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11. 发明专利

TW201731073A 鰭式半導體裝置及方法审中-公开
简体标题：鳍式半导体设备及方法
公开(公告)号：TW201731073A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW106100873
申请日：2014-12-22
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/74 , H01L21/283
CPC分类号： H01L29/74 , H01L21/2255 , H01L27/0262 , H01L29/0649 , H01L29/41716 , H01L29/66363 , H01L29/785
摘要：揭露了半導體裝置、積體電路裝置及方法之實施例。在一些實施例中，一種半導體裝置可能包括設置於一基板上的一第一鰭片和一第二鰭片。第一鰭片可能具有一部分，包括設置於一第二材料與基板之間的一第一材料、設置於一第三材料與第一材料之間的第二材料、及設置於一第四材料與第二材料之間的第三材料。第一和第三材料可能從外質半導體的一第一類型形成，且第二和第四材料可能從外質半導體之不同的一第二類型形成。第二鰭片可能與第一鰭片側向地分離且與第一、第二、第三或第四材料之至少一者實質上相連。可能揭露及/或主張其他實施例。
简体摘要：揭露了半导体设备、集成电路设备及方法之实施例。在一些实施例中，一种半导体设备可能包括设置于一基板上的一第一鳍片和一第二鳍片。第一鳍片可能具有一部分，包括设置于一第二材料与基板之间的一第一材料、设置于一第三材料与第一材料之间的第二材料、及设置于一第四材料与第二材料之间的第三材料。第一和第三材料可能从外质半导体的一第一类型形成，且第二和第四材料可能从外质半导体之不同的一第二类型形成。第二鳍片可能与第一鳍片侧向地分离且与第一、第二、第三或第四材料之至少一者实质上相连。可能揭露及/或主张其他实施例。

12. 发明专利

TWI593061B 半導體裝置、動態隨機存取記憶體單元及其製造方法有权
简体标题：半导体设备、动态随机存取内存单元及其制造方法
公开(公告)号：TWI593061B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW103132258
申请日：2014-09-18
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：朴朱東 , PARK, JOODONG , 哈瑪撒帝古賓納 , BHIMARASETTI, GOPINATH , 瑞瑪斯維米瑞豪 , RAMASWAMY, RAHUL , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG , 賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 葉震亞 , YEH, JENG YA D. , 蔡柯堤斯 , TSAI, CURTIS
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108
CPC分类号： H01L27/10826 , H01L27/10808 , H01L27/10879 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/7854

13. 发明专利

TW201724352A 具有自我對準隔離之高壓電晶體审中-公开
简体标题：具有自我对准隔离之高压晶体管
公开(公告)号：TW201724352A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105126925
申请日：2016-08-23
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG
IPC分类号： H01L21/762 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/78 , H01L29/0653 , H01L29/66545 , H01L29/7835
摘要：提出一種高壓電晶體結構，其包括在閘極和汲極之間的自我對準隔離特徵。通常，隔離特徵不是自我對準的。自我對準隔離程序可被整合至標準CMOS程序技術中。在一示範實施例中，電晶體結構的汲極位於距主動閘極一個間距處，其中中間空閘極結構形成在汲極和主動閘極結構之間。空閘極結構本質上是犧牲的，並可用以產生自我對準隔離凹部，其中閘極間隔物有效地提供用於蝕刻隔離凹部的模板。此自我對準隔離形成程序消除伴隨非對準隔離形成技術的許多變化和尺寸限制，這又允許更小的佔用面積和更緊密的對準以便減少裝置變化。結構和形成技術與平面和非平面電晶體架構兩者相容。
简体摘要：提出一种高压晶体管结构，其包括在闸极和汲极之间的自我对准隔离特征。通常，隔离特征不是自我对准的。自我对准隔离进程可被集成至标准CMOS进程技术中。在一示范实施例中，晶体管结构的汲极位于距主动闸极一个间距处，其中中间空闸极结构形成在汲极和主动闸极结构之间。空闸极结构本质上是牺牲的，并可用以产生自我对准隔离凹部，其中闸极间隔物有效地提供用于蚀刻隔离凹部的模板。此自我对准隔离形成进程消除伴随非对准隔离形成技术的许多变化和尺寸限制，这又允许更小的占用面积和更紧密的对准以便减少设备变化。结构和形成技术与平面和非平面晶体管架构两者兼容。

14. 发明专利

TW201721506A 基於生產特性之硬體保護审中-公开
简体标题：基于生产特性之硬件保护
公开(公告)号：TW201721506A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105124632
申请日：2016-08-03
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：費金宜 , PHOA, KINYIP , 林睿彥 , LIN, JUI-YEN , 尼迪尼迪 , NIDHI, NIDHI , 陳軼偉 , CHEN, YI WEI , 石坤桓 , SHIH, KUN HUAN , 楊曉東 , YANG, XIAODONG , 賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 蔡柯堤斯 , TSAI, CURTIS
IPC分类号： G06F21/70 , G06F21/32
CPC分类号： G06F21/70 , G06F21/44
摘要：此揭示發明關於基於生產特性之硬體保護。通常，積體電路(IC)裝置可組態成至少基於該裝置的生產特性決定邏輯值或「指紋」的串。範例裝置可包含至少對應於該裝置之該功能目的的功能電路及硬體保護電路(HPC)。範例HPC可包括解譯器電路及指紋電路。例如，該解譯器電路可量測該指紋電路中之至少一個電子組件的至少一個參數(例如，電壓)，且在至少一個實施例中，可比較從該指紋電路中之不同組件量測的電壓，然後基於各組件比較的結果指派邏輯一或零至該指紋串。範例電子組件可包括電晶體、電阻器等，其效能可取決於該裝置的該生產特性。
简体摘要：此揭示发明关于基于生产特性之硬件保护。通常，集成电路(IC)设备可组态成至少基于该设备的生产特性决定逻辑值或“指纹”的串。范例设备可包含至少对应于该设备之该功能目的的功能电路及硬件保护电路(HPC)。范例HPC可包括解译器电路及指纹电路。例如，该解译器电路可量测该指纹电路中之至少一个电子组件的至少一个参数(例如，电压)，且在至少一个实施例中，可比较从该指纹电路中之不同组件量测的电压，然后基于各组件比较的结果指派逻辑一或零至该指纹串。范例电子组件可包括晶体管、电阻器等，其性能可取决于该设备的该生产特性。

15. 发明专利

TWI570843B 利用非平面佈局的抗熔絲元件有权
简体标题：利用非平面布局的抗熔丝组件
公开(公告)号：TWI570843B
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW101135911
申请日：2012-09-28
申请人：英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人：哈弗茲華利德M , HAFEZ, WALID M. , 簡嘉宏 , JAN, CHIA-HONG , 蔡庫提斯 , TSAI, CURTIS , 朴洙東 , PARK, JOODONG , 葉震亞 , YEH, JENG YA D.
IPC分类号： H01L21/82 , H01L23/62 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/11206 , H01L21/823821 , H01L23/5252 , H01L27/0924 , H01L29/7853 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

16. 发明专利

TW201637216A 有頂阻擋層的具有自對準鰭部的非平面半導體裝置审中-公开
简体标题：有顶阻挡层的具有自对准鳍部的非平面半导体设备
公开(公告)号：TW201637216A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW105105807
申请日：2014-06-23
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：葉震亞 , YEH, JENG YA D. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG , 賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 朴朱東 , PARK, JOODONG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7851 , H01L29/42368 , H01L29/66795 , H01L29/785
摘要：敘述有頂阻擋層的具有自對準鰭部的非平面半導體裝置，以及製造有頂阻擋層的具有自對準鰭部的非平面半導體裝置的方法。例如，半導體結構包含，半導體鰭部，設置於半導體基板上且具有頂表面。隔離層，設置於半導體鰭部的任一側上，且凹陷至半導體鰭部的頂表面下以提供半導體鰭部的突出部分。突出部分具有側壁及頂表面。閘極阻擋層，具有設置在半導體鰭部的頂表面的至少一部分上的第一部分，且具有設置在半導體鰭部的側壁的至少一部分上的第二部分。閘極阻擋層的第一部分與閘極阻擋層的第二部分連續，但閘極阻擋層的第一部分厚於閘極阻擋層的第二部分。閘極堆疊，設置於閘極阻擋層的第一部分及第二部分上。
简体摘要：叙述有顶阻挡层的具有自对准鳍部的非平面半导体设备，以及制造有顶阻挡层的具有自对准鳍部的非平面半导体设备的方法。例如，半导体结构包含，半导体鳍部，设置于半导体基板上且具有顶表面。隔离层，设置于半导体鳍部的任一侧上，且凹陷至半导体鳍部的顶表面下以提供半导体鳍部的突出部分。突出部分具有侧壁及顶表面。闸极阻挡层，具有设置在半导体鳍部的顶表面的至少一部分上的第一部分，且具有设置在半导体鳍部的侧壁的至少一部分上的第二部分。闸极阻挡层的第一部分与闸极阻挡层的第二部分连续，但闸极阻挡层的第一部分厚于闸极阻挡层的第二部分。闸极堆栈，设置于闸极阻挡层的第一部分及第二部分上。

17. 发明专利

TWI540732B 用於鰭狀場效電晶體架構的有固態擴散源的隔離井摻雜有权
简体标题：用于鳍状场效应管架构的有固态扩散源的隔离井掺杂
公开(公告)号：TWI540732B
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW103129556
申请日：2014-08-27
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG , 賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 葉震亞 , YEH, JENG YA D. , 張旭佑 , CHANG, HSU-YU , 迪亞斯奈維爾 , DIAS, NEVILLE , 暮那辛菲查南卡 , MUNASINGHE, CHANAKA
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/22
CPC分类号： H01L27/0924 , H01L21/2256 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823878 , H01L21/823892 , H01L27/0928 , H01L29/0649 , H01L29/0847 , H01L29/1095 , H01L29/66803 , H01L29/7851

18. 发明专利

TW201620044A 有空洞加速的崩潰的金屬氧化物半導體（ＭＯＳ）反熔絲审中-公开
简体标题：有空洞加速的崩溃的金属氧化物半导体（ＭＯＳ）反熔丝
公开(公告)号：TW201620044A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW104122774
申请日：2015-07-14
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：歐雷瓦羅門 , OLAC-VAW, ROMAN , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG , 張婷 , CHANG, TING , 劉培基 , LIU, PEI CHI , 賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 張旭佑 , CHANG, HSU YU , 瑞瑪斯維米瑞豪 , RAMASWAMY, RAHUL , 迪亞斯奈維爾 , DIAS, NEVILLE
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L23/5252 , G11C17/16 , H01L21/768 , H01L27/11206 , H01L29/42376 , H01L29/66545 , H01L29/78 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：具有由形成在電極中之空洞或接縫所引起之加速的介電質崩潰之MOS反熔絲。在一些實施例中，經由有意破壞MOS反熔絲介電質的至少一部分來降低MOS反熔絲經歷介電質崩潰之程式化電壓。在一些實施例中，在回蝕具有於回填電極材料到具有臨界寬高比的開口內期間所形成之接縫的電極材料期間可導入破壞。在其他實施例中，MOS反熔絲位元單元包括MOS電晶體及MOS反熔絲。MOS電晶體具有維持預定電壓臨界擺動之閘極電極，而MOS反熔絲具有有空洞加速的介電質崩潰之閘極電極。
简体摘要：具有由形成在电极中之空洞或接缝所引起之加速的介电质崩溃之MOS反熔丝。在一些实施例中，经由有意破坏MOS反熔丝介电质的至少一部分来降低MOS反熔丝经历介电质崩溃之进程化电压。在一些实施例中，在回蚀具有于回填电极材料到具有临界宽高比的开口内期间所形成之接缝的电极材料期间可导入破坏。在其他实施例中，MOS反熔丝比特单元包括MOS晶体管及MOS反熔丝。MOS晶体管具有维持预定电压临界摆动之闸极电极，而MOS反熔丝具有有空洞加速的介电质崩溃之闸极电极。

19. 发明专利

TW201611288A 具可變尺寸鰭部之多閘極電晶體审中-公开
简体标题：具可变尺寸鳍部之多闸极晶体管
公开(公告)号：TW201611288A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104116070
申请日：2015-05-20
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：尼迪尼迪 , NIDHI, NIDHI , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG , 歐賴克法羅曼 , OLAC-VAW, ROMAN W. , 張旭佑 , CHANG, HSU YU , 迪亞斯奈維爾 , DIAS, NEVILLE , 賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 瑞瑪斯維米瑞豪 , RAMASWAMY, RAHUL
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/823412 , H01L21/26586 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L27/0886 , H01L29/0847 , H01L29/1037 , H01L29/42368 , H01L29/785 , H01L29/7851 , H01L29/7856
摘要：一實施例包括設備，該設備包含：包含鰭部的非平面電晶體，該鰭部包括具有源極區寬度與源極區高度的源極區、具有通道區寬度與通道區高度的通道區、具有汲極寬度與汲極高度的汲極區、以及形成在通道區之側壁上的閘極介電質；其中，該設備包括(a)通道區寬度寬於源極區寬度，以及(b)閘極介電質包括位於第一位置之第一閘極介電質厚度與位於第二位置之第二閘極介電質厚度之(a)、(b)兩者其中至少一者，第一位置與第二位置位於側壁上的等高處，且第一閘極介電質厚度與第二閘極介電質厚度彼此不相等。本文也描述其它實施例。
简体摘要：一实施例包括设备，该设备包含：包含鳍部的非平面晶体管，该鳍部包括具有源极区宽度与源极区高度的源极区、具有信道区宽度与信道区高度的信道区、具有汲极宽度与汲极高度的汲极区、以及形成在信道区之侧壁上的闸极介电质；其中，该设备包括(a)信道区宽度宽于源极区宽度，以及(b)闸极介电质包括位于第一位置之第一闸极介电质厚度与位于第二位置之第二闸极介电质厚度之(a)、(b)两者其中至少一者，第一位置与第二位置位于侧壁上的等高处，且第一闸极介电质厚度与第二闸极介电质厚度彼此不相等。本文也描述其它实施例。

20. 发明专利

TW201606995A 用於積體電路之柱狀電阻結構审中-公开
简体标题：用于集成电路之柱状电阻结构
公开(公告)号：TW201606995A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104114889
申请日：2015-05-11
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：李呈光 , LEE, CHEN GUAN , 賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG
IPC分类号： H01L27/118 , H01L27/01 , H01L27/02 , H01L21/82
CPC分类号： H01L28/20 , H01L21/8234 , H01L23/66 , H01L27/0629 , H01L27/0738 , H01L28/24 , H01L29/785
摘要：提出一種包括設置於一基板之表面上之柱狀電阻的積體電路結構、以及用以形成上述電阻連同在基板上方製造電晶體的製造技術。遵循本文之實施例，可能藉由定向電阻長度正交於基板表面來實現一種小型電阻佔用面積。在實施例中，垂直電阻柱子係設置於一導電跡線的一第一端上方，一第一電阻接點更設置於柱子上，且一第二電阻接點係設置於一導電跡線的一第二端上以呈現實質上獨立於電阻值的電阻佔用面積。一電阻柱子之形成可能藉由同時地形成電阻柱子與出於一相同材料(如多晶矽)的犧牲閘極來與一取代型閘極電晶體製程整合。柱狀電阻接點可能也與一或更多電晶體接點同時地形成。
简体摘要：提出一种包括设置于一基板之表面上之柱状电阻的集成电路结构、以及用以形成上述电阻连同在基板上方制造晶体管的制造技术。遵循本文之实施例，可能借由定向电阻长度正交于基板表面来实现一种小型电阻占用面积。在实施例中，垂直电阻柱子系设置于一导电迹线的一第一端上方，一第一电阻接点更设置于柱子上，且一第二电阻接点系设置于一导电迹线的一第二端上以呈现实质上独立于电阻值的电阻占用面积。一电阻柱子之形成可能借由同时地形成电阻柱子与出于一相同材料(如多晶硅)的牺牲闸极来与一取代型闸极晶体管制程集成。柱状电阻接点可能也与一或更多晶体管接点同时地形成。

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