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11. 发明专利

TW201505737A 接合材及使用其之接合方法审中-公开
公开(公告)号：TW201505737A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW103121375
申请日：2014-06-20
申请人：同和電子科技有限公司 , DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
发明人：遠藤圭一 , ENDOH, KEIICHI , 永岡實奈美 , NAGAOKA, MINAMI , 栗田哲 , KURITA, SATORU , 三好宏昌 , MIYOSHI, HIROMASA , 河野佳子 , KOHNO, YOSHIKO , 宮澤彰宏 , MIYAZAWA, AKIHIRO
IPC分类号： B22F1/02 , B23K20/00 , B23K35/363
CPC分类号： B23K35/3006 , B22F1/0014 , B22F1/0018 , B22F1/0022 , B22F1/0062 , B22F1/0074 , B22F7/064 , B22F2301/255 , B22F2303/40 , B22F2304/05 , B23K1/0008 , B23K35/025 , H05K3/3484
摘要：一種由銀糊構成之接合材，該銀糊包含：銀微粒子，係被己酸等碳數8以下之有機化合物被覆且平均一次粒徑係1至50nm；銀粒子，係被油酸等之有機化合物被覆且平均一次粒徑係0.5至4μm；溶劑，係由3至7質量%之醇及0.3至0.1質量%之三醇構成；分散劑，係由0.5至2質量%之酸系分散劑及0.01至0.1質量%之磷酸酯系分散劑構成；及燒結助劑，係0.01至0.1質量%之縮二羥乙酸等，其中銀微粒子之含量係5至30質量%，銀粒子之含量係60至90質量%，且銀微粒子與銀粒子之總含量係90質量%以上。
简体摘要：一种由银煳构成之接合材，该银煳包含：银微粒子，系被己酸等碳数8以下之有机化合物被覆且平均一次粒径系1至50nm；银粒子，系被油酸等之有机化合物被覆且平均一次粒径系0.5至4μm；溶剂，系由3至7质量%之醇及0.3至0.1质量%之三醇构成；分散剂，系由0.5至2质量%之酸系分散剂及0.01至0.1质量%之磷酸酯系分散剂构成；及烧结助剂，系0.01至0.1质量%之缩二羟乙酸等，其中银微粒子之含量系5至30质量%，银粒子之含量系60至90质量%，且银微粒子与银粒子之总含量系90质量%以上。

12. 发明专利

TWI671152B 金屬接合之製程有权
简体标题：金属接合之制程
公开(公告)号：TWI671152B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW107136988
申请日：2018-10-19
申请人：林智雄 , LIN, CHI HSIUNG , 林建棋 , 左北辰
发明人：林智雄 , LIN, CHI HSIUNG , 林建棋 , 左北辰
IPC分类号： B23K1/00 , B23K1/19 , B23K1/20 , B23K35/02 , B23K35/363 , B23K35/28 , G12B15/06 , F28F3/00 , F16D49/16 , B23K103/20

13. 发明专利

TWI670729B 導電糊料、連接構造體及連接構造體之製造方法有权
简体标题：导电煳料、连接构造体及连接构造体之制造方法
公开(公告)号：TWI670729B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW104118394
申请日：2015-06-05
申请人：日商積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：久保田敬士 , KUBOTA, TAKASHI , 石澤英亮 , ISHIZAWA, HIDEAKI
IPC分类号： H01B1/20 , B23K35/02 , B23K35/363 , B23K35/26 , H01L21/60 , H01L23/488 , H01R11/01 , H01R43/00 , H05K3/34

14. 发明专利

TWI666086B 焊錫凸塊之形成方法有权
简体标题：焊锡凸块之形成方法
公开(公告)号：TWI666086B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW104134371
申请日：2015-10-20
申请人：日商三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：山本佳史 , YAMAMOTO, YOSHIFUMI , 石川雅之 , ISHIKAWA, MASAYUKI , 宇野浩規 , UNO, HIRONORI
IPC分类号： B23K35/363 , B23K35/26 , C22C13/00 , H05K3/34 , B23K3/06 , B23K1/00 , H01L21/60 , B23K101/40 , B23K101/42

15. 发明专利

TWI637808B 助焊劑有权
简体标题：助焊剂
公开(公告)号：TWI637808B
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：TW107100770
申请日：2018-01-09
申请人：日商千住金屬工業股份有限公司 , SENJU METAL INDUSTRY CO., LTD.
发明人：川中子知久 , KAWANAGO, TOMOHISA , 平岡美幸 , HIRAOKA, MIYUKI , 西貴洋 , NISHIZAKI, TAKAHIRO , 児島直克 , KOJIMA, NAOKATSU , 川浩由 , KAWASAKI, HIROYOSHI
IPC分类号： B23K35/363

16. 发明专利

TW201700444A 助焊劑及製造半導體裝置之方法审中-公开
简体标题：助焊剂及制造半导体设备之方法
公开(公告)号：TW201700444A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105111612
申请日：2016-04-14
申请人：富士通股份有限公司 , FUJITSU LIMITED
发明人：清水浩三 , SHIMIZU, KOZO , 作山誠樹 , SAKUYAMA, SEIKI , 今泉延弘 , IMAIZUMI, NOBUHIRO
IPC分类号： C07C31/18 , B23K35/363 , B23K35/26 , H01L21/60 , H05K3/34
CPC分类号： B23K35/3613 , B23K35/0222 , B23K35/262 , B23K35/3006 , B23K35/36 , B23K35/3612 , B23K35/362 , B23K2201/40 , H01L24/81 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/16238 , H01L2224/81024 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81815 , H01L2924/014 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641
摘要：一種助焊劑，包含：具有300或更小分子量之第一二醇型多元醇；以及具有600或更大分子量之第二二醇型多元醇。
简体摘要：一种助焊剂，包含：具有300或更小分子量之第一二醇型多元醇；以及具有600或更大分子量之第二二醇型多元醇。

17. 发明专利

TWI561331B 洗淨用助焊劑以及洗淨用焊膏有权
简体标题：洗净用助焊剂以及洗净用焊膏
公开(公告)号：TWI561331B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW103125806
申请日：2014-07-29
申请人：千住金屬工業股份有限公司 , SENJU METAL INDUSTRY CO., LTD.
发明人：児島直克 , KOJIMA, NAOKATSU , 丸子大介 , MARUKO, DAISUKE
IPC分类号： B23K35/363 , H01L21/60 , H01L23/488 , H05K3/34 , B23K35/26 , B23K35/02
CPC分类号： B23K35/362 , B23K35/0222 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/3612 , B23K35/3613 , B23K35/3616 , C08G65/2612

18. 发明专利

TW201637766A 包芯焊料用助焊劑、塗覆助焊劑焊料用助焊劑、包芯焊料及塗覆助焊劑焊料审中-公开
简体标题：包芯焊料用助焊剂、涂覆助焊剂焊料用助焊剂、包芯焊料及涂覆助焊剂焊料
公开(公告)号：TW201637766A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW104143742
申请日：2015-12-25
申请人：千住金屬工業股份有限公司 , SENJU METAL INDUSTRY CO., LTD.
发明人：鬼塚基泰 , ONITSUKA, MOTOHIRO , 倉澤陽子 , KURASAWA, YOKO , 久木俊尙 , KUGI, TOSHIHISA , 川中子宏 , KAWANAGO, HIROSHI , 鶴田加一 , TSURUTA, KAICHI
IPC分类号： B23K35/363 , B23K35/368 , B23K35/365
CPC分类号： B23K35/3612 , B23K35/0227 , B23K35/0261 , B23K35/0266 , B23K35/3613 , B23K35/362 , H05K3/3478 , H05K3/3489 , H05K2203/0405
摘要：本發明係提供：減少焊接時所發生的白煙量、且具有充分濕潤性，並可在助焊劑製造時防止助焊劑中析出原料的焊料用助焊劑。本發明的包芯焊料用助焊劑，係松脂酯含有30質量%以上且80質量%以下，且活性劑含有5質量%以上且15質量%以下。包含該松脂酯在內的基質材料合計較佳係85質量%以上且95質量%以下。
简体摘要：本发明系提供：减少焊接时所发生的白烟量、且具有充分湿润性，并可在助焊剂制造时防止助焊剂中析出原料的焊料用助焊剂。本发明的包芯焊料用助焊剂，系松脂酯含有30质量%以上且80质量%以下，且活性剂含有5质量%以上且15质量%以下。包含该松脂酯在内的基质材料合计较佳系85质量%以上且95质量%以下。

19. 发明专利

TW201634168A 無殘渣助焊劑及半導體封裝件之製造方法审中-公开
简体标题：无残渣助焊剂及半导体封装件之制造方法
公开(公告)号：TW201634168A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104144430
申请日：2015-12-30
申请人：納美仕有限公司 , NAMICS CORPORATION
发明人：西迫有希 , NISHISAKO, YUKI , 白井恭夫 , SHIRAI, YUKIO , 鈴木理 , SUZUKI, OSAMU
IPC分类号： B23K35/363 , B23K1/00 , B23K31/02 , H05K3/34 , H05K3/28 , H01L21/60 , B23K101/40
CPC分类号： B23K1/00 , B23K31/02 , H01L2224/73204 , H01L2224/92125 , H05K3/28 , H05K3/34
摘要：本發明之課題在於提供一種可使用在下述製造方法之無殘渣助焊劑，該製造方法係於焊接後不冷卻至室溫，而是冷卻至約110℃後，於同一溫度下填充底填料後使之硬化。本發明之解決手段為一種無殘渣助焊劑，其係使用在下述步驟者：於室溫下，將無殘渣助焊劑塗佈在形成於半導體晶片之焊料凸塊與形成於基板之經鍍焊的配線之間，並將焊料凸塊與配線進行焊接後，冷卻至100至120℃，並保持在同一溫度下，將底填料填充於半導體晶片與基板之間後，使底填料硬化之半導體封裝步驟；該無殘渣助焊劑係含有：(A)於熱重分析中，質量減少至50%之溫度為160至210℃之溶劑以及(B)質量減少至50%之溫度為190至320℃之二羧酸或三羧酸，且相對於無殘渣助焊劑100質量份，含有0.3至3.0質量份的(B)成分。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种可使用在下述制造方法之无残渣助焊剂，该制造方法系于焊接后不冷却至室温，而是冷却至约110℃后，于同一温度下填充底填料后使之硬化。本发明之解决手段为一种无残渣助焊剂，其系使用在下述步骤者：于室温下，将无残渣助焊剂涂布在形成于半导体芯片之焊料凸块与形成于基板之经镀焊的配线之间，并将焊料凸块与配线进行焊接后，冷却至100至120℃，并保持在同一温度下，将底填料填充于半导体芯片与基板之间后，使底填料硬化之半导体封装步骤；该无残渣助焊剂系含有：(A)于热重分析中，质量减少至50%之温度为160至210℃之溶剂以及(B)质量减少至50%之温度为190至320℃之二羧酸或三羧酸，且相对于无残渣助焊剂100质量份，含有0.3至3.0质量份的(B)成分。

20. 发明专利

TWI542622B 銲料凸塊形成用樹脂組成物、銲料凸塊形成方法及具備銲料凸塊的構件有权
简体标题：焊料凸块形成用树脂组成物、焊料凸块形成方法及具备焊料凸块的构件
公开(公告)号：TWI542622B
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW103124886
申请日：2014-07-21
申请人：山榮化學股份有限公司 , SAN-EI KAGAKU CO., LTD.
发明人：高瀨靖弘 , TAKASE, YASUHIRO , 花田和輝 , HANADA, KAZUKI , 北村和憲 , KITAMURA, KAZUNORI
IPC分类号： C08L101/00 , B23K35/363
CPC分类号： B23K35/3613 , B23K1/0016 , B23K1/20 , B23K3/0638 , B23K3/08 , B23K35/0222 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/3612 , B23K2201/42 , H01L2224/11 , H05K3/3484 , H05K2203/0139 , H05K2203/0425 , H05K2203/043 , H05K2203/0445 , H05K2203/0588 , H05K2203/0769 , H05K2203/0773 , H05K2203/111

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