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1. 发明专利

TW202027080A 半導體裝置、電子構件及電子裝置审中-公开
简体标题：半导体设备、电子构件及电子设备
公开(公告)号：TW202027080A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108141055
申请日：2016-01-22
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：石津貴彦 , ISHIZU, TAKAHIKO , 上杉航 , UESUGI, WATARU , 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 大貫達也 , ONUKI, TATSUYA
IPC分类号： G11C11/419
摘要：本發明的一個實施方式的目的之一是提供新穎的結構的半導體裝置。本發明的一個實施方式的目的之一是提供有利於低功耗化的半導體裝置。一種記憶元件，其包括：能夠將資料備份到非揮發性記憶體的SRAM；以及提供不同電源閘控狀態的記憶單元的週邊電路。在極短的第一期間中，藉由使開關關閉使位元線處於電浮動狀態。在比第一期間長的第二期間中，對記憶單元進行電源閘控。在更長的第三期間中，對記憶單元及週邊電路進行電源閘控。
简体摘要：本发明的一个实施方式的目的之一是提供新颖的结构的半导体设备。本发明的一个实施方式的目的之一是提供有利于低功耗化的半导体设备。一种记忆组件，其包括：能够将数据备份到非挥发性内存的SRAM；以及提供不同电源闸控状态的记忆单元的周边电路。在极短的第一期间中，借由使开关关闭使比特线处于电浮动状态。在比第一期间长的第二期间中，对记忆单元进行电源闸控。在更长的第三期间中，对记忆单元及周边电路进行电源闸控。

2. 发明专利

TWI677193B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI677193B
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：TW103107694
申请日：2014-03-06
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：井上広樹 , INOUE, HIROKI , 高橋圭 , TAKAHASHI, KEI , 大貫達也 , ONUKI, TATSUYA
IPC分类号： H03M1/10

3. 发明专利

TW202019098A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW202019098A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108129986
申请日：2014-03-06
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：井上広樹 , INOUE, HIROKI , 高橋圭 , TAKAHASHI, KEI , 大貫達也 , ONUKI, TATSUYA
IPC分类号： H03M1/10
摘要：本發明提供一種具有對偏移電壓進行校正的功能的差動電路。差動電路與具有電晶體和電容器的取樣保持電路連接。取樣保持電路藉由進行取樣工作來對電容器進行充電或使其放電，以取得用來校正差動電路的偏移電壓的電壓。並且，藉由進行保持工作來儲存電容器的電位。在差動電路進行正常工作時，利用由電容器保持的電位校正差動電路的輸出電位。取樣保持電路的電晶體使用通道由氧化物半導體形成的電晶體是較佳的。由於氧化物半導體電晶體的洩漏電流極小，可以抑制由取樣電路的電容器所保持的電位發生變動。由此，只要進行一次取樣工作，就無須在執行差動電路的正常工作之前再次進行取樣工作。
简体摘要：本发明提供一种具有对偏移电压进行校正的功能的差动电路。差动电路与具有晶体管和电容器的采样保持电路连接。采样保持电路借由进行采样工作来对电容器进行充电或使其放电，以取得用来校正差动电路的偏移电压的电压。并且，借由进行保持工作来存储电容器的电位。在差动电路进行正常工作时，利用由电容器保持的电位校正差动电路的输出电位。采样保持电路的晶体管使用信道由氧化物半导体形成的晶体管是较佳的。由于氧化物半导体晶体管的泄漏电流极小，可以抑制由采样电路的电容器所保持的电位发生变动。由此，只要进行一次采样工作，就无须在运行差动电路的正常工作之前再次进行采样工作。

4. 发明专利

TWI672785B 半導體裝置及電子裝置有权
简体标题：半导体设备及电子设备
公开(公告)号：TWI672785B
公开(公告)日：2019-09-21
申请号：TW105107972
申请日：2016-03-15
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：宮入秀和 , MIYAIRI, HIDEKAZU , 佐藤優一 , SATO, YUICHI , 淺野裕治 , ASANO, YUJI , 丸山哲紀 , MARUYAMA, TETSUNORI , 大貫達也 , ONUKI, TATSUYA , 長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI
IPC分类号： H01L23/528 , H01L27/12 , H01L23/522 , H01L29/786 , H01L29/78 , H01L23/532 , H01L29/16

5. 发明专利

TW202027232A 記憶體件及包括該記憶體件的半導體裝置审中-公开
简体标题：内存件及包括该内存件的半导体设备
公开(公告)号：TW202027232A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108142645
申请日：2019-11-22
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 大貫達也 , ONUKI, TATSUYA
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L27/108
摘要：提供一種新穎的記憶體件。該記憶體件包括電晶體以及電容器件。電晶體包括第一氧化物半導體、設置在第一氧化物半導體的頂面上的第一導電體及第二導電體、形成在第一氧化物半導體上並設置在第一導電體和第二導電體之間的第二氧化物半導體、與第二氧化物半導體接觸地設置的第一絕緣體以及與第一絕緣體接觸地設置的第三導電體。電容器件包括第二導電體、第二導電體上的第二絕緣體以及第二絕緣體上的第四導電體。第一氧化物半導體包括比第一導電體及第二導電體的厚度深的槽部。
简体摘要：提供一种新颖的内存件。该内存件包括晶体管以及电容器件。晶体管包括第一氧化物半导体、设置在第一氧化物半导体的顶面上的第一导电体及第二导电体、形成在第一氧化物半导体上并设置在第一导电体和第二导电体之间的第二氧化物半导体、与第二氧化物半导体接触地设置的第一绝缘体以及与第一绝缘体接触地设置的第三导电体。电容器件包括第二导电体、第二导电体上的第二绝缘体以及第二绝缘体上的第四导电体。第一氧化物半导体包括比第一导电体及第二导电体的厚度深的槽部。

6. 发明专利

TWI695375B 記憶體裝置及半導體裝置有权
简体标题：内存设备及半导体设备
公开(公告)号：TWI695375B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW104110454
申请日：2015-03-31
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：大貫達也 , ONUKI, TATSUYA
IPC分类号： G11C11/401 , G11C11/4091 , G11C11/4097

7. 发明专利

TW201834208A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201834208A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106130927
申请日：2017-09-11
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：大貫達也 , ONUKI, TATSUYA , 加藤清 , KATO, KIYOSHI
IPC分类号： H01L27/108
摘要：本發明提供一種通態電流高且工作速度快的半導體裝置。本發明的一個實施方式是一種半導體裝置，包括：電晶體；第一電路；以及第二電路。電晶體包括第一閘極及第二閘極。第一閘極及第二閘極具有隔著半導體層彼此重疊的區域。第一電路包括溫度感測器。溫度感測器取得溫度資訊。第一電路具有對第二閘極施加對應於溫度資訊的電壓的功能。第一電路較佳為包括比較器。第二電路具有對第二閘極施加負電壓且保持該負電壓的功能。
简体摘要：本发明提供一种通态电流高且工作速度快的半导体设备。本发明的一个实施方式是一种半导体设备，包括：晶体管；第一电路；以及第二电路。晶体管包括第一闸极及第二闸极。第一闸极及第二闸极具有隔着半导体层彼此重叠的区域。第一电路包括温度传感器。温度传感器取得温度信息。第一电路具有对第二闸极施加对应于温度信息的电压的功能。第一电路较佳为包括比较器。第二电路具有对第二闸极施加负电压且保持该负电压的功能。

8. 发明专利

TW202030730A 記憶體裝置审中-公开
简体标题：内存设备
公开(公告)号：TW202030730A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108142818
申请日：2019-11-25
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI , 大貫達也 , ONUKI, TATSUYA , 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： G11C11/401 , G11C7/10 , G11C7/18 , G11C7/22
摘要：提供一種新穎的記憶體裝置。在驅動電路層上層疊N個(N是2以上的自然數)包括配置為矩陣狀的多個記憶單元的存儲層。記憶單元包括兩個電晶體以及一個電容器。將氧化物半導體用於構成電晶體的半導體。記憶單元與寫入字線、選擇線、電容線、寫入位元線及讀出位元線電連接。藉由將寫入位元線及讀出位元線延伸在層疊方向上，縮短記憶單元與驅動電路層之間的信號傳輸距離。
简体摘要：提供一种新颖的内存设备。在驱动电路层上层叠N个(N是2以上的自然数)包括配置为矩阵状的多个记忆单元的存储层。记忆单元包括两个晶体管以及一个电容器。将氧化物半导体用于构成晶体管的半导体。记忆单元与写入字线、选择线、电容线、写入比特线及读出比特线电连接。借由将写入比特线及读出比特线延伸在层叠方向上，缩短记忆单元与驱动电路层之间的信号传输距离。

9. 发明专利

TWI679637B 半導體裝置、電子構件及電子裝置有权
简体标题：半导体设备、电子构件及电子设备
公开(公告)号：TWI679637B
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：TW105102136
申请日：2016-01-22
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：石津貴彦 , ISHIZU, TAKAHIKO , 上杉航 , UESUGI, WATARU , 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 大貫達也 , ONUKI, TATSUYA
IPC分类号： G11C11/419

10. 发明专利

TWI675377B 半導體裝置、電路板及電子裝置有权
简体标题：半导体设备、电路板及电子设备
公开(公告)号：TWI675377B
公开(公告)日：2019-10-21
申请号：TW104132887
申请日：2015-10-06
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：大貫達也 , ONUKI, TATSUYA , 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 上杉航 , UESUGI, WATARU , 石津貴彦 , ISHIZU, TAKAHIKO
IPC分类号： G11C7/06 , G11C11/401

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