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    • 1. 发明专利
    • 積體電路晶片 INTEGRATED CIRCUIT CHIPS
    • 集成电路芯片 INTEGRATED CIRCUIT CHIPS
    • TW200941642A
    • 2009-10-01
    • TW097123497
    • 2008-06-24
    • 聯發科技股份有限公司
    • 柯慶忠鄭道劉典岳周達璽高鵬程
    • H01L
    • H01L23/5286H01L2924/0002H01L2924/00
    • 一種可以降低電壓降並改善晶片效能的積體電路晶片,包括:半導體基底,其上具有多層金屬層間介電層及分別嵌於多層金屬層間介電層間的多層銅金屬層;第一保護層,覆蓋於多層金屬層間介電層及多層銅金屬層上;第一電源/接地環,形成於多層銅金屬層的最上層中,其中第一電源/接地環屬於積體電路晶片的一個電路區塊;第二電源/接地環,形成於第一保護層上的鋁金屬層中,且第二電源/接地環同屬於積體電路晶片的該電路區塊;以及第二保護層,覆蓋第二電源/接地環及第一保護層。
    • 一种可以降低电压降并改善芯片性能的集成电路芯片,包括:半导体基底,其上具有多层金属层间介电层及分别嵌于多层金属层间介电层间的多层铜金属层;第一保护层,覆盖于多层金属层间介电层及多层铜金属层上;第一电源/接地环,形成于多层铜金属层的最上层中,其中第一电源/接地环属于集成电路芯片的一个电路区块;第二电源/接地环,形成于第一保护层上的铝金属层中,且第二电源/接地环同属于集成电路芯片的该电路区块;以及第二保护层,覆盖第二电源/接地环及第一保护层。