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11. 发明专利

TW200945711A 對準光學封裝之方法及系統 METHODS AND SYSTEMS FOR ALIGNING OPTICAL PACKAGES 审中-公开
简体标题：对准光学封装之方法及系统 METHODS AND SYSTEMS FOR ALIGNING OPTICAL PACKAGES
公开(公告)号：TW200945711A
公开(公告)日：2009-11-01
申请号：TW098103139
申请日：2009-01-23
申请人：康寧公司
发明人：葛立皆克 , 匹克甘雷特安德度 , 尼凱特丹尼歐漢
IPC分类号： H01S , G02B , G02F
CPC分类号： G01B11/272 , G02B6/4214 , G02F1/377 , G02F2001/3546 , H01S5/005 , H01S5/0071 , H01S5/0092
摘要：光束點對準於波長轉換裝置之波導部份的方法包含掃瞄光束點於波長轉換裝置之輸入面上,同時量測裝置之輸出強度,使得產生多個快速掃瞄線之每一輸出強度。第一對準設定點再依據每一快速掃瞄線之輸出強度決定出。光束點之第二掃瞄再進行於含有第一對準設定點之快速掃瞄線上,同時沿著快速掃瞄線量測每一點之輸出強度。第二對準設定點再依據第二掃瞄過程中量測之決定出。光束點因而使用第一對準設定點以及第二對準設定點對準於波導部份。
简体摘要：光束点对准于波长转换设备之波导部份的方法包含扫瞄光束点于波长转换设备之输入面上,同时量测设备之输出强度,使得产生多个快速扫瞄线之每一输出强度。第一对准设置点再依据每一快速扫瞄线之输出强度决定出。光束点之第二扫瞄再进行于含有第一对准设置点之快速扫瞄在线,同时沿着快速扫瞄线量测每一点之输出强度。第二对准设置点再依据第二扫瞄过程中量测之决定出。光束点因而使用第一对准设置点以及第二对准设置点对准于波导部份。

12. 发明专利

TW200818640A 標準具及光電半導體裝置 ETALON AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：标准具及光电半导体设备 ETALON AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200818640A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：TW096133163
申请日：2007-09-06
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司 OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：麥可庫內特 KUEHNELT, MICHAEL , 湯瑪斯休瓦茲 SCHWARZ, THOMAS , 尤瑞屈史提格慕勒 STEEGMUELLER, ULRICH
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/041 , G02B5/284 , H01S3/109 , H01S5/0071 , H01S5/02248 , H01S5/0608 , H01S5/141 , H01S5/183 , H01S5/4025
摘要：本發明係一種在光電半導體裝置之諧振器(30,11)中作為頻率選擇元件的標準具(1),其特徵為標準具(1)具有一個標準具層(22),而且標準具層(22)是至少包含下列材料之一或是由下列材料之一所構成:玻璃、半導體材料。
简体摘要：本发明系一种在光电半导体设备之谐振器(30,11)中作为频率选择组件的标准具(1),其特征为标准具(1)具有一个标准具层(22),而且标准具层(22)是至少包含下列材料之一或是由下列材料之一所构成:玻璃、半导体材料。

13. 发明专利

TW200423102A 半導體整合裝置 SEMICONDUCTOR INTEGRATED APPARATUS 失效
简体标题：半导体集成设备 SEMICONDUCTOR INTEGRATED APPARATUS
公开(公告)号：TW200423102A
公开(公告)日：2004-11-01
申请号：TW092133689
申请日：2003-12-01
申请人：新力股份有限公司 SONY CORPORATION
发明人：根本和彥 NEMOTO, KAZUHIKO
IPC分类号： H01S , G11B
CPC分类号： H01S5/02248 , H01S5/0071 , H01S5/02228 , H01S5/02296 , H01S5/02469 , H01S5/0683
摘要：本發明揭示致力於改善當一半導體雷射發射一雷射光束時之散熱，以及與光學元件相關之熱絕緣。一半導體整合裝置係配置為包括由一金屬材料或一陶瓷材料製成之一底座部件，由一樹脂材料或一玻璃材料製成之一外殼與一元件配置組塊。安裝有包括一半導體雷射之預定光學元件的一基板係放置於該底座部件之上。該外殼覆蓋放置於該底座部件之上的基板。該元件配置組塊係附著於該外殼並且其具有之光學元件不同於上述之光學元件。
简体摘要：本发明揭示致力于改善当一半导体激光发射一激光光束时之散热，以及与光学组件相关之热绝缘。一半导体集成设备系配置为包括由一金属材料或一陶瓷材料制成之一底座部件，由一树脂材料或一玻璃材料制成之一外壳与一组件配置组块。安装有包括一半导体激光之预定光学组件的一基板系放置于该底座部件之上。该外壳覆盖放置于该底座部件之上的基板。该组件配置组块系附着于该外壳并且其具有之光学组件不同于上述之光学组件。

14. 实用新型

TWM242685U 三向雷射標示儀失效
简体标题：三向激光标示仪
公开(公告)号：TWM242685U
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：TW092203186
申请日：2003-03-04
申请人：方礎光電科技股份有限公司 QUARTON INC.
发明人：陳得年 , 吳聲慶 , 蕭慶宏
IPC分类号： G01C
CPC分类号： G01C15/00 , H01S5/0071 , H01S5/02 , H01S5/4056 , H01S5/4087 , Y10S33/21
摘要：本創作係提供一種三向雷射標示儀，主要由雷射機構及調整機構組成，該雷射機構具有三組相互直交之雷射產生器，該雷射產生器固設於一固定座上，該固定座螺合於一殼體上，其特徵之一在於該三組雷射產生器具有獨立之控制馬達可各別調整雷射產生器之光束位置，其特徵之二在於該固定座之螺孔設有墊片，該墊片與螺孔處之相對應面具有相對應之凸凹弧面，另該固定座與殼體間設有一環體，於固定座與環體之相對應面設有凸弧環狀結構及凹弧部，藉由墊片與固定座之凹凸弧面，及固定座與環體之凸弧環狀結構與凹弧部相配合，可微調固定座角度，提高固定座與殼體螺合之緊密度者。
简体摘要：本创作系提供一种三向激光标示仪，主要由激光机构及调整机构组成，该激光机构具有三组相互直交之激光产生器，该激光产生器固设于一固定座上，该固定座螺合于一壳体上，其特征之一在于该三组激光产生器具有独立之控制马达可各别调整激光产生器之光束位置，其特征之二在于该固定座之螺孔设有垫片，该垫片与螺孔处之相对应面具有相对应之凸凹弧面，另该固定座与壳体间设有一环体，于固定座与环体之相对应面设有凸弧环状结构及凹弧部，借由垫片与固定座之凹凸弧面，及固定座与环体之凸弧环状结构与凹弧部相配合，可微调固定座角度，提高固定座与壳体螺合之紧密度者。

15. 发明专利

TWI587013B 光插座及光模組有权
简体标题：光插座及光模块
公开(公告)号：TWI587013B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW105101976
申请日：2016-01-22
申请人：恩普樂股份有限公司 , ENPLAS CORPORATION
发明人：森岡心平 , MORIOKA, SHIMPEI , 美留町直史 , MIRUMACHI, NAOFUMI , 鈴木康弘 , SUZUKI, YASUHIRO
IPC分类号： G02B6/42 , G02B5/08
CPC分类号： G02B6/4214 , G02B6/4249 , G02B6/4286 , G02B6/4292 , H01S5/0071 , H01S5/02284 , H01S5/02292 , H01S5/42

16. 发明专利

TW201610458A 基於一維操縱光學相位陣列之三維映射二維掃描光達及其使用方法审中-公开
简体标题：基于一维操纵光学相位数组之三维映射二维扫描光达及其使用方法
公开(公告)号：TW201610458A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104126625
申请日：2015-08-14
申请人：昆奈吉系統有限公司 , QUANERGY SYSTEMS, INC.
发明人：艾爾達洛伊 , ELDADA, LOUAY
IPC分类号： G01S7/48 , G01S7/481 , G01S17/88
CPC分类号： G01S7/4814 , G01S7/4815 , G01S7/4817 , G01S17/10 , G01S17/42 , G01S17/89 , H01S5/0071
摘要：複數個一維平面光束形成及操縱光學相位陣列晶片形成一二維掃描固態光達，使得因為該一維光學相位陣列晶片的簡單性而能以高產率與低成本來製造三維映射時差測距光達。
简体摘要：复数个一维平面光束形成及操纵光学相位数组芯片形成一二维扫描固态光达，使得因为该一维光学相位数组芯片的简单性而能以高产率与低成本来制造三维映射时差测距光达。

18. 发明专利

TW201237457A 使用頻率域干涉法用以執行光學成像之方法及設備 METHOD AND APPARATUS FOR PERFORMING OPTICAL IMAGING USING FREQUENCY-DOMAIN INTERFEROMETRY 审中-公开
简体标题：使用频率域干涉法用以运行光学成像之方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR PERFORMING OPTICAL IMAGING USING FREQUENCY-DOMAIN INTERFEROMETRY
公开(公告)号：TW201237457A
公开(公告)日：2012-09-16
申请号：TW101113267
申请日：2004-09-09
申请人：綜合醫院股份有限公司
发明人：勇錫亨 , 布瑪布列特尤金 , 提爾內吉勒摩 J , 戴柏爾約翰尼斯菲茲格拉德
IPC分类号： G02B , G01N , G01B
CPC分类号： H01S5/5045 , A61B5/0059 , A61B5/0066 , A61B5/7257 , G01B9/02002 , G01B9/02004 , G01B9/02043 , G01B9/02075 , G01B9/02081 , G01B9/02083 , G01B9/02084 , G01B9/0209 , G01B9/02091 , G01B2290/45 , G01B2290/70 , G01J3/02 , G01J3/0208 , G01J3/021 , G01J3/0218 , G01J3/0264 , G01J3/453 , G01J9/0215 , G01N21/4795 , G02B6/3604 , G02B26/12 , G02B27/48 , G02F1/093 , G02F1/11 , H01S3/0071 , H01S3/0078 , H01S3/08009 , H01S3/08063 , H01S3/105 , H01S3/1068 , H01S5/0071 , H01S5/0078 , H01S5/1025 , H01S5/14 , H01S5/141 , H01S5/146
摘要：本發明提供一種設備及方法。尤其是可提供至少一第一電磁輻射至一樣本，且提供至少一第二電磁輻射至一非反射性參考。該第一及/或第二輻射之頻率隨時間變化。一干涉會在有關第一輻射之至少一第三輻射，及有關第二輻射之至少第四輻射間偵測到。另一選擇是，該第一電磁輻射及/或第二電磁輻射具有之頻譜隨時間變化。該頻譜在一特定時間可含有多數頻率。此外，可在一第一極化狀態中偵測到介於該第三輻射與該第四輻射間之干涉信號。再者，最好於一與第一極化狀態不同之第二極化狀態中，偵測在第三輻射與第四輻射間之進一步的干涉信號。該第一及/或第二電磁輻射可具有一頻譜，該頻譜之平均頻率實質上以大於每毫秒100兆赫(Tera Hertz)之調整速度連續地隨時間變化。
简体摘要：本发明提供一种设备及方法。尤其是可提供至少一第一电磁辐射至一样本，且提供至少一第二电磁辐射至一非反射性参考。该第一及/或第二辐射之频率随时间变化。一干涉会在有关第一辐射之至少一第三辐射，及有关第二辐射之至少第四辐射间侦测到。另一选择是，该第一电磁辐射及/或第二电磁辐射具有之频谱随时间变化。该频谱在一特定时间可含有多数频率。此外，可在一第一极化状态中侦测到介于该第三辐射与该第四辐射间之干涉信号。再者，最好于一与第一极化状态不同之第二极化状态中，侦测在第三辐射与第四辐射间之进一步的干涉信号。该第一及/或第二电磁辐射可具有一频谱，该频谱之平均频率实质上以大于每毫秒100兆赫(Tera Hertz)之调整速度连续地随时间变化。

19. 发明专利

TWI353097B 標準具及光電半導體裝置 ETALON AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
简体标题：标准具及光电半导体设备 ETALON AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TWI353097B
公开(公告)日：2011-11-21
申请号：TW096133163
申请日：2007-09-06
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司
发明人：麥可庫內特 , 湯瑪斯休瓦茲 , 尤瑞屈史提格慕勒
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/041 , G02B5/284 , H01S3/109 , H01S5/0071 , H01S5/02248 , H01S5/0608 , H01S5/141 , H01S5/183 , H01S5/4025
摘要：本發明係一種在光電半導體裝置之諧振器(30，11)中作為頻率選擇元件的標準具(1)，其特徵為標準具(1)具有一個標準具層(22)，而且標準具層(22)是至少包含下列材料之一或是由下列材料之一所構成：玻璃、半導體材料。
简体摘要：本发明系一种在光电半导体设备之谐振器(30，11)中作为频率选择组件的标准具(1)，其特征为标准具(1)具有一个标准具层(22)，而且标准具层(22)是至少包含下列材料之一或是由下列材料之一所构成：玻璃、半导体材料。

20. 发明专利

TW200845523A 變頻式脈衝雷射光源 PULSED LASER LIGHT SOURCE BASED ON FREQUENCY CONVERSION 审中-公开
简体标题：变频式脉冲激光光源 PULSED LASER LIGHT SOURCE BASED ON FREQUENCY CONVERSION
公开(公告)号：TW200845523A
公开(公告)日：2008-11-16
申请号：TW097101868
申请日：2008-01-18
申请人：埃比克利斯多公司 EPICRYSTALS OY
发明人：詹妮康笛寧 KONTTINEN, JANNE , 比塔利脫密史多 TUOMISTO, PIETARI , 湯米約迪 JOUHTI, TOMI
IPC分类号： H01S , G02F
CPC分类号： H01S5/026 , G02F1/3501 , G02F1/37 , G02F2001/3503 , G03B21/2013 , G03B21/204 , G03B21/208 , H01S3/109 , H01S5/005 , H01S5/0071 , H01S5/0092 , H01S5/02292 , H01S5/0267 , H01S5/0604 , H01S5/06256 , H01S5/065 , H01S5/1014 , H01S5/1085 , H01S5/141 , H01S5/18 , H01S5/4012 , H01S5/42 , H04N9/3161
摘要：一種發光裝置(400),包括具有電激發增益區(20)之導波器(24)、飽和吸收器(40)、非線性晶體(140)、傾斜反射鏡(M1)及聚光結構(120)。由該增益區(20)發射之光脈衝(B1)被該傾斜反射鏡(M1)反射及經該聚光結構(120)聚焦進入該非線性晶體(140)以產生頻率轉換之光脈衝(B2)。該增益區(20)、該飽和吸收器(40)、該聚光結構(120)及該傾斜反射鏡(M1)被建置於共同基片(10)之上或內部。該整體結構是穩定及輕巧的,且允許發射器(E1a、E1b、E1c)之在片測試(on-wafer testing)。該摺疊式結構使得該非線性晶體(140)能夠簡易校準。
简体摘要：一种发光设备(400),包括具有电激发增益区(20)之导波器(24)、饱和吸收器(40)、非线性晶体(140)、倾斜反射镜(M1)及聚光结构(120)。由该增益区(20)发射之光脉冲(B1)被该倾斜反射镜(M1)反射及经该聚光结构(120)聚焦进入该非线性晶体(140)以产生频率转换之光脉冲(B2)。该增益区(20)、该饱和吸收器(40)、该聚光结构(120)及该倾斜反射镜(M1)被建置于共同基片(10)之上或内部。该整体结构是稳定及轻巧的,且允许发射器(E1a、E1b、E1c)之在片测试(on-wafer testing)。该折叠式结构使得该非线性晶体(140)能够简易校准。

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