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11. 发明专利

TWI670935B 半導體裝置及電子裝置有权
简体标题：半导体设备及电子设备
公开(公告)号：TWI670935B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW104141156
申请日：2015-12-08
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：井上廣樹 , INOUE, HIROKI , 松嵜隆德 , MATSUZAKI, TAKANORI , 長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI , 石津貴彦 , ISHIZU, TAKAHIKO , 大貫達也 , ONUKI, TATSUYA
IPC分类号： H03K19/00 , H03K19/0185

12. 发明专利

TW201911584A 半導體裝置及半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201911584A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107124733
申请日：2018-07-18
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：大貫達也 , ONUKI, TATSUYA , 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 長修平 , NAGATSUKA, SHUHEI , 松徳 , MATSUZAKI, TAKANORI
IPC分类号： H01L29/92
摘要：本發明提供一種能夠實現高積體化的半導體裝置。該半導體裝置包括插頭、兩個電容器及共用一個氧化物半導體的兩個電晶體。各電晶體包括氧化物半導體上的閘極絕緣體與閘極電極的疊層結構和接觸於閘極電極的側面的絕緣體。兩個閘極電極之間的開口使與各閘極電極的側面接觸的絕緣體露出，插頭在開口中。電容器直接設置在氧化物半導體上。電容器的側面積大於該電容器的投影面積。
简体摘要：本发明提供一种能够实现高积体化的半导体设备。该半导体设备包括插头、两个电容器及共享一个氧化物半导体的两个晶体管。各晶体管包括氧化物半导体上的闸极绝缘体与闸极电极的叠层结构和接触于闸极电极的侧面的绝缘体。两个闸极电极之间的开口使与各闸极电极的侧面接触的绝缘体露出，插头在开口中。电容器直接设置在氧化物半导体上。电容器的侧面积大于该电容器的投影面积。

13. 发明专利

TWI621127B 運算處理裝置及其驅動方法有权
简体标题：运算处理设备及其驱动方法
公开(公告)号：TWI621127B
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：TW103134896
申请日：2014-10-07
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：石津貴彥 , ISHIZU, TAKAHIKO , 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 大貫達也 , ONUKI, TATSUYA
IPC分类号： G11C5/14 , G11C7/22
CPC分类号： G11C11/419 , G11C11/412

14. 发明专利

TW201541454A 記憶體裝置及半導體裝置审中-公开
简体标题：内存设备及半导体设备
公开(公告)号：TW201541454A
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW104110454
申请日：2015-03-31
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：大貫達也 , ONUKI, TATSUYA
IPC分类号： G11C11/401 , G11C11/4091 , G11C11/4097
CPC分类号： G11C11/4091 , G11C7/1069 , G11C11/4094 , G11C11/4097 , G11C29/04 , H01L27/10805 , H01L27/1225 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要：提供一種能夠減小佈局面積的記憶體裝置。記憶體裝置包括與第一佈線及第二佈線電連接且位於第一層的感測放大器以及位於所述第一層上的第二層的第一電路及第二電路，其中，所述第一電路包括根據第三佈線的電位而被開啟及關閉的第一開關以及藉由所述第一開關與所述第一佈線電連接的第一電容器，所述第二電路包括根據第四佈線的電位而被開啟及關閉的第二開關以及藉由所述第二開關與所述第二佈線電連接的第二電容器，所述第一佈線在所述第二層只與所述第三佈線及所述第四佈線中的所述第三佈線交叉，並且，所述第二佈線在所述第二層只與所述第三佈線及所述第四佈線中的所述第四佈線交叉。
简体摘要：提供一种能够减小布局面积的内存设备。内存设备包括与第一布线及第二布线电连接且位于第一层的传感放大器以及位于所述第一层上的第二层的第一电路及第二电路，其中，所述第一电路包括根据第三布线的电位而被打开及关闭的第一开关以及借由所述第一开关与所述第一布线电连接的第一电容器，所述第二电路包括根据第四布线的电位而被打开及关闭的第二开关以及借由所述第二开关与所述第二布线电连接的第二电容器，所述第一布线在所述第二层只与所述第三布线及所述第四布线中的所述第三布线交叉，并且，所述第二布线在所述第二层只与所述第三布线及所述第四布线中的所述第四布线交叉。

15. 发明专利

TW201510997A 半導體裝置及其驅動方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其驱动方法
公开(公告)号：TW201510997A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103110481
申请日：2014-03-20
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：大貫達也 , ONUKI, TATSUYA
IPC分类号： G11C11/405 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/786
CPC分类号： G11C11/565 , G11C11/403 , G11C11/4076 , G11C11/4091
摘要：本發明提供能夠寫入並讀出所希望的電位的半導體裝置。該半導體裝置，包括：第一電晶體(Tr)；第二Tr；以及電容器。在該半導體裝置中，資料寫入工作由如下第一步驟及第二步驟進行。在第一步驟中，將低電壓施加到位元線及第一佈線，以使第一Tr及第二Tr打開。在第二步驟中，將第一電壓施加到第一佈線並停止將低電壓施加到位元線。資料讀出工作由如下第三步驟及第四步驟進行。在第三步驟中，將高電壓施加到第一佈線。在第四步驟中，停止將高電壓施加到第一佈線，並將低電壓施加到電容線。
简体摘要：本发明提供能够写入并读出所希望的电位的半导体设备。该半导体设备，包括：第一晶体管(Tr)；第二Tr；以及电容器。在该半导体设备中，数据写入工作由如下第一步骤及第二步骤进行。在第一步骤中，将低电压施加到比特线及第一布线，以使第一Tr及第二Tr打开。在第二步骤中，将第一电压施加到第一布线并停止将低电压施加到比特线。数据读出工作由如下第三步骤及第四步骤进行。在第三步骤中，将高电压施加到第一布线。在第四步骤中，停止将高电压施加到第一布线，并将低电压施加到电容线。

16. 发明专利

TWI648735B 半導體裝置及其驅動方法有权
简体标题：半导体设备及其驱动方法
公开(公告)号：TWI648735B
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：TW103110481
申请日：2014-03-20
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：大貫達也 , ONUKI, TATSUYA
IPC分类号： G11C11/405 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/786

17. 发明专利

TW201638949A 半導體裝置、電子構件及電子裝置审中-公开
简体标题：半导体设备、电子构件及电子设备
公开(公告)号：TW201638949A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW105102136
申请日：2016-01-22
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：石津貴彦 , ISHIZU, TAKAHIKO , 上杉航 , UESUGI, WATARU , 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 大貫達也 , ONUKI, TATSUYA
IPC分类号： G11C11/419
CPC分类号： G11C11/419 , G06F2212/221 , G11C5/14 , G11C5/148 , G11C11/418 , G11C14/0054 , H01L21/02565 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L27/1104 , H01L27/1116 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L29/78651 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要：本發明的一個實施方式的目的之一是提供新穎的結構的半導體裝置。本發明的一個實施方式的目的之一是提供有利於低功耗化的半導體裝置。一種記憶元件，其包括：能夠將資料備份到非揮發性記憶體的SRAM；以及提供不同電源閘控狀態的記憶單元的週邊電路。在極短的第一期間中，藉由使開關關閉使位元線處於電浮動狀態。在比第一期間長的第二期間中，對記憶單元進行電源閘控。在更長的第三期間中，對記憶單元及週邊電路進行電源閘控。
简体摘要：本发明的一个实施方式的目的之一是提供新颖的结构的半导体设备。本发明的一个实施方式的目的之一是提供有利于低功耗化的半导体设备。一种记忆组件，其包括：能够将数据备份到非挥发性内存的SRAM；以及提供不同电源闸控状态的记忆单元的周边电路。在极短的第一期间中，借由使开关关闭使比特线处于电浮动状态。在比第一期间长的第二期间中，对记忆单元进行电源闸控。在更长的第三期间中，对记忆单元及周边电路进行电源闸控。

18. 发明专利

TW201606766A 記憶體裝置以及電子裝置审中-公开
简体标题：内存设备以及电子设备
公开(公告)号：TW201606766A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104114070
申请日：2015-05-01
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：加藤清 , KATO, KIYOSHI , 大貫達也 , ONUKI, TATSUYA
IPC分类号： G11C11/401 , G11C11/4091 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/786
CPC分类号： G11C11/4096 , G11C11/4091 , G11C11/4097
摘要：本發明的一個方式提供一種耗電量得到降低的記憶體裝置。該記憶體裝置包括感測放大器、位元線、記憶單元、以及第一電晶體，位元線設置在設置有感測放大器的層上，記憶單元設置在設置有位元線的層上，記憶單元包括第二電晶體和電容器。感測放大器與位元線藉由第一電晶體彼此電連接。感測放大器也可以至少包括一層導電體。
简体摘要：本发明的一个方式提供一种耗电量得到降低的内存设备。该内存设备包括传感放大器、比特线、记忆单元、以及第一晶体管，比特线设置在设置有传感放大器的层上，记忆单元设置在设置有比特线的层上，记忆单元包括第二晶体管和电容器。传感放大器与比特线借由第一晶体管彼此电连接。传感放大器也可以至少包括一层导电体。

19. 发明专利

TW201519231A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201519231A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW103116240
申请日：2014-05-07
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：加藤清 , KATO, KIYOSHI , 大貫達也 , ONUKI, TATSUYA
IPC分类号： G11C11/401
CPC分类号： H01L27/11563 , G11C11/005 , G11C11/412 , G11C14/0054 , H01L27/105 , H01L27/10805 , H01L27/10894 , H01L27/1104 , H01L27/1108 , H01L27/1156 , H01L27/1225
摘要：本發明提供一種具有即使進行元件的微型化也可以確保保持資料時所需要的記憶容量的新穎結構的半導體裝置。構成電容器的電極包括用作電晶體的閘極的電極、用作電晶體的源極及汲極的電極以及設置在與它們相同的層中的電極。將設置有用作電晶體的閘極的電極的層設置在與連接多個記憶體之間的電晶體的閘極的佈線層不同的層中。藉由採用該結構，可以抑制形成在電晶體的閘極附近的寄生電容。因為可以將設置有用作電晶體的閘極的電極的層設置在與連接多個記憶體之間的電晶體的閘極的佈線層不同的層中，所以可以增加電容器的形成面積。
简体摘要：本发明提供一种具有即使进行组件的微型化也可以确保保持数据时所需要的记忆容量的新颖结构的半导体设备。构成电容器的电极包括用作晶体管的闸极的电极、用作晶体管的源极及汲极的电极以及设置在与它们相同的层中的电极。将设置有用作晶体管的闸极的电极的层设置在与连接多个内存之间的晶体管的闸极的布线层不同的层中。借由采用该结构，可以抑制形成在晶体管的闸极附近的寄生电容。因为可以将设置有用作晶体管的闸极的电极的层设置在与连接多个内存之间的晶体管的闸极的布线层不同的层中，所以可以增加电容器的形成面积。

20. 发明专利

TW201308888A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201308888A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101116525
申请日：2012-05-09
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：大貫達也 , OHNUKI, TATSUYA
IPC分类号： H03F3/45 , H03F3/16 , H03F3/213
CPC分类号： H03F3/45183 , H01L27/1225 , H03F1/0277 , H03F2203/45674
摘要：在包含輸入電位及參考電位輸入的差動放大器、增益級、及輸出輸出電位的輸出級的半導體裝置中，藉由提供具有低的關閉狀態的漏電流之電晶體給輸出級，以固定地保持增益級供應的電位，而提供具有低耗電的半導體裝置。使用包含氧化物半導體層及包含於氧化物半導體層中的通道形成區之電晶體，作為具有低的關閉狀態的漏電流之電晶體。
简体摘要：在包含输入电位及参考电位输入的差动放大器、增益级、及输出输出电位的输出级的半导体设备中，借由提供具有低的关闭状态的漏电流之晶体管给输出级，以固定地保持增益级供应的电位，而提供具有低耗电的半导体设备。使用包含氧化物半导体层及包含于氧化物半导体层中的信道形成区之晶体管，作为具有低的关闭状态的漏电流之晶体管。

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