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21. 发明专利

TW201617637A 霍爾感測器之製造方法及霍爾感測器與鏡頭模組审中-公开
简体标题：霍尔传感器之制造方法及霍尔传感器与镜头模块
公开(公告)号：TW201617637A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW104131016
申请日：2015-09-18
申请人：旭化成微電子股份有限公司 , ASAHI KASEI MICRODEVICES CORPORATION
发明人：福中敏昭 , FUKUNAKA, TOSHIAKI
IPC分类号： G01R33/07 , H01L43/06 , G02B7/08
CPC分类号： G01R33/07 , H01L43/04 , H01L43/06 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/00014
摘要：本發明係關於一種薄型且小型、磁性特性之不均少之霍爾感測器之製造方法及霍爾感測器與鏡頭模組。將形成有引線端子(21a~21d)之金屬板配置於基材(30)上，將霍爾元件(10)配置於由引線端子包圍之區域，利用導線將電極部(13a~13d)與引線端子電性連接，利用密封構件將霍爾元件、導線、及引線端子之與導線連接之面即第2面(M2)進行密封，去除基材(30)，使引線端子之與第2面為相反側之第1面(M1)自密封構件露出，引線端子於第2面上，於以載置霍爾元件之位置為中心之橢圓形或多邊形之周邊上具有階差(D)，於靠近載置霍爾元件之位置之側具有第1部位(N1)，於遠離之側具有第2部位(N2)，至第1部位之第2面為止之高度形成為低於至第2部位之第2面為止之高度。
简体摘要：本发明系关于一种薄型且小型、磁性特性之不均少之霍尔传感器之制造方法及霍尔传感器与镜头模块。将形成有引线端子(21a~21d)之金属板配置于基材(30)上，将霍尔组件(10)配置于由引线端子包围之区域，利用导线将电极部(13a~13d)与引线端子电性连接，利用密封构件将霍尔组件、导线、及引线端子之与导线连接之面即第2面(M2)进行密封，去除基材(30)，使引线端子之与第2面为相反侧之第1面(M1)自密封构件露出，引线端子于第2面上，于以载置霍尔组件之位置为中心之椭圆形或多边形之周边上具有阶差(D)，于靠近载置霍尔组件之位置之侧具有第1部位(N1)，于远离之侧具有第2部位(N2)，至第1部位之第2面为止之高度形成为低于至第2部位之第2面为止之高度。

22. 发明专利

TW201601361A 霍爾感測器审中-公开
简体标题：霍尔传感器
公开(公告)号：TW201601361A
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW104109040
申请日：2015-03-20
申请人：旭化成微電子股份有限公司 , ASAHI KASEI MICRODEVICES CORPORATION
发明人：福中敏昭 , FUKUNAKA, TOSHIAKI , 笠松新 , KASAMATSU, ARATA
IPC分类号： H01L43/06 , H01L43/04
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/4903 , H01L2224/97 , H01L2924/18165 , H01L2924/00014
摘要：本發明之目的在於提供一種霍爾感測器，其係即使於使無島構造之霍爾感測器中GaAs霍爾元件小型薄型化之情形時，亦可防止洩漏電流之增大。本發明之霍爾感測器包含：GaAs霍爾元件10，其包含其設置於GaAs基板11上之感磁部12、電極13a~13d、及設置於GaAs基板11之與設置有電極13a~13d之面相反側之面側之保護層40；導線端子22~25，其配置於GaAs霍爾元件10之周圍；金屬細線31~34，其分別電性連接電極13a~13d與導線端子22~25；模製構件50，其將該等予以模製。保護層40及導線端子22~25之第1面(即，與連接於金屬細線31~34之面相反側之面)自模製構件50之相同面露出。GaAs基板11之電阻率係5.0×107Ω．cm以上。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种霍尔传感器，其系即使于使无岛构造之霍尔传感器中GaAs霍尔组件小型薄型化之情形时，亦可防止泄漏电流之增大。本发明之霍尔传感器包含：GaAs霍尔组件10，其包含其设置于GaAs基板11上之感磁部12、电极13a~13d、及设置于GaAs基板11之与设置有电极13a~13d之面相反侧之面侧之保护层40；导线端子22~25，其配置于GaAs霍尔组件10之周围；金属细线31~34，其分别电性连接电极13a~13d与导线端子22~25；模制构件50，其将该等予以模制。保护层40及导线端子22~25之第1面(即，与连接于金属细线31~34之面相反侧之面)自模制构件50之相同面露出。GaAs基板11之电阻率系5.0×107Ω．cm以上。

23. 发明专利

TW201525557A 相機模組之調整方法及透鏡位置控制裝置以及線性運動裝置之控制裝置及其控制方法审中-公开
简体标题：相机模块之调整方法及透镜位置控制设备以及线性运动设备之控制设备及其控制方法
公开(公告)号：TW201525557A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103142218
申请日：2014-12-04
申请人：旭化成微電子股份有限公司 , ASAHI KASEI MICRODEVICES CORPORATION
发明人：笠松新 , KASAMATSU, ARATA , 礒貝一臣 , ISOGAI, KAZUOMI
IPC分类号： G02B7/28 , G03B13/36
CPC分类号： H04N5/23212 , G02B7/08 , G02B7/09 , H02P25/06 , H04N5/2257
摘要：本發明係關於一種能夠於將攝像元件與致動器組合而成之相機模組之狀態下，將任意之對焦被攝體距離最佳化之相機模組之調整方法及透鏡位置控制裝置以及線性運動裝置之控制裝置及其控制方法。本發明包括：位置感測器(53)，其檢測透鏡(50)之位置並輸出檢測位置信號；記憶部(541)，其記憶與成為透鏡之焦距之透鏡位置對應之位置碼值，且可進行覆寫；目標位置信號產生部(542)，其基於位置碼值與目標位置碼值而輸出目標位置信號；及控制部(543)，其基於目標位置信號與檢測位置信號而產生控制信號。
简体摘要：本发明系关于一种能够于将摄像组件与致动器组合而成之相机模块之状态下，将任意之对焦被摄体距离最优化之相机模块之调整方法及透镜位置控制设备以及线性运动设备之控制设备及其控制方法。本发明包括：位置传感器(53)，其检测透镜(50)之位置并输出检测位置信号；记忆部(541)，其记忆与成为透镜之焦距之透镜位置对应之位置码值，且可进行覆写；目标位置信号产生部(542)，其基于位置码值与目标位置码值而输出目标位置信号；及控制部(543)，其基于目标位置信号与检测位置信号而产生控制信号。

24. 发明专利

TWI485411B 電流感測器用基板及電流感測器有权
简体标题：电流传感器用基板及电流传感器
公开(公告)号：TWI485411B
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：TW101125454
申请日：2012-07-13
申请人：旭化成微電子股份有限公司 , ASAHI KASEI MICRODEVICES CORPORATION
发明人：鈴木健治 , SUZUKI, KENJI
IPC分类号： G01R31/26
CPC分类号： G01R15/207 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05554 , H01L2224/3701 , H01L2224/37013 , H01L2224/3702 , H01L2224/40095 , H01L2224/40247 , H01L2224/45 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73221 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012 , H01L2224/37099 , H01L2224/84

25. 发明专利

TW201506436A 生物體感知器及省電模式設定方法审中-公开
简体标题：生物体感知器及省电模式设置方法
公开(公告)号：TW201506436A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW103120225
申请日：2014-06-11
申请人：旭化成微電子股份有限公司 , ASAHI KASEI MICRODEVICES CORPORATION
发明人：中三川京彌 , NAKAMIKAWA, KYOYA
IPC分类号： G01V8/10 , G06F1/32
CPC分类号： G01V9/005 , G01J5/0025 , G01V9/00 , G06F1/3203 , G06F1/3206 , G06F1/3231 , Y02D10/173 , Y10T307/773
摘要：本發明可準確地檢測感測器之視野內的物體之有無等物體之狀態。因此，對作為溫度感測器輸出值S之直流成分的DC輸出Sdc進行運算(步驟S2)，並基於此而取得表示波動是因通行人引起、還是因使用者引起等之波動位準(步驟S3)。於成為DC輸出Sdc低於DC輸出閾值THdc之狀態時(步驟S8)，當並非因使用者引起及因通行人引起之波動時，離席判定計數器增量，於到達上限值時，判定為離席狀態(步驟S11~S13)。於為因通行人引起、因使用者引起之波動之情形時，重設離席判定計數器(步驟S16、步驟S17)，進而於為因使用者引起之波動之情形時，根據此時之DC輸出Sdc，再次設定DC輸出閾值THdc(步驟S18)。
简体摘要：本发明可准确地检测传感器之视野内的物体之有无等物体之状态。因此，对作为温度传感器输出值S之直流成分的DC输出Sdc进行运算(步骤S2)，并基于此而取得表示波动是因通行人引起、还是因用户引起等之波动位准(步骤S3)。于成为DC输出Sdc低于DC输出阈值THdc之状态时(步骤S8)，当并非因用户引起及因通行人引起之波动时，离席判定计数器增量，于到达上限值时，判定为离席状态(步骤S11~S13)。于为因通行人引起、因用户引起之波动之情形时，重设离席判定计数器(步骤S16、步骤S17)，进而于为因用户引起之波动之情形时，根据此时之DC输出Sdc，再次设置DC输出阈值THdc(步骤S18)。

26. 发明专利

TW201447991A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201447991A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103106539
申请日：2014-02-26
申请人：旭化成微電子股份有限公司 , ASAHI KASEI MICRODEVICES CORPORATION
发明人：阪本敏郎 , SAKAMOTO, TOSHIRO
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/331 , H01L29/417 , H01L29/737
CPC分类号： H01L29/7378 , H01L21/28 , H01L29/66242
摘要：本發明係一種具備將多晶矽膜用於發射電極之雙極電晶體之半導體裝置，該雙極電晶體包括：集電極區域，其形成於Si基板(1)；基底層(30)，其形成於集電極區域上；發射極區域(39)，其形成於基底層(30)中之自集電極區域隔開之上側部位；及氧化矽膜(41)，其形成於基底層(30)上，且覆蓋基底層(30)與發射極區域(39)之接合部。存在於上述之接合部中且與氧化矽膜(41)之界面之氟元素之濃度為1×1020 cm-3以上。
简体摘要：本发明系一种具备将多晶硅膜用于发射电极之双极晶体管之半导体设备，该双极晶体管包括：集电极区域，其形成于Si基板(1)；基底层(30)，其形成于集电极区域上；发射极区域(39)，其形成于基底层(30)中之自集电极区域隔开之上侧部位；及氧化硅膜(41)，其形成于基底层(30)上，且覆盖基底层(30)与发射极区域(39)之接合部。存在于上述之接合部中且与氧化硅膜(41)之界面之氟元素之浓度为1×1020 cm-3以上。

27. 发明专利

TW201405131A 探針卡固定裝置、探針檢查裝置、探針檢查方法、及探針卡审中-公开
简体标题：探针卡固定设备、探针检查设备、探针检查方法、及探针卡
公开(公告)号：TW201405131A
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW102122253
申请日：2013-06-21
申请人：旭化成微電子股份有限公司 , ASAHI KASEI MICRODEVICES CORPORATION
发明人：山崎俊彥 , YAMAZAKI, TOSHIHIKO
IPC分类号： G01R1/073
CPC分类号： G01R31/2891
摘要：本發明提供一種可抑制因探針卡或卡固持器之熱膨脹所產生之探針之前端位置之變動的探針卡固定裝置、探針檢查裝置、探針檢查方法及探針卡。本發明之探針卡固定裝置係將探針卡10固定於探針器者，且包括用以固定於探針器之殼體之連接環30、用以在與連接環30之間夾持探針卡10之外周部之卡固持器20、及用以固定探針卡10之中央部與連接環30之PCLS50。
简体摘要：本发明提供一种可抑制因探针卡或卡固持器之热膨胀所产生之探针之前端位置之变动的探针卡固定设备、探针检查设备、探针检查方法及探针卡。本发明之探针卡固定设备系将探针卡10固定于探针器者，且包括用以固定于探针器之壳体之连接环30、用以在与连接环30之间夹持探针卡10之外周部之卡固持器20、及用以固定探针卡10之中央部与连接环30之PCLS50。

28. 发明专利

TW201347007A 半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201347007A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW102108125
申请日：2013-03-07
申请人：旭化成微電子股份有限公司 , ASAHI KASEI MICRODEVICES CORPORATION
发明人：香月將吾 , KATSUKI, SHOGO , 阪本敏郎 , SAKAMOTO, TOSHIRO
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/823462 , H01L21/02164 , H01L21/02271 , H01L21/26506 , H01L21/28167 , H01L21/28185 , H01L21/2822 , H01L21/324 , H01L29/51 , H01L29/78 , Y10S438/981
摘要：本發明之半導體裝置之製造方法包含以下步驟：對矽基板1實施熱氧化，而於第1區域與第2區域分別形成第1閘極氧化膜11；於第1閘極氧化膜11上形成CVD氧化膜11；經由CVD氧化膜11與第1閘極氧化膜11，分別對第1區域與第2區域植入氟(F)；自第2區域之第1閘極氧化膜11上除去CVD氧化膜11；自第2區域除去第1閘極氧化膜11；及對矽基板1實施熱氧化，而於第2區域形成第2閘極氧化膜21。
简体摘要：本发明之半导体设备之制造方法包含以下步骤：对硅基板1实施热氧化，而于第1区域与第2区域分别形成第1闸极氧化膜11；于第1闸极氧化膜11上形成CVD氧化膜11；经由CVD氧化膜11与第1闸极氧化膜11，分别对第1区域与第2区域植入氟(F)；自第2区域之第1闸极氧化膜11上除去CVD氧化膜11；自第2区域除去第1闸极氧化膜11；及对硅基板1实施热氧化，而于第2区域形成第2闸极氧化膜21。

29. 发明专利

TWI411787B 電流感測器有权
简体标题：电流传感器
公开(公告)号：TWI411787B
公开(公告)日：2013-10-11
申请号：TW100118355
申请日：2011-05-25
申请人：旭化成微電子股份有限公司 , ASAHI KASEI MICRODEVICES CORPORATION
发明人：鈴木健治 , SUZUKI, KENJI , 深澤尚也 , FUKAZAWA, NAOYA , 長谷川秀則 , HASEGAWA, HIDENORI
IPC分类号： G01R15/20 , G01R19/00

30. 发明专利

TW201307865A 電流感測器用基板及電流感測器审中-公开
简体标题：电流传感器用基板及电流传感器
公开(公告)号：TW201307865A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101125454
申请日：2012-07-13
申请人：旭化成微電子股份有限公司 , ASAHI KASEI MICRODEVICES CORPORATION
发明人：鈴木健治 , SUZUKI, KENJI
IPC分类号： G01R31/26
CPC分类号： G01R15/207 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05554 , H01L2224/3701 , H01L2224/37013 , H01L2224/3702 , H01L2224/40095 , H01L2224/40247 , H01L2224/45 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73221 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012 , H01L2224/37099 , H01L2224/84
摘要：本發明之目的係在包含具有U字形電流路徑之一次導體之電流感測器中降低製造成本。電流感測器(200)包含：具有U字形電流路徑(210A)之一次導體(210)、用以支撐磁電轉換元件(230A)之支撐部(220A)、及連接於支撐部(210A)之引線端子(220B_1)，且支撐部(220A)以不與電流路徑(210A)電性連接之方式形成。
简体摘要：本发明之目的系在包含具有U字形电流路径之一次导体之电流传感器中降低制造成本。电流传感器(200)包含：具有U字形电流路径(210A)之一次导体(210)、用以支撑磁电转换组件(230A)之支撑部(220A)、及连接于支撑部(210A)之引线端子(220B_1)，且支撑部(220A)以不与电流路径(210A)电性连接之方式形成。

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