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11. 发明专利

TWI344698B 半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
简体标题：半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TWI344698B
公开(公告)日：2011-07-01
申请号：TW095140971
申请日：2006-11-06
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：幡手一成
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7393 , H01L27/088 , H01L29/0696 , H01L29/7394
摘要：提供一種可以提升集極與發射極電流特性、縮短下降時間、且提升寄生閘流晶體管(thyristor)之內鎖耐量的半導體裝置。
一種由複數個單位半導體元件所構成之橫型半導體裝置，其中個別之該單位半導體元件包括：第1導電型半導體基板；第2導電型半導體區域，設於該半導體基板；第1導電型集極層，設於該半導體區域中；環狀第1導電型基極層，從該集極層開始隔著間隔以包圍該集極層的方式，設於該半導體區域中；以及第2導電型之第1發射極層，設於該基極層中且呈現環狀配置。其特徵在於：個別之該單位半導體元件係由在形成於該基極層之通道區域控制該第1發射極層與該集極層間載子之移動的IGBT所構成，且該單位半導體元件彼此相鄰而設置。
简体摘要：提供一种可以提升集极与发射极电流特性、缩短下降时间、且提升寄生闸流晶体管(thyristor)之内锁耐量的半导体设备。一种由复数个单位半导体组件所构成之横型半导体设备，其中个别之该单位半导体组件包括：第1导电型半导体基板；第2导电型半导体区域，设于该半导体基板；第1导电型集极层，设于该半导体区域中；环状第1导电型基极层，从该集极层开始隔着间隔以包围该集极层的方式，设于该半导体区域中；以及第2导电型之第1发射极层，设于该基极层中且呈现环状配置。其特征在于：个别之该单位半导体组件系由在形成于该基极层之信道区域控制该第1发射极层与该集极层间载子之移动的IGBT所构成，且该单位半导体组件彼此相邻而设置。

12. 发明专利

TW200733381A 半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
简体标题：半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200733381A
公开(公告)日：2007-09-01
申请号：TW095140971
申请日：2006-11-06
申请人：三菱電機股份有限公司 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：幡手一成 HATADE KAZUNARI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7393 , H01L27/088 , H01L29/0696 , H01L29/7394
摘要：提供一種可以提升集極與發射極電流特性、縮短下降時間、且提升寄生閘流晶體管(thyristor)之內鎖耐量的半導體裝置。一種由複數個單位半導體元件所構成之橫型半導體裝置,其中個別之該單位半導體元件包括:第1導電型半導體基板;第2導電型半導體區域,設於該半導體基板;第1導電型集極層,設於該半導體區域中;環狀第1導電型基極層,從該集極層開始隔著間隔以包圍該集極層的方式,設於該半導體區域中;以及第2導電型之第1發射極層,設於該基極層中且呈現環狀配置。其特徵在於:個別之該單位半導體元件係由在形成於該基極層之通道區域控制該第1發射極層與該集極層間載子之移動的IGBT所構成,且該單位半導體元件彼此相鄰而設置。
简体摘要：提供一种可以提升集极与发射极电流特性、缩短下降时间、且提升寄生闸流晶体管(thyristor)之内锁耐量的半导体设备。一种由复数个单位半导体组件所构成之横型半导体设备,其中个别之该单位半导体组件包括:第1导电型半导体基板;第2导电型半导体区域,设于该半导体基板;第1导电型集极层,设于该半导体区域中;环状第1导电型基极层,从该集极层开始隔着间隔以包围该集极层的方式,设于该半导体区域中;以及第2导电型之第1发射极层,设于该基极层中且呈现环状配置。其特征在于:个别之该单位半导体组件系由在形成于该基极层之信道区域控制该第1发射极层与该集极层间载子之移动的IGBT所构成,且该单位半导体组件彼此相邻而设置。

13. 发明专利

TWI264055B 介質隔離型半導體裝置 DIELECTRIC ISOLATION TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
简体标题：介质隔离型半导体设备 DIELECTRIC ISOLATION TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TWI264055B
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：TW094108017
申请日：2005-03-16
申请人：三菱電機股份有限公司 MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA
发明人：秋山肇 HAJIME AKIYAMA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/404 , H01L21/76251 , H01L29/0873 , H01L29/0878 , H01L29/405 , H01L29/407 , H01L29/408 , H01L29/7394 , H01L29/7824 , H01L29/78603
摘要：本發明係獲得防止依存於介電層厚度與第1半導體層厚度，而限制半導體裝置耐壓的情況發生，而實現高耐壓的介質隔離型半導體裝置。
漂移N-區域3係透過埋藏氧化膜2而貼合於半導體基板1上，高耐壓裝置係形成於漂移N-區域3內。此外，第1場極板9係靠近汲極電極7並形成於漂移N-區域3上。然後，由埋藏N+區域所構成的第1矽高濃度區域12，係形成於汲極電極7正下方位置處，構成埋藏氧化膜2其中一部分的多孔質氧化膜區域2c內。而且，汲極電極7、第1場極板9及第1矽高濃度區域12係電氣式耦接。
简体摘要：本发明系获得防止依存于介电层厚度与第1半导体层厚度，而限制半导体设备耐压的情况发生，而实现高耐压的介质隔离型半导体设备。漂移N-区域3系透过埋藏氧化膜2而贴合于半导体基板1上，高耐压设备系形成于漂移N-区域3内。此外，第1场极板9系靠近汲极电极7并形成于漂移N-区域3上。然后，由埋藏N+区域所构成的第1硅高浓度区域12，系形成于汲极电极7正下方位置处，构成埋藏氧化膜2其中一部分的多孔质氧化膜区域2c内。而且，汲极电极7、第1场极板9及第1硅高浓度区域12系电气式耦接。

14. 发明专利

TW200406920A 側面隔離閘之雙極電晶體裝置 Lateral isolated gate bipolar transistor device 审中-公开
简体标题：侧面隔离闸之双极晶体管设备 Lateral isolated gate bipolar transistor device
公开(公告)号：TW200406920A
公开(公告)日：2004-05-01
申请号：TW091132252
申请日：2002-10-31
申请人：皇家飛利浦電子股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.
发明人：林內保羅辛格 RENE PAUL ZINGG , 約翰尼斯凡索爾 JOHANNES VAN ZWOL , 阿諾杜斯約翰尼斯瑪利亞艾梅利克 ARNOLDUS JOHANNES MARIA EMMERIK
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/402 , H01L29/7394
摘要：本發明揭示一種側面隔離閘雙極電晶體(LIGBT)之裝置，包括一基板(20)及一埋藏式氧化層(22)在該基板上；一矽層(24)位於該埋藏式氧化層上，該矽層具有一橫向延伸漂移區(26)；一射極／陰極(28)位於矽層上面；一集極／陽極(30)位於矽層上面，並與射極／陰極(28)形成橫向分開；一介電層(42)(如熱長成氧化層)，位於射極／陰極(28)與集極／陽極(30)之間；一閘極(34)位於矽層(24)上面；及一場板(38，40)在場氧化層上面及之內延伸，幾乎到達其鄰近集極／陽極之一端。矽層(24)區域，其在場板鄰近集極／陽極(30)之一端(46)與場板(38，40)及集極／陽極(30)位準下之間，具有一Gummel數足以在LICBT之集極／陽極(30)壓抑一寄生雙極效應。
简体摘要：本发明揭示一种侧面隔离闸双极晶体管(LIGBT)之设备，包括一基板(20)及一埋藏式氧化层(22)在该基板上；一硅层(24)位于该埋藏式氧化层上，该硅层具有一横向延伸漂移区(26)；一射极／阴极(28)位于硅层上面；一集极／阳极(30)位于硅层上面，并与射极／阴极(28)形成横向分开；一介电层(42)(如热长成氧化层)，位于射极／阴极(28)与集极／阳极(30)之间；一闸极(34)位于硅层(24)上面；及一场板(38，40)在场氧化层上面及之内延伸，几乎到达其邻近集极／阳极之一端。硅层(24)区域，其在场板邻近集极／阳极(30)之一端(46)与场板(38，40)及集极／阳极(30)位准下之间，具有一Gummel数足以在LICBT之集极／阳极(30)压抑一寄生双极效应。

15. 发明专利

TW388800B 半導體裝置及使用該裝置之液晶顯示裝置失效
简体标题：半导体设备及使用该设备之液晶显示设备
公开(公告)号：TW388800B
公开(公告)日：2000-05-01
申请号：TW085109153
申请日：1996-07-26
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：田中武 , 三上佳朗
IPC分类号： G02F , H01L
CPC分类号： H01L27/1251 , G02F1/13454 , H01L27/1214 , H01L29/7394 , H01L29/78618
摘要：一種半導體裝置及使用該裝置之液晶顯示裝置，該液晶顯示裝置在基板上具有顯示領域，及為了驅動該顯示領域而形成於其周邊之周邊電路領域，在周邊電路領域內形成單極性及雙極性薄膜半導體元件，在顯示領域內形成單極性或雙極性薄膜半導體元件。
在單極性及雙極性薄膜半導體元件之半導體膜中形成含有高濃度之n型不純物之n+領域,及含有高濃度之p型不純物之P+領域。
简体摘要：一种半导体设备及使用该设备之液晶显示设备，该液晶显示设备在基板上具有显示领域，及为了驱动该显示领域而形成于其周边之周边电路领域，在周边电路领域内形成单极性及双极性薄膜半导体组件，在显示领域内形成单极性或双极性薄膜半导体组件。在单极性及双极性薄膜半导体组件之半导体膜中形成含有高浓度之n型不纯物之n+领域,及含有高浓度之p型不纯物之P+领域。

16. 发明专利

TW201725698A 於共同基板上之功率裝置整合审中-公开
简体标题：于共同基板上之功率设备集成
公开(公告)号：TW201725698A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW106113034
申请日：2013-07-30
申请人：矽瀾納股份有限公司 , SILANNA ASIA PTE LTD.
发明人：寇瑞克杰席克 , KOREC,JACEK , 楊鉑儀 , YANG,BOYI
IPC分类号： H01L27/06 , H01L29/70
CPC分类号： H01L27/082 , H01L27/1203 , H01L29/402 , H01L29/73 , H01L29/7391 , H01L29/7394 , H01L29/861 , H01L29/872 , H01L2224/11 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示一種半導體結構，其用於促進在一共同基板上整合功率裝置，該半導體結構包含：一第一絕緣層，其形成於該基板上；及一作用區域，其具有一第一導電類型且形成於該第一絕緣層之至少一部分上。一第一端子形成於該結構之一上部表面上，且與形成於該作用區域中之具有該第一導電類型之至少一個其他區域電連接。具有一第二導電類型之一經埋入井形成於該作用區域中且與形成於該結構之該上部表面上之一第二端子耦合。該經埋入井與該作用區域形成一箝位二極體，該箝位二極體將一突崩潰區域定位於該經埋入井與該第一端子之間。該等功率裝置中之至少一者之一崩潰電壓隨該經埋入井之特性而變。
简体摘要：本发明揭示一种半导体结构，其用于促进在一共同基板上集成功率设备，该半导体结构包含：一第一绝缘层，其形成于该基板上；及一作用区域，其具有一第一导电类型且形成于该第一绝缘层之至少一部分上。一第一端子形成于该结构之一上部表面上，且与形成于该作用区域中之具有该第一导电类型之至少一个其他区域电连接。具有一第二导电类型之一经埋入井形成于该作用区域中且与形成于该结构之该上部表面上之一第二端子耦合。该经埋入井与该作用区域形成一箝位二极管，该箝位二极管将一突崩溃区域定位于该经埋入井与该第一端子之间。该等功率设备中之至少一者之一崩溃电压随该经埋入井之特性而变。

17. 发明专利

TW201642470A 絕緣閘極切換元件及控制該絕緣閘極切換元件之方法审中-公开
简体标题：绝缘闸极切换组件及控制该绝缘闸极切换组件之方法
公开(公告)号：TW201642470A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW105112275
申请日：2016-04-20
申请人：豐田自動車股份有限公司 , TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA
发明人：石田崇 , ISHIDA, TAKASHI , 大川峰司 , OKAWA, TAKASHI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/1095 , H01L29/0646 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0878 , H01L29/42368 , H01L29/7394 , H01L29/7824
摘要：一種半導體基板(12)包含：第一導通形式第一半導體區(30)，其暴露於第一表面；第二導通形式主要基極區(42)，其暴露於鄰近第一半導體區的位置處之第一表面；以及第二導通形式表面層基極區(44)，其暴露於鄰近主要基極區的位置處之第一表面，並且具有小於主要基極區之厚度。閘極電極(74)的位置跨過第一半導體區、主要基極區、以及表面層基極區之上方部分。
简体摘要：一种半导体基板(12)包含：第一导通形式第一半导体区(30)，其暴露于第一表面；第二导通形式主要基极区(42)，其暴露于邻近第一半导体区的位置处之第一表面；以及第二导通形式表面层基极区(44)，其暴露于邻近主要基极区的位置处之第一表面，并且具有小于主要基极区之厚度。闸极电极(74)的位置跨过第一半导体区、主要基极区、以及表面层基极区之上方部分。

18. 发明专利

TW200901466A 半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THEREOF 审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THEREOF
公开(公告)号：TW200901466A
公开(公告)日：2009-01-01
申请号：TW097123205
申请日：2008-06-20
申请人：東部高科股份有限公司 DONGBU HITEK CO., LTD.
发明人：李相容 LEE, SANG YONG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7394 , H01L29/0834 , H01L29/0839 , H01L29/66325
摘要：一種半導體裝置及其製造方法,特別是關於一種係為一大功率半導體裝置的橫向絕緣閘雙極電晶體(Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor, LIGBT)及其製造方法。本發明支援一深P型接面結構,用以減少由於電洞電流之增加引起的閂鎖效應發生的可能性,並且在不劣化製造高電壓功率控制裝置所考慮的幾個參數之性能的情況下,可防止透過寄生閘流體之作業所產生的閂鎖效應。
简体摘要：一种半导体设备及其制造方法,特别是关于一种系为一大功率半导体设备的横向绝缘闸双极晶体管(Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor, LIGBT)及其制造方法。本发明支持一深P型接面结构,用以减少由于电洞电流之增加引起的闩锁效应发生的可能性,并且在不劣化制造高电压功率控制设备所考虑的几个参数之性能的情况下,可防止透过寄生晶闸管之作业所产生的闩锁效应。

19. 发明专利

TW200843102A 積體無鎖定隔離閘雙極電晶體 INTEGRATED LATCH-UP FREE INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 审中-公开
简体标题：积体无锁定隔离闸双极晶体管 INTEGRATED LATCH-UP FREE INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
公开(公告)号：TW200843102A
公开(公告)日：2008-11-01
申请号：TW096145443
申请日：2007-11-29
申请人：菲爾卻德半導體公司 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATON
发明人：蔡軍 CAI, JUN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7394 , H01L29/0634 , H01L29/0834 , H01L29/0847
摘要：一種橫向隔離閘雙極電晶體(LIGBT),其包含半導體基板和在半導體基板內的陽極區。基板內之第一傳導率型的陰極區係橫向地與陽極區隔離,及基板內之第二傳導率型的陰極區係安置在陽極區對面之第一傳導率型之陰極區附近及側邊上。半導體基板內之漂移區在陽極區和第一傳導率型的陰極區之間延伸。一隔離閘在運作上耦合到第一傳導率型的陰極區並且置於陽極區對面的第一傳導率型的陰極區側邊上。一隔離片覆蓋於第二傳導率型的陰極區。隔離片的橫向尺寸和第二傳導率型的陰極區基本上相等及基本上小於第一傳導率型的陰極區的橫向尺寸。
简体摘要：一种横向隔离闸双极晶体管(LIGBT),其包含半导体基板和在半导体基板内的阳极区。基板内之第一传导率型的阴极区系横向地与阳极区隔离,及基板内之第二传导率型的阴极区系安置在阳极区对面之第一传导率型之阴极区附近及侧边上。半导体基板内之漂移区在阳极区和第一传导率型的阴极区之间延伸。一隔离闸在运作上耦合到第一传导率型的阴极区并且置于阳极区对面的第一传导率型的阴极区侧边上。一隔离片覆盖于第二传导率型的阴极区。隔离片的横向尺寸和第二传导率型的阴极区基本上相等及基本上小于第一传导率型的阴极区的横向尺寸。

20. 发明专利

TW200520035A 電介質分離型半導體裝置及其製造方法 DIELECTRIC ISOLATION TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 失效
简体标题：电介质分离型半导体设备及其制造方法 DIELECTRIC ISOLATION TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW200520035A
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：TW093132137
申请日：2004-10-22
申请人：三菱電機股份有限公司 MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA
发明人：秋山肇 AKIYAMA, HAJIME , 出尾晉一 IZUO, SHINICHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76264 , H01L29/0696 , H01L29/402 , H01L29/66681 , H01L29/7394 , H01L29/7455 , H01L29/7824 , H01L29/78603 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明的課題在於防止受到電介質層的厚度及第1半導體層的厚度的影響，而使半導體裝置的耐電壓性受到限制，而獲得可實現高耐電壓性之電介質分離型半導體裝置及其製造方法。本發明的解決手段為，經由埋入氧化膜層(3)而貼合半導體基板(1)及n–型半導體層(2)，在接觸於埋入氧化膜層(3)的狀態下，將第1多孔質氧化膜區(10)形成於半導體基板(1)內，將功率元件形成於n–型半導體層(2)。而第1多孔質氧化膜區(10)包含功率元件的第1主電極(6)的正下方位置，並形成於從第1主電極(6)側擴展到超過第1及第2主電極(6、7)之間的距離(L)的40％的範圍之區域。
简体摘要：本发明的课题在于防止受到电介质层的厚度及第1半导体层的厚度的影响，而使半导体设备的耐电压性受到限制，而获得可实现高耐电压性之电介质分离型半导体设备及其制造方法。本发明的解决手段为，经由埋入氧化膜层(3)而贴合半导体基板(1)及n–型半导体层(2)，在接触于埋入氧化膜层(3)的状态下，将第1多孔质氧化膜区(10)形成于半导体基板(1)内，将功率组件形成于n–型半导体层(2)。而第1多孔质氧化膜区(10)包含功率组件的第1主电极(6)的正下方位置，并形成于从第1主电极(6)侧扩展到超过第1及第2主电极(6、7)之间的距离(L)的40％的范围之区域。

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