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11. 发明专利

TWI361455B 乾燥裝置，乾燥方法，基板處理裝置，基板處理方法，程式及記錄媒體有权
简体标题：干燥设备，干燥方法，基板处理设备，基板处理方法，进程及记录媒体
公开(公告)号：TWI361455B
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW095142662
申请日：2006-11-17
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：田中裕司 , 中尾秀俊 , 新藤尚樹 , 山下敦 , 鶴崎廣太郎 , 平山司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67028 , H01L21/67034 , Y10S118/90 , Y10S134/902
摘要：本發明提供一種使用乾燥蒸氣可以將被處理體良好乾燥的乾燥裝置。根據本發明的乾燥裝置，具備：收容被處理體的處理槽；連接在上述處理槽，對於上述處理槽內供給載流氣體及乾燥蒸氣的供給機構；及根據上述供給機構控制載流氣體的供給及乾燥氣體的供給的控制裝置。處理收容在上述處理槽的被處理體時，包含載流氣體和乾燥氣體的混合氣體形成間歇地供給上述處理槽內。
简体摘要：本发明提供一种使用干燥蒸气可以将被处理体良好干燥的干燥设备。根据本发明的干燥设备，具备：收容被处理体的处理槽；连接在上述处理槽，对于上述处理槽内供给载流气体及干燥蒸气的供给机构；及根据上述供给机构控制载流气体的供给及干燥气体的供给的控制设备。处理收容在上述处理槽的被处理体时，包含载流气体和干燥气体的混合气体形成间歇地供给上述处理槽内。

12. 发明专利

TW201246344A 液處理裝置及液處理方法审中-公开
简体标题：液处理设备及液处理方法
公开(公告)号：TW201246344A
公开(公告)日：2012-11-16
申请号：TW101101755
申请日：2012-01-17
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：東島治郎 , 八谷洋介 , 相浦一博 , 伊藤規宏 , 新藤尚樹 , 伊藤優樹
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/68728 , B08B3/04 , B08B3/041 , H01L21/67017 , H01L21/67051 , H01L21/6719 , H01L21/68742
摘要：〔課題〕提供可以防止由於附著於支撐噴嘴之噴嘴支撐臂的髒污而弄髒處理室內之基板的液處理裝置及液處理方法。〔解決手段〕液處理裝置(10)具備在內部設置有保持基板(W)之基板保持部(21)及被配設在該基板保持部(21)之周圍的罩杯(40)的處理室(20)，和用以對被保持於基板保持部(21)之基板(W)供給流體之噴嘴(82a)，和支撐噴嘴(82a)之噴嘴支撐臂(82)。在液處理裝置(10)設置有用以進行噴嘴支撐臂(82)之洗淨的機械臂洗淨部(88)。
简体摘要：〔课题〕提供可以防止由于附着于支撑喷嘴之喷嘴支撑臂的脏污而弄脏处理室内之基板的液处理设备及液处理方法。〔解决手段〕液处理设备(10)具备在内部设置有保持基板(W)之基板保持部(21)及被配设在该基板保持部(21)之周围的罩杯(40)的处理室(20)，和用以对被保持于基板保持部(21)之基板(W)供给流体之喷嘴(82a)，和支撑喷嘴(82a)之喷嘴支撑臂(82)。在液处理设备(10)设置有用以进行喷嘴支撑臂(82)之洗净的机械臂洗净部(88)。

13. 发明专利

TWI368944B 半導體裝置的製造方法，半導體裝置的製造系統，程式及電腦可讀取的記錄媒體有权
简体标题：半导体设备的制造方法，半导体设备的制造系统，进程及电脑可读取的记录媒体
公开(公告)号：TWI368944B
公开(公告)日：2012-07-21
申请号：TW094146529
申请日：2005-12-26
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：葛蘭蓋爾 , 廣田良浩 , 村木雄介 , 中村源志 , 櫛引理人 , 新藤尚樹 , 清水昭貴 , 芦垣繁雄 , 加藤良裕
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/28123 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , Y10S438/931
摘要：本發明係提供一種半導體裝置的製造方法，係以具備有半導體基板、形成於前述半導體基板上的高介電質膜、形成於比前述高介電質膜更上層具有反射防止功能與金屬遮光膜功能的SiC膜的層積體，來製造半導體裝置的方法。本發明係具備有：使電漿在前述SiC膜及前述高介電質膜作用而改質的電漿處理製程；以及藉由濕洗淨，整體除去在前述電漿處理製程被改質的前述SiC膜及前述高介電質膜的洗淨處理製程。
简体摘要：本发明系提供一种半导体设备的制造方法，系以具备有半导体基板、形成于前述半导体基板上的高介电质膜、形成于比前述高介电质膜更上层具有反射防止功能与金属遮光膜功能的SiC膜的层积体，来制造半导体设备的方法。本发明系具备有：使等离子在前述SiC膜及前述高介电质膜作用而改质的等离子处理制程；以及借由湿洗净，整体除去在前述等离子处理制程被改质的前述SiC膜及前述高介电质膜的洗净处理制程。

14. 发明专利

TWI365780B 基板洗淨方法、基板洗淨裝置、程式及程式記錄媒體有权
简体标题：基板洗净方法、基板洗净设备、进程及进程记录媒体
公开(公告)号：TWI365780B
公开(公告)日：2012-06-11
申请号：TW097122282
申请日：2008-06-13
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：渡邊司 , 新藤尚樹 , 江嶋和善
IPC分类号： B08B , H01L
摘要：提供可以藉由簡單之方法，降低批量間中顆粒除去效率之偏差的基板洗淨方法。基板洗淨方法具備使溶解於洗淨槽內之洗淨液之氣體的溶解濃度成為飽和濃度之工程，和對洗淨槽內之洗淨液照射超音波，而洗淨浸漬於洗淨槽內之洗淨液之基板W的工程。在使溶解濃度成為飽和濃度之工程中，對洗淨槽供給氣體，使溶解於洗淨槽內之洗淨液的氣體溶解濃度成為飽和濃度。再者，在使溶解濃度成為飽和濃度之工程中，停止對洗淨槽內之洗淨液照射超音波。
简体摘要：提供可以借由简单之方法，降低批量间中颗粒除去效率之偏差的基板洗净方法。基板洗净方法具备使溶解于洗净槽内之洗净液之气体的溶解浓度成为饱和浓度之工程，和对洗净槽内之洗净液照射超音波，而洗净浸渍于洗净槽内之洗净液之基板W的工程。在使溶解浓度成为饱和浓度之工程中，对洗净槽供给气体，使溶解于洗净槽内之洗净液的气体溶解浓度成为饱和浓度。再者，在使溶解浓度成为饱和浓度之工程中，停止对洗净槽内之洗净液照射超音波。

15. 发明专利

TWI362066B 基板洗淨裝置失效
简体标题：基板洗净设备
公开(公告)号：TWI362066B
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：TW096140438
申请日：2007-10-26
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：渡邊司 , 新藤尚樹
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02052 , B08B3/10 , B08B3/12 , G11B7/26 , H01L21/02063
摘要：提供一種：能在大幅抑制配線圖案之損傷的同時，而以高除去效率來將粒子從被處理基板上除去之基板洗淨方法。基板洗淨方法，係在將被處理基板W浸漬於洗淨液中的同時，在洗淨液中使超音波產生，而將附著在被處理基板上之粒子(髒污等)除去的方法。基板洗淨方法，係具備有：在洗淨槽12內將被處理基板浸漬於洗淨液中之工程，和在前述洗淨槽內之洗淨液中使超音波產生之工程。在前述使超音波產生之工程中，易於溶解於洗淨液中之氣體和難以溶解於洗淨液中之氣體，係被溶解於前述洗淨槽內之前述洗淨液中。
简体摘要：提供一种：能在大幅抑制配线图案之损伤的同时，而以高除去效率来将粒子从被处理基板上除去之基板洗净方法。基板洗净方法，系在将被处理基板W浸渍于洗净液中的同时，在洗净液中使超音波产生，而将附着在被处理基板上之粒子(脏污等)除去的方法。基板洗净方法，系具备有：在洗净槽12内将被处理基板浸渍于洗净液中之工程，和在前述洗净槽内之洗净液中使超音波产生之工程。在前述使超音波产生之工程中，易于溶解于洗净液中之气体和难以溶解于洗净液中之气体，系被溶解于前述洗净槽内之前述洗净液中。

16. 发明专利

TWI349585B 基板洗淨方法及基板洗淨裝置有权
简体标题：基板洗净方法及基板洗净设备
公开(公告)号：TWI349585B
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW096108756
申请日：2007-03-14
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：渡邊司 , 新藤尚樹 , 古川孝弘 , 上川裕二
IPC分类号： B08B , H01L
CPC分类号： B08B3/12 , B01F15/00207 , B01F15/0022 , B01F15/0429 , B08B3/00 , C11D11/0047 , H01L21/67057
摘要：本發明是提供可以利用高除去效率從被處理基板之全面除去微粒之基板洗淨方法。本發明所涉及之基板洗淨方法，被處理基板W是被浸泡在貯留於洗淨槽12之洗淨液內。接著，使上述洗淨槽12內之洗淨液產生超音波，超音波洗淨被處理基板W。被處理基板W洗淨之間，使溶解於洗淨槽內之洗淨液的氣體之溶解濃度予以變化。
简体摘要：本发明是提供可以利用高除去效率从被处理基板之全面除去微粒之基板洗净方法。本发明所涉及之基板洗净方法，被处理基板W是被浸泡在贮留于洗净槽12之洗净液内。接着，使上述洗净槽12内之洗净液产生超音波，超音波洗净被处理基板W。被处理基板W洗净之间，使溶解于洗净槽内之洗净液的气体之溶解浓度予以变化。

17. 发明专利

TW201032266A 基板清洗方法、基板清洗裝置、控制程式及電腦可讀記憶媒體 SUBSTRATE CLEANING METHOD, SUBSTRATE CLEANING APPARATUS, CONTROL PROGRAM AND COMPUTER READABLE STORAGE MEDIUM 审中-公开
简体标题：基板清洗方法、基板清洗设备、控制进程及电脑可读记忆媒体 SUBSTRATE CLEANING METHOD, SUBSTRATE CLEANING APPARATUS, CONTROL PROGRAM AND COMPUTER READABLE STORAGE MEDIUM
公开(公告)号：TW201032266A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：TW099103940
申请日：2010-02-09
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：渡邊司 , 新藤尚樹 , 大野廣基 , 關口賢治
IPC分类号： H01L , B08B
CPC分类号： H01L21/67051 , B24C7/0046 , H01L21/02057 , Y10S134/902
摘要：本發明旨在提供一種對所形成之圖案造成之損害少之基板清洗方法。其中,為解決上述課題,所提供之基板清洗方法之特徵在於包含:清洗步驟,令於基板表面由乾燥空氣或非活性氣體之氣流所載持之清洗用微粒子衝擊基板,以清洗該基板;及去除步驟,去除該清洗用微粒子。
简体摘要：本发明旨在提供一种对所形成之图案造成之损害少之基板清洗方法。其中,为解决上述课题,所提供之基板清洗方法之特征在于包含:清洗步骤,令于基板表面由干燥空气或非活性气体之气流所载持之清洗用微粒子冲击基板,以清洗该基板;及去除步骤,去除该清洗用微粒子。

18. 发明专利

TW201021105A 半導體基板之液體處理方法、半導體基板之液體處理裝置、及記憶媒體 LIQUID TREATMENT METHOD FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, LIQUID TREATMENT APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND STORAGE MEDIUM 审中-公开
简体标题：半导体基板之液体处理方法、半导体基板之液体处理设备、及记忆媒体 LIQUID TREATMENT METHOD FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, LIQUID TREATMENT APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND STORAGE MEDIUM
公开(公告)号：TW201021105A
公开(公告)日：2010-06-01
申请号：TW098131547
申请日：2009-09-18
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：中森光則 , 戶島孝之 , 新藤尚樹 , 關口賢治 , 大森傳
IPC分类号： H01L
摘要：首先控制機構控制藥液供給機構,藉由藥液,對於包含基板本體與圖形15的半導體基板進行液體處理。其次控制機構控制斥水處理液供給機構,將用於進行斥水處理的斥水處理液,供給到半導體基板。其次控制機構控制第1液體供給機構,將第1液體供給到半導體基板,其後,從半導體基板10除去第1液體而加以乾燥。
简体摘要：首先控制机构控制药液供给机构,借由药液,对于包含基板本体与图形15的半导体基板进行液体处理。其次控制机构控制斥水处理液供给机构,将用于进行斥水处理的斥水处理液,供给到半导体基板。其次控制机构控制第1液体供给机构,将第1液体供给到半导体基板,其后,从半导体基板10除去第1液体而加以干燥。

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