会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 11. 发明专利
    • 水分產生用反應爐
    • 水分产生用反应炉
    • TW466213B
    • 2001-12-01
    • TW089110825
    • 2000-06-02
    • 富士金股份有限公司大見忠弘
    • 大見忠弘池田信一川田幸司森本明弘皆見幸男坪田憲士本井傳晃央平井暢米華克典平尾圭志
    • C01B
    • 本發明提供一種水分發生用反應爐,係以更能完全防止於水分產生用反應爐本體之內部的對氫氣之著火或逆火之發生以及白金塗層觸媒層之剝離以進一步提升水分產生用反應爐之安全性之同時,減少反應爐本體之內部空間之死角空間以謀求反應體本體之進一步小型化為主要目的者。詳言之,
      使具有氣體供給口的入口側爐本體構件與具有水分氣體取出口的出口側爐本體構件相對向而組合,藉兩者之焊接而形成反應爐本體、左其內部空間設置反射體之同時在前述出口側爐本體構件之內壁面形成白金塗層觸媒層、藉由使從氣體供給口供給反應爐本體之內部空間內的氫氣及氧氣接觸白金塗層被膜以使其反應性活性化,而使氫氣與氧氣在非燃燒之狀態下進行反應以產生水。
    • 本发明提供一种水分发生用反应炉,系以更能完全防止于水分产生用反应炉本体之内部的对氢气之着火或逆火之发生以及白金涂层触媒层之剥离以进一步提升水分产生用反应炉之安全性之同时,减少反应炉本体之内部空间之死角空间以谋求反应体本体之进一步小型化为主要目的者。详言之, 使具有气体供给口的入口侧炉本体构件与具有水分气体取出口的出口侧炉本体构件相对向而组合,藉两者之焊接而形成反应炉本体、左其内部空间设置反射体之同时在前述出口侧炉本体构件之内壁面形成白金涂层触媒层、借由使从气体供给口供给反应炉本体之内部空间内的氢气及氧气接触白金涂层被膜以使其反应性活性化,而使氢气与氧气在非燃烧之状态下进行反应以产生水。
    • 12. 发明专利
    • 襯墊及管接頭
    • 衬垫及管接头
    • TW381157B
    • 2000-02-01
    • TW088102649
    • 1999-02-23
    • 大見忠弘富士金股份有限公司
    • 大見忠弘山路道雄篠原務池田信一森本明弘
    • F16L
    • C22C38/44F16L19/0212Y10S285/917
    • 管接頭具有一對管狀接頭構件,和介在於兩接頭構件突合端面的圓環狀襯墊(Gasket),和連接兩接頭構件的螺栓手段。各接頭構件係表面的畢卡斯硬度為300以上的不銹鋼製。襯墊係具有重量比鎳(Ni)12.90~15.00%,鉻(Cr)16.50~18.00% ,鉬(Mo)2.00~3.00%,碳(C)0.02%以下,矽(Si)0.30%以下,錳(Mn)0.40%以下,磷(P)0.03%以下,硫(S)0.03%以下,銅(Cu)0.25%以下,鋁(Al) O.O1%以下成份的不銹鋼製而且表面的畢卡斯硬度為90~160。[選擇圖]第1圖
    • 管接头具有一对管状接头构件,和介在于两接头构件突合端面的圆环状衬垫(Gasket),和连接两接头构件的螺栓手段。各接头构件系表面的毕卡斯硬度为300以上的不锈钢制。衬垫系具有重量比镍(Ni)12.90~15.00%,铬(Cr)16.50~18.00% ,钼(Mo)2.00~3.00%,碳(C)0.02%以下,硅(Si)0.30%以下,锰(Mn)0.40%以下,磷(P)0.03%以下,硫(S)0.03%以下,铜(Cu)0.25%以下,铝(Al) O.O1%以下成份的不锈钢制而且表面的毕卡斯硬度为90~160。[选择图]第1图
    • 13. 发明专利
    • 含氫排氣處理裝置
    • 含氢排气处理设备
    • TW457119B
    • 2001-10-01
    • TW088100151
    • 1999-06-11
    • 日立製作所股份有限公司富士金股份有限公司
    • 田邊 義和皆見幸男川田幸司池田信一森本明弘平尾圭志
    • B01D
    • B01D53/8671
    • 本發明之課題係在於:將從半導體製造設施等排出的含氫排氣用小型的處理裝置製作成,即使含氫排氣量等大幅度地變動,也能夠經常安定且確實地處理,並且不會帶給半導體製造裝置側之運作不良的影響。
      本發明之解決手段所採用之處理裝置係由:將含氫排氣之排出源連接於吸入口並且將氧氣供給源連接於驅動用流體供給口之噴射器型的真空發生器、及連接於真空發生器之驅動用流體排出口之具備有觸媒之氫與氧的反應爐、及連接於反應爐之出口而可積存來自反應爐的水之排洩槽所構成。
    • 本发明之课题系在于:将从半导体制造设施等排出的含氢排气用小型的处理设备制作成,即使含氢排气量等大幅度地变动,也能够经常安定且确实地处理,并且不会带给半导体制造设备侧之运作不良的影响。 本发明之解决手段所采用之处理设备系由:将含氢排气之排出源连接于吸入口并且将氧气供给源连接于驱动用流体供给口之喷射器型的真空发生器、及连接于真空发生器之驱动用流体排出口之具备有触媒之氢与氧的反应炉、及连接于反应炉之出口而可积存来自反应炉的水之排泄槽所构成。
    • 14. 发明专利
    • 平行分流式流體供應裝置與使用該裝置之流體可變型壓力式流量控制方法及流體可變型壓力式流量控制裝置
    • 平行分流式流体供应设备与使用该设备之流体可变型压力式流量控制方法及流体可变型压力式流量控制设备
    • TW445401B
    • 2001-07-11
    • TW089107095
    • 2000-04-15
    • 富士金股份有限公司東京威力科創股份有限公司大見忠弘
    • 大見忠弘加賀爪哲廣瀨潤杉山一彥深澤和夫小泉浩長岡秀樹皆見幸男西野功二土肥亮介米華克典池田信一山路道雄森本明弘宇野富雄出田英二松本篤志上野山豊已
    • G05D
    • G05D7/0658G05D7/0664Y10S438/935Y10T137/0396Y10T137/7759Y10T137/7761Y10T137/86389Y10T137/87877Y10T137/87917
    • 一種平行分流式流體供應裝置與使用該裝置之流體的可變型壓力式流量控制方法及流體可變型壓力式流量控制裝置,從壓力調整用的l個調整器平行配設複數條流路之流體供應裝置中,使各流路之流體供應的開關操作不致對其他流路之穩態供應造成過大的變動。因此,在各流路上配設流量控制用質量流控制器MFC或壓力式流量控制裝置FCS,某流路之流體供給自關閉而開啟時,構成從其流路之質量流控制器MFC動作開始僅延遲預定的延遲時間△t到達設定流量Qs。
      又,利用l台壓力式流量控制裝置可高精度流量控制複數氣體種類及實現其裝置。因此,以臨界壓力比以下的條件理論性導出通過孔口的氣體流量,根據該式定義流動係數,利用該流動係數形成可對應多數之氣體種類者。
      亦即,將孔口8的上游側壓力P1保持在下游壓力P2約2倍以上的狀態下,通過孔口的氣體運算流量Qc以 Qc=KP1(K為常數)運算之流量控制方法中,各種類氣體係以FF=(k/γs){2/(κ+l)}](x.1)〔κ/{(κ十l)R}〕1/2計算流動係數FF,氣體種類A的運算流量為QA時,在同一孔口、同一上游側壓力及同一上游側溫度的條件下使氣體種類B流通時,以其運算流量QvB作為QvB(EFvB/EFvA)QvA算出。其中,γS為氣體的標準狀態密度,κ為氣體的比熱比,R為氣體常數,k為未依據氣體種類之比例常數,FFvA.FFvB為氣體種類A.B的流動係數。
    • 一种平行分流式流体供应设备与使用该设备之流体的可变型压力式流量控制方法及流体可变型压力式流量控制设备,从压力调整用的l个调整器平行配设复数条流路之流体供应设备中,使各流路之流体供应的开关操作不致对其他流路之稳态供应造成过大的变动。因此,在各流路上配设流量控制用质量流控制器MFC或压力式流量控制设备FCS,某流路之流体供给自关闭而打开时,构成从其流路之质量流控制器MFC动作开始仅延迟预定的延迟时间△t到达设置流量Qs。 又,利用l台压力式流量控制设备可高精度流量控制复数气体种类及实现其设备。因此,以临界压力比以下的条件理论性导出通过孔口的气体流量,根据该式定义流动系数,利用该流动系数形成可对应多数之气体种类者。 亦即,将孔口8的上游侧压力P1保持在下游压力P2约2倍以上的状态下,通过孔口的气体运算流量Qc以 Qc=KP1(K为常数)运算之流量控制方法中,各种类气体系以FF=(k/γs){2/(κ+l)}](x.1)〔κ/{(κ十l)R}〕1/2计算流动系数FF,气体种类A的运算流量为QA时,在同一孔口、同一上游侧压力及同一上游侧温度的条件下使气体种类B流通时,以其运算流量QvB作为QvB(EFvB/EFvA)QvA算出。其中,γS为气体的标准状态密度,κ为气体的比热比,R为气体常数,k为未依据气体种类之比例常数,FFvA.FFvB为气体种类A.B的流动系数。
    • 16. 发明专利
    • 小流量之水分供給方法
    • 小流量之水分供给方法
    • TW386187B
    • 2000-04-01
    • TW087120549
    • 1999-01-19
    • 富士金股份有限公司日立製作所股份有限公司
    • 皆見幸男川田幸司田邊義和池田信一森本明弘
    • G05D
    • F22B1/003C01B5/00
    • 本發明之課題係從水分產生裝置向製程裝置側之供給水分量即使變成極少量,也可用高精度控制所供給之水分流量。
      本發明之解決手段係在內部空間之壁面備有白金塗層膜被之反應爐內供給氫與氧,而藉白金之催化作用不僅可提升氫及氧之反應活性,並且,將已提高該反應活性之氫與氧較氫混合氣之著火溫度更低溫度下使其剎那地發生反應,不至於發生高溫燃燒產生水分之水分產生裝置,使用流量控制器控制供給於上述反應爐內之氫流量,藉該流量控制器從氫開始流入起緩慢地增加氫流量,而延遲既定時間由於將設定流量之氫供給於反應爐內,從反應爐之設定流量之水分供給於製程側(process side)。
    • 本发明之课题系从水分产生设备向制程设备侧之供给水分量即使变成极少量,也可用高精度控制所供给之水分流量。 本发明之解决手段系在内部空间之壁面备有白金涂层膜被之反应炉内供给氢与氧,而藉白金之催化作用不仅可提升氢及氧之反应活性,并且,将已提高该反应活性之氢与氧较氢混合气之着火温度更低温度下使其刹那地发生反应,不至于发生高温燃烧产生水分之水分产生设备,使用流量控制器控制供给于上述反应炉内之氢流量,藉该流量控制器从氢开始流入起缓慢地增加氢流量,而延迟既定时间由于将设置流量之氢供给于反应炉内,从反应炉之设置流量之水分供给于制程侧(process side)。
    • 17. 发明专利
    • 壓力式流量控制裝置
    • 压力式流量控制设备
    • TW300947B
    • 1997-03-21
    • TW085105996
    • 1996-05-21
    • 富士金股份有限公司
    • 土肥亮介川田幸司池田信一西野功二皆見幸男森本明弘福田浩幸
    • F17DG05D
    • G05D7/0635Y10T137/5109Y10T137/7737Y10T137/7759Y10T137/7761Y10T137/777Y10T137/87917
    • 本發明之目的係在於提高流量控制裝置之控制精度,而且達成裝置之小型化,低成本化。
      一種壓力式流量控制裝置,屬於將流出口之上游側壓力P1保持在下游側壓力之約兩倍以上之狀態下實行控制流體之流量的壓力式流量控制裝置,其特徵為:流出口5,及設於流出口2之上游側的控制閥5,及設於控制閥2與流出口5間的壓力檢測器3,及從壓力檢測器2之檢測壓力P1作為Qc=KP1,(但,K係常數)演算流量Qc,而且將流量指會信號Q5與上述經演算之流量信號Qc之間的相差作為控制信號 Qy而輸出至上述控制閥2之驅動部14的演算控制裝置6所構成;藉控制閥2之開閉來調整流出口上游側壓力P1,俾控制流出口下游側流量者。
    • 本发明之目的系在于提高流量控制设备之控制精度,而且达成设备之小型化,低成本化。 一种压力式流量控制设备,属于将流出口之上游侧压力P1保持在下游侧压力之约两倍以上之状态下实行控制流体之流量的压力式流量控制设备,其特征为:流出口5,及设于流出口2之上游侧的控制阀5,及设于控制阀2与流出口5间的压力检测器3,及从压力检测器2之检测压力P1作为Qc=KP1,(但,K系常数)演算流量Qc,而且将流量指会信号Q5与上述经演算之流量信号Qc之间的相差作为控制信号 Qy而输出至上述控制阀2之驱动部14的演算控制设备6所构成;藉控制阀2之开闭来调整流出口上游侧压力P1,俾控制流出口下游侧流量者。
    • 18. 发明专利
    • 超高純度氣體供給系統配管之熔接方法
    • 超高纯度气体供给系统配管之熔接方法
    • TW243422B
    • 1995-03-21
    • TW083105569
    • 1994-06-20
    • 富士金股份有限公司
    • 池田信一森本明弘諸士裕司
    • B23K
    • B23K9/0672B23K9/0286B23K2201/06
    • 本發明有關於半導體製造工場等之超高純度氣體供給系統配管之熔接方法。
      在藉電弧熔接之不銹鋼管與不銹鋼管之熔接中,從一方之不銹鋼管之先端側向內方放出背襯遮蔽氣體,同時從電弧起動時機到一定時間之間令電弧起動時之熔接電流值,保持於較低於定常熔接電流值之值,而後將熔接電流提高至定常熔接電流值。其目的係以不特別的提高由背襯遮蔽氣體所致之熔接部之內壓,並且不會發生大量之粒子之下,實施超高純度氣體供給系統配管之熔接也。
    • 本发明有关于半导体制造工场等之超高纯度气体供给系统配管之熔接方法。 在藉电弧熔接之不锈钢管与不锈钢管之熔接中,从一方之不锈钢管之先端侧向内方放出背衬屏蔽气体,同时从电弧起动时机到一定时间之间令电弧起动时之熔接电流值,保持于较低于定常熔接电流值之值,而后将熔接电流提高至定常熔接电流值。其目的系以不特别的提高由背衬屏蔽气体所致之熔接部之内压,并且不会发生大量之粒子之下,实施超高纯度气体供给系统配管之熔接也。
    • 20. 发明专利
    • 產生供給水分裝置及產生水分用反應爐
    • 产生供给水分设备及产生水分用反应炉
    • TW553900B
    • 2003-09-21
    • TW089115809
    • 2000-08-05
    • 富士金股份有限公司大見忠弘
    • 大見忠弘池田信一皆見幸男川田幸司米華克典本井傳晃央平井暢森本明弘成相敏郎平尾圭志田口將暖中村修瑪儂哈魯拉魯 休雷司他
    • C01B
    • B01J3/006B01J7/00B01J12/007C01B5/00
    • 本發明之目的在於提供一種減壓型產生供給水分裝置,藉由將水分氣體減壓供給(例如數Torr)將水分產生用反應爐之內壓保持於較高,而可防止氫之自然引燃,具有安全性;本發明之目的又在提供一種產生水分用反應爐,藉由將產生水分反應爐高效率地冷卻,同在不增大反應爐之尺寸下,大幅增大產生水分量。
      為此,本發明之減壓型產生供給水分裝置,係由:自氫及氧以觸媒反應產生水分氣體之產生水分用反應爐,以及設於該產生水分用反應爐的下游側之減壓機構所構成;其特徵在於:藉由該減壓機構將水分氣體減壓供給至下游側,並將反應爐內之內壓保持於較高。
      又本發明之散熱式產生水分用反應爐,係由:組合入口側爐本體部件及出口側爐本體部件而形成內部空間之反應爐本體,密接於上述爐本體部件外壁面之散熱片基板,以及立設於該散熱片基板之多數個散熱用散熱片所構成,藉由上述散熱用散熱片,將產生之熱強制放射而令反應爐低溫化。又,將散熱用散熱片作防蝕鋁加工而增大熱放射率,使放射效率更為增大。
    • 本发明之目的在于提供一种减压型产生供给水分设备,借由将水分气体减压供给(例如数Torr)将水分产生用反应炉之内压保持于较高,而可防止氢之自然引燃,具有安全性;本发明之目的又在提供一种产生水分用反应炉,借由将产生水分反应炉高效率地冷却,同在不增大反应炉之尺寸下,大幅增大产生水分量。 为此,本发明之减压型产生供给水分设备,系由:自氢及氧以触媒反应产生水分气体之产生水分用反应炉,以及设于该产生水分用反应炉的下游侧之减压机构所构成;其特征在于:借由该减压机构将水分气体减压供给至下游侧,并将反应炉内之内压保持于较高。 又本发明之散热式产生水分用反应炉,系由:组合入口侧炉本体部件及出口侧炉本体部件而形成内部空间之反应炉本体,密接于上述炉本体部件外壁面之散热片基板,以及立设于该散热片基板之多数个散热用散热片所构成,借由上述散热用散热片,将产生之热强制放射而令反应炉低温化。又,将散热用散热片作防蚀铝加工而增大热放射率,使放射效率更为增大。