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1. 发明专利

TWI381483B 積體電路晶片有权
简体标题：集成电路芯片
公开(公告)号：TWI381483B
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW097123497
申请日：2008-06-24
申请人：聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.
发明人：柯慶忠 , KO, CHING CHUNG , 鄭道 , CHENG, TAO , 劉典岳 , LIU, TIEN YUEH , 周達璽 , CHOU, DAR SHII , 高鵬程 , KAO, PENG CHENG
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L23/5286 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

2. 发明专利

TW201032276A 橫向雙極性接面電晶體及其製造方法 LATERAL BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR AND FABRICATED METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：横向双极性接面晶体管及其制造方法 LATERAL BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR AND FABRICATED METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201032276A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：TW099100185
申请日：2010-01-06
申请人：聯發科技股份有限公司
发明人：柯慶忠 , 李東興 , 曾崢
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/735 , H01L21/8222 , H01L27/082 , H01L29/6625
摘要：本發明涉及橫向雙極性接面電晶體及其製造方法。一種橫向雙極性接面電晶體包含:射極區;基極區,環繞射極區;閘極,被佈置於至少一部分基極區之上;以及集極區,環繞基極區;其中閘極之下之該部分基極區不經歷臨界電壓佈植製程。
简体摘要：本发明涉及横向双极性接面晶体管及其制造方法。一种横向双极性接面晶体管包含:射极区;基极区,环绕射极区;闸极,被布置于至少一部分基极区之上;以及集极区,环绕基极区;其中闸极之下之该部分基极区不经历临界电压布植制程。

3. 发明专利

TWI406411B 橫向雙極面結型電晶體有权
简体标题：横向双极面结型晶体管
公开(公告)号：TWI406411B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：TW098144235
申请日：2009-12-22
申请人：聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.
发明人：楊明宗 , YANG, MING TZONG , 鄭道 , CHENG, TAO , 柯慶忠 , KO, CHING CHUNG , 李東興 , LEE, TUNG HSING
IPC分类号： H01L29/735
CPC分类号： H01L29/735 , H01L29/0692 , H01L29/423

4. 发明专利

TW201037835A 橫向雙極面結型電晶體 LATERAL BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR 审中-公开
简体标题：横向双极面结型晶体管 LATERAL BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
公开(公告)号：TW201037835A
公开(公告)日：2010-10-16
申请号：TW098144235
申请日：2009-12-22
申请人：聯發科技股份有限公司
发明人：楊明宗 , 鄭道 , 柯慶忠 , 李東興
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/735 , H01L29/0692 , H01L29/423
摘要：一種橫向雙極面結型電晶體，形成在半導體基板中，包含：一射極區域；一基極區域，環繞該射極區域；一閘極，設置在該基極區域之至少一部分之上；一集極區域，具有至少一開放邊，以及，該集極區域設置在該基極區域外圍；一淺溝槽隔離區域，該淺溝槽隔離區域設置在該集極區域外圍；一基極接觸區域，該基極接觸區域設置在該淺溝槽隔離區域外圍，以及；一擴展區域，該擴展區域與該基極接觸區域合併，並且該擴展區域橫向擴展到該集極區域之至少一開放邊上的該閘極。
简体摘要：一种横向双极面结型晶体管，形成在半导体基板中，包含：一射极区域；一基极区域，环绕该射极区域；一闸极，设置在该基极区域之至少一部分之上；一集极区域，具有至少一开放边，以及，该集极区域设置在该基极区域外围；一浅沟槽隔离区域，该浅沟槽隔离区域设置在该集极区域外围；一基极接触区域，该基极接触区域设置在该浅沟槽隔离区域外围，以及；一扩展区域，该扩展区域与该基极接触区域合并，并且该扩展区域横向扩展到该集极区域之至少一开放边上的该闸极。

5. 发明专利

TWI414022B 橫向雙極性接面電晶體及其製造方法有权
简体标题：横向双极性接面晶体管及其制造方法
公开(公告)号：TWI414022B
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW099100185
申请日：2010-01-06
申请人：聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.
发明人：柯慶忠 , KO, CHING CHUNG , 李東興 , LEE, TUNG HSING , 曾崢 , ZENG, ZHENG
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/735
CPC分类号： H01L29/735 , H01L21/8222 , H01L27/082 , H01L29/6625

6. 发明专利

TW201304119A 積體電路裝置审中-公开
简体标题：集成电路设备
公开(公告)号：TW201304119A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW101123844
申请日：2012-07-03
申请人：聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.
发明人：李東興 , LEE, TUNG HSING , 徐哲祥 , HSU, TSE HSIANG , 柯慶忠 , KO, CHING CHUNG
IPC分类号： H01L27/04 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/823842 , H01L27/0207 , H01L27/092
摘要：本發明實施例係提供一種積體電路裝置，包括：一由一絕緣區定義之擴散區，位於一基材中；一PMOS電晶體，其包含一金屬閘極、一高介電常數介電層及源極/汲極區，此金屬閘極及此高介電常數介電層設置於此擴散區上，此源極/汲極區在一第一方向上將此金屬閘極夾於其間；複數個虛置擴散區圍繞此擴散區設置，並與此擴散區具有間隔；以及複數個第一虛置圖案，位於此PMOS電晶體於一第二方向上之兩側，且夾於這些虛置擴散區及此擴散區之間，其中此第二方向垂直於此第一方向。
简体摘要：本发明实施例系提供一种集成电路设备，包括：一由一绝缘区定义之扩散区，位于一基材中；一PMOS晶体管，其包含一金属闸极、一高介电常数介电层及源极/汲极区，此金属闸极及此高介电常数介电层设置于此扩散区上，此源极/汲极区在一第一方向上将此金属闸极夹于其间；复数个虚置扩散区围绕此扩散区设置，并与此扩散区具有间隔；以及复数个第一虚置图案，位于此PMOS晶体管于一第二方向上之两侧，且夹于这些虚置扩散区及此扩散区之间，其中此第二方向垂直于此第一方向。

7. 发明专利

TWI371783B 用於減少微負載效應的半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE FOR ALLEVIATING MICRO-LOADING EFFECT 有权
简体标题：用于减少微负载效应的半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE FOR ALLEVIATING MICRO-LOADING EFFECT
公开(公告)号：TWI371783B
公开(公告)日：2012-09-01
申请号：TW097116986
申请日：2008-05-08
申请人：聯發科技股份有限公司
发明人：李東興 , 楊明宗 , 鄭道 , 柯慶忠 , 張添昌 , 張裕東
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7848 , H01L21/02532 , H01L21/02658 , H01L21/823412 , H01L21/823418 , H01L29/165 , H01L29/66628 , H01L29/66636
摘要：一種用於減少微負載效應的半導體裝置，包含：半導體基體，其上具有位於內部區域以及外部區域之間之中間環形區域；矽鍺裝置，位於半導體基體上之內部區域內；以及複數個第一假鍍圖案，位於半導體基體上之中間環形區域內，其中至少一第一假鍍圖案包含矽鍺。
简体摘要：一种用于减少微负载效应的半导体设备，包含：半导体基体，其上具有位于内部区域以及外部区域之间之中间环形区域；硅锗设备，位于半导体基体上之内部区域内；以及复数个第一假镀图案，位于半导体基体上之中间环形区域内，其中至少一第一假镀图案包含硅锗。

8. 发明专利

TW201041123A 橫向雙極性接面電晶體及其製造方法 LATERAL BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR AND FABRICATIONG METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：横向双极性接面晶体管及其制造方法 LATERAL BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR AND FABRICATIONG METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201041123A
公开(公告)日：2010-11-16
申请号：TW099114069
申请日：2010-05-03
申请人：聯發科技股份有限公司
发明人：楊明宗 , 柯慶忠 , 李東興 , 曾崢
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/735 , H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L29/0692 , H01L29/6625
摘要：提供一種橫向雙極性接面電晶體及其製造方法。橫向雙極性接面電晶體包含:射極區、環繞射極區之基極區、佈置於至少一部分基極區之上的閘極、環繞基極區之集極區、於閘極邊緣與集極區之間的輕摻雜汲極區、佈置於輕摻雜汲極區之上或越過輕摻雜汲極區的矽化物阻擋層、以及形成於至少一部分集極區之上的集極金屬矽化物,其中於閘極之間隔物之邊緣與集極區之間具有偏置。上述雙極性接面電晶體及其製造方法能夠使電晶體具有更好的雙極性能及高崩潰電壓。
简体摘要：提供一种横向双极性接面晶体管及其制造方法。横向双极性接面晶体管包含:射极区、环绕射极区之基极区、布置于至少一部分基极区之上的闸极、环绕基极区之集极区、于闸极边缘与集极区之间的轻掺杂汲极区、布置于轻掺杂汲极区之上或越过轻掺杂汲极区的硅化物阻挡层、以及形成于至少一部分集极区之上的集极金属硅化物,其中于闸极之间隔物之边缘与集极区之间具有偏置。上述双极性接面晶体管及其制造方法能够使晶体管具有更好的双极性能及高崩溃电压。

9. 发明专利

TWI469320B 積體電路裝置有权
简体标题：集成电路设备
公开(公告)号：TWI469320B
公开(公告)日：2015-01-11
申请号：TW101123844
申请日：2012-07-03
申请人：聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.
发明人：李東興 , LEE, TUNG HSING , 徐哲祥 , HSU, TSE HSIANG , 柯慶忠 , KO, CHING CHUNG
IPC分类号： H01L27/04 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/823842 , H01L27/0207 , H01L27/092

10. 发明专利

TWI467741B 積體電感結構有权
简体标题：积体电感结构
公开(公告)号：TWI467741B
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW098136495
申请日：2009-10-28
申请人：聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.
发明人：柯慶忠 , KO, CHING CHUNG , 李東興 , LEE, TUNG HSING , 詹歸娣 , CHAN, KUEI TI , 鄭道 , CHENG, TAO , 楊明宗 , YANG, MING TZONG
IPC分类号： H01L27/04 , H01F5/00

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