基本信息:
- 专利标题： 記憶體裝置以及電子裝置
- 专利标题（英）：Memory device and electronic device
- 专利标题（中）：内存设备以及电子设备
- 申请号：TW104114070 申请日：2015-05-01
- 公开(公告)号：TW201606766A 公开(公告)日：2016-02-16
- 发明人： 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 大貫達也 , ONUKI, TATSUYA
- 申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 专利权人： 半導體能源研究所股份有限公司,SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 当前专利权人： 半導體能源研究所股份有限公司,SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 代理人： 林怡芳; 童啓哲
- 优先权： 2014-098130 20140509
- 主分类号： G11C11/401
- IPC分类号： G11C11/401 ; G11C11/4091 ; H01L21/8242 ; H01L27/108 ; H01L29/786
摘要：
本發明的一個方式提供一種耗電量得到降低的記憶體裝置。該記憶體裝置包括感測放大器、位元線、記憶單元、以及第一電晶體，位元線設置在設置有感測放大器的層上，記憶單元設置在設置有位元線的層上，記憶單元包括第二電晶體和電容器。感測放大器與位元線藉由第一電晶體彼此電連接。感測放大器也可以至少包括一層導電體。
摘要（中）：
本发明的一个方式提供一种耗电量得到降低的内存设备。该内存设备包括传感放大器、比特线、记忆单元、以及第一晶体管，比特线设置在设置有传感放大器的层上，记忆单元设置在设置有比特线的层上，记忆单元包括第二晶体管和电容器。传感放大器与比特线借由第一晶体管彼此电连接。传感放大器也可以至少包括一层导电体。
摘要（英）：
To provide a memory device with low power comsumption. The memory device includes a sense amplifier, bit lines, memory cells, and first transistors. The bit lines are provided over a layer where the sense amplifier is provided. The memory cells are provided over a layer where the bit lines are provided. The memory cell includes a second transistor and a capacitor. The sense amplifier and the bit lines are electrically connected to each other through the first transistors. The sense amplifier may include at least one layer of a conductor.
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| G11C11/56 | 组优先于G11C11/02至G11C11/54中各组。 |
| --G11C11/19 | .在谐振电路中应用非线性电抗器件的 |
| ----G11C11/26 | ..应用放电管的 |
| ------G11C11/40 | ...应用晶体管的 |
| --------G11C11/401 | ....形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的 |