅镀,来在前述基板上成膜含有标靶材料之膜的成膜工程。前述成膜工程,系从被设置在前述标靶之近旁处的第1气体导入口,而至少将前述第1反应性气体导入,并从被设置在与前述标靶间之距离成为较前述第1气体导入口而更为远离之位置处的第2气体导入口,而导入前述第2反应性气体。

25. 发明专利

TW200419653A 半導體裝置之製造裝置及製造方法 MANUFACTURING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体设备之制造设备及制造方法 MANUFACTURING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200419653A
公开(公告)日：2004-10-01
申请号：TW092107130
申请日：2003-03-28
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：三浦一隆 KAZUTAKA MIURA , 野田省三 SHOZO NODA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/2855 , C23C14/0063 , C23C14/564 , H01L21/76841
摘要：一種半導體裝置之製造裝置及製造方法，其中於成膜室(1)之前段係透過氣閘等而連結有承載室(12)。承載室(12)連結有供給N2氣體及氣體或霧狀之H2O之配管，該配管係由氣化器(13)來連接。且承載室(12)中設有載置晶圓(20)之搬送部(15)，並且於承載室(12)之外部配置有使用液態氮冷卻搬送部(15)之冷卻器(14)。而搬送部(15)之溫度係保持在如–4℃。
简体摘要：一种半导体设备之制造设备及制造方法，其中于成膜室(1)之前段系透过气闸等而链接有承载室(12)。承载室(12)链接有供给N2气体及气体或雾状之H2O之配管，该配管系由气化器(13)来连接。且承载室(12)中设有载置晶圆(20)之搬送部(15)，并且于承载室(12)之外部配置有使用液态氮冷却搬送部(15)之冷却器(14)。而搬送部(15)之温度系保持在如–4℃。

26. 发明专利

TW562869B 噴濺裝置失效
简体标题：喷溅设备
公开(公告)号：TW562869B
公开(公告)日：2003-11-21
申请号：TW091101375
申请日：2002-01-28
申请人：日本板硝子股份有限公司
发明人：迫博明
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/0063 , C23C14/086
摘要：一種噴濺裝置1使用一種磁控管噴濺方法以一電漿中的離子噴濺一目標8，以從目標8於安裝在一旋轉的轉盤4上之玻璃基材5上形成一ITO膜，在目標8的平面中沿著相互正交的兩中央軸線各者呈對稱形狀之歧管9及10係配置為圍繞住目標8的整體周邊，且用於將一加工氣體排放至目標8上之加工氣體排放埠9a及10a係設置為分佈於整體歧管9及10上。
简体摘要：一种喷溅设备1使用一种磁控管喷溅方法以一等离子中的离子喷溅一目标8，以从目标8于安装在一旋转的转盘4上之玻璃基材5上形成一ITO膜，在目标8的平面中沿着相互正交的两中央轴线各者呈对称形状之歧管9及10系配置为围绕住目标8的整体周边，且用于将一加工气体排放至目标8上之加工气体排放端口9a及10a系设置为分布于整体歧管9及10上。

27. 发明专利

TW334521B 液晶顯示用薄膜之製成方法及製成裝置失效
简体标题：液晶显示用薄膜之制成方法及制成设备
公开(公告)号：TW334521B
公开(公告)日：1998-06-21
申请号：TW085107499
申请日：1996-06-22
申请人：安內華股份有限公司
发明人：吉岡勝也 , 岩田寬
IPC分类号： G02F
CPC分类号： C23C14/027 , C23C14/0063 , C23C14/56 , G02F1/133512
摘要：本發明之目的係為：有助於製成使外光(太陽光、室內光)的反射率減低並可構成畫面易看的液晶顯示薄膜。
本發明之構成係為：在具備由金屬所構成之目標(Target)8的陰極7前方，導入氧／氮之混合氣和氬氣以便在透明基板2之移動方向中的氧氣分壓梯度變成預定值，藉由目標8的反應性噴鍍在透明基板2的表面上製成金屬氧化物薄膜。薄膜係在膜厚方向構成具有預定組成比率的梯度者。藉由調節氧氣和氮氣的混合量，就可調節組成比率的梯度。
简体摘要：本发明之目的系为：有助于制成使外光(太阳光、室内光)的反射率减低并可构成画面易看的液晶显示薄膜。本发明之构成系为：在具备由金属所构成之目标(Target)8的阴极7前方，导入氧／氮之混合气和氩气以便在透明基板2之移动方向中的氧气分压梯度变成预定值，借由目标8的反应性喷镀在透明基板2的表面上制成金属氧化物薄膜。薄膜系在膜厚方向构成具有预定组成比率的梯度者。借由调节氧气和氮气的混合量，就可调节组成比率的梯度。

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