专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

21. 发明专利

TWI387088B 靜電放電保護電路及靜電保護方法有权
简体标题：静电放电保护电路及静电保护方法
公开(公告)号：TWI387088B
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：TW098119355
申请日：2009-06-10
申请人：聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.
发明人：林奕成 , LIN, I CHENG , 鄭道 , CHENG, TAO
IPC分类号： H01L23/60 , H05F3/00
CPC分类号： H02H9/046 , H02H3/006

22. 发明专利

TW201042753A 積體電感 INTEGRATED INDUCTOR 审中-公开
简体标题：积体电感 INTEGRATED INDUCTOR
公开(公告)号：TW201042753A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：TW098136495
申请日：2009-10-28
申请人：聯發科技股份有限公司
发明人：柯慶忠 , 李東興 , 詹歸娣 , 鄭道 , 楊明宗
IPC分类号： H01L , H01F
摘要：一種積體電感，包含一線圈，該線圈包括位於一鈍化層之上的一鋁層，其中，該鋁層不延伸到該鈍化層內部，該鋁層的厚度不小於2.0微米。本發明提供的積體電感具有較高品質因數Q。
简体摘要：一种积体电感，包含一线圈，该线圈包括位于一钝化层之上的一铝层，其中，该铝层不延伸到该钝化层内部，该铝层的厚度不小于2.0微米。本发明提供的积体电感具有较高品质因子Q。

23. 发明专利

TW200941642A 積體電路晶片 INTEGRATED CIRCUIT CHIPS 审中-公开
简体标题：集成电路芯片 INTEGRATED CIRCUIT CHIPS
公开(公告)号：TW200941642A
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：TW097123497
申请日：2008-06-24
申请人：聯發科技股份有限公司
发明人：柯慶忠 , 鄭道 , 劉典岳 , 周達璽 , 高鵬程
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/5286 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種可以降低電壓降並改善晶片效能的積體電路晶片，包括：半導體基底，其上具有多層金屬層間介電層及分別嵌於多層金屬層間介電層間的多層銅金屬層；第一保護層，覆蓋於多層金屬層間介電層及多層銅金屬層上；第一電源/接地環，形成於多層銅金屬層的最上層中，其中第一電源/接地環屬於積體電路晶片的一個電路區塊；第二電源/接地環，形成於第一保護層上的鋁金屬層中，且第二電源/接地環同屬於積體電路晶片的該電路區塊；以及第二保護層，覆蓋第二電源/接地環及第一保護層。
简体摘要：一种可以降低电压降并改善芯片性能的集成电路芯片，包括：半导体基底，其上具有多层金属层间介电层及分别嵌于多层金属层间介电层间的多层铜金属层；第一保护层，覆盖于多层金属层间介电层及多层铜金属层上；第一电源/接地环，形成于多层铜金属层的最上层中，其中第一电源/接地环属于集成电路芯片的一个电路区块；第二电源/接地环，形成于第一保护层上的铝金属层中，且第二电源/接地环同属于集成电路芯片的该电路区块；以及第二保护层，覆盖第二电源/接地环及第一保护层。

25. 发明专利

TW201707181A 半導體封裝、半導體設備及半導體封裝的製造方法审中-公开
简体标题：半导体封装、半导体设备及半导体封装的制造方法
公开(公告)号：TW201707181A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105120334
申请日：2016-06-28
申请人：聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.
发明人：許文松 , HSU, WEN SUNG , 林世欽 , LIN, SHIH CHIN , 鄭道 , CHENG, TAO
IPC分类号： H01L23/538 , H01L21/50
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/52 , H01L21/568 , H01L23/49805 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/48235 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06572 , H01L2225/1023 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/1434 , H01L2924/1436 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043
摘要：一種半導體封裝包括：一基底，一第一電子元件，一第一導電層，一第一柱層及一第一封裝體。該第一電子元件設置在該基底上。該第一柱層連接該第一導電層及該基底。該第一封裝體封裝該第一導電層，該第一柱層及該第一電子元件。該第一導電層嵌入於該第一封裝體中。
简体摘要：一种半导体封装包括：一基底，一第一电子组件，一第一导电层，一第一柱层及一第一封装体。该第一电子组件设置在该基底上。该第一柱层连接该第一导电层及该基底。该第一封装体封装该第一导电层，该第一柱层及该第一电子组件。该第一导电层嵌入于该第一封装体中。

27. 发明专利

TWI406411B 橫向雙極面結型電晶體有权
简体标题：横向双极面结型晶体管
公开(公告)号：TWI406411B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：TW098144235
申请日：2009-12-22
申请人：聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.
发明人：楊明宗 , YANG, MING TZONG , 鄭道 , CHENG, TAO , 柯慶忠 , KO, CHING CHUNG , 李東興 , LEE, TUNG HSING
IPC分类号： H01L29/735
CPC分类号： H01L29/735 , H01L29/0692 , H01L29/423

28. 发明专利

TWI385787B 積體電容有权
简体标题：积体电容
公开(公告)号：TWI385787B
公开(公告)日：2013-02-11
申请号：TW098126718
申请日：2009-08-10
申请人：聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.
发明人：鄭道 , CHENG, TAO , 陳文淋 , CHEN, WEN LIN
IPC分类号： H01L27/04
CPC分类号： H01L28/86

29. 发明专利

TWI337833B 高電壓靜電放電防護裝置之製作方法 METHOD FOR MANUFACTURING HIGH-VOLTAGE ESD PROTECTION DEVICE 有权
简体标题：高电压静电放电防护设备之制作方法 METHOD FOR MANUFACTURING HIGH-VOLTAGE ESD PROTECTION DEVICE
公开(公告)号：TWI337833B
公开(公告)日：2011-02-21
申请号：TW095124986
申请日：2006-07-07
申请人：聯發科技股份有限公司
发明人：余定政 , 鄭道 , 邱兆志
IPC分类号： H05F , H01L
CPC分类号： H01L27/0259 , H01L27/0664
摘要：本發明為一種高電壓靜電放電防護裝置及其製作方法，係以跨接於連接內電路之輸入端與接地端，並相互並聯設置PNP電晶體與二極體等靜電放電防護元件形成一靜電放電路徑，達到高電壓靜電放電防護之目的。該PNP型電晶體為相鄰之高濃度摻雜之P型半導體區(P+)、低濃度摻雜之N型半導體區(N-)與P型基板(P-sub)結構；該二極體係為低摻雜濃度之N型半導體區與低摻雜濃度之P型半導體區相鄰之結構。
简体摘要：本发明为一种高电压静电放电防护设备及其制作方法，系以跨接于连接内电路之输入端与接地端，并相互并联设置PNP晶体管与二极管等静电放电防护组件形成一静电放电路径，达到高电压静电放电防护之目的。该PNP型晶体管为相邻之高浓度掺杂之P型半导体区(P+)、低浓度掺杂之N型半导体区(N-)与P型基板(P-sub)结构；该二极管系为低掺杂浓度之N型半导体区与低掺杂浓度之P型半导体区相邻之结构。

30. 发明专利

TW201037835A 橫向雙極面結型電晶體 LATERAL BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR 审中-公开
简体标题：横向双极面结型晶体管 LATERAL BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
公开(公告)号：TW201037835A
公开(公告)日：2010-10-16
申请号：TW098144235
申请日：2009-12-22
申请人：聯發科技股份有限公司
发明人：楊明宗 , 鄭道 , 柯慶忠 , 李東興
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/735 , H01L29/0692 , H01L29/423
摘要：一種橫向雙極面結型電晶體，形成在半導體基板中，包含：一射極區域；一基極區域，環繞該射極區域；一閘極，設置在該基極區域之至少一部分之上；一集極區域，具有至少一開放邊，以及，該集極區域設置在該基極區域外圍；一淺溝槽隔離區域，該淺溝槽隔離區域設置在該集極區域外圍；一基極接觸區域，該基極接觸區域設置在該淺溝槽隔離區域外圍，以及；一擴展區域，該擴展區域與該基極接觸區域合併，並且該擴展區域橫向擴展到該集極區域之至少一開放邊上的該閘極。
简体摘要：一种横向双极面结型晶体管，形成在半导体基板中，包含：一射极区域；一基极区域，环绕该射极区域；一闸极，设置在该基极区域之至少一部分之上；一集极区域，具有至少一开放边，以及，该集极区域设置在该基极区域外围；一浅沟槽隔离区域，该浅沟槽隔离区域设置在该集极区域外围；一基极接触区域，该基极接触区域设置在该浅沟槽隔离区域外围，以及；一扩展区域，该扩展区域与该基极接触区域合并，并且该扩展区域横向扩展到该集极区域之至少一开放边上的该闸极。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式