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1. 发明专利

TW386187B 小流量之水分供給方法失效
简体标题：小流量之水分供给方法
公开(公告)号：TW386187B
公开(公告)日：2000-04-01
申请号：TW087120549
申请日：1999-01-19
申请人：富士金股份有限公司 , 日立製作所股份有限公司
发明人：皆見幸男 , 川田幸司 , 田邊義和 , 池田信一 , 森本明弘
IPC分类号： G05D
CPC分类号： F22B1/003 , C01B5/00
摘要：本發明之課題係從水分產生裝置向製程裝置側之供給水分量即使變成極少量，也可用高精度控制所供給之水分流量。
本發明之解決手段係在內部空間之壁面備有白金塗層膜被之反應爐內供給氫與氧，而藉白金之催化作用不僅可提升氫及氧之反應活性，並且，將已提高該反應活性之氫與氧較氫混合氣之著火溫度更低溫度下使其剎那地發生反應，不至於發生高溫燃燒產生水分之水分產生裝置，使用流量控制器控制供給於上述反應爐內之氫流量,藉該流量控制器從氫開始流入起緩慢地增加氫流量，而延遲既定時間由於將設定流量之氫供給於反應爐內，從反應爐之設定流量之水分供給於製程側(process side)。
简体摘要：本发明之课题系从水分产生设备向制程设备侧之供给水分量即使变成极少量，也可用高精度控制所供给之水分流量。本发明之解决手段系在内部空间之壁面备有白金涂层膜被之反应炉内供给氢与氧，而藉白金之催化作用不仅可提升氢及氧之反应活性，并且，将已提高该反应活性之氢与氧较氢混合气之着火温度更低温度下使其刹那地发生反应，不至于发生高温燃烧产生水分之水分产生设备，使用流量控制器控制供给于上述反应炉内之氢流量,藉该流量控制器从氢开始流入起缓慢地增加氢流量，而延迟既定时间由于将设置流量之氢供给于反应炉内，从反应炉之设置流量之水分供给于制程侧(process side)。

2. 发明专利

TW200625454A 半導體積體電路裝置之製造方法失效
简体标题：半导体集成电路设备之制造方法
公开(公告)号：TW200625454A
公开(公告)日：2006-07-16
申请号：TW095107658
申请日：1998-02-27
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.
发明人：田邊義和 , 酒井哲 , 夏秋信義
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31662 , H01L21/02052 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/28211 , H01L21/3144 , H01L21/31658 , H01L21/67109 , H01L21/67167 , H01L21/67173 , H01L21/67213 , H01L21/67219 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823857 , H01L29/42364 , H01L29/518 , Y10S148/023 , Y10S148/116 , Y10S438/935
摘要：為了提供以均勻膜厚再現性良好地形成高品質且膜厚5 nm以下的極薄閘氧化膜之技術，本發明供應低濃度含有因觸媒作用而由氫和氧產生之水的氧化種給半導體晶圓主面或其附近，以可確保形成氧化膜的再現性及氧化膜厚的均勻性程度的氧化膜成長速度在半導體晶圓主面形成膜厚5 nm以下的氧化膜。
简体摘要：为了提供以均匀膜厚再现性良好地形成高品质且膜厚5 nm以下的极薄闸氧化膜之技术，本发明供应低浓度含有因触媒作用而由氢和氧产生之水的氧化种给半导体晶圆主面或其附近，以可确保形成氧化膜的再现性及氧化膜厚的均匀性程度的氧化膜成长速度在半导体晶圆主面形成膜厚5 nm以下的氧化膜。

3. 发明专利

TW200525644A 半導體積體電路裝置之製造方法失效
简体标题：半导体集成电路设备之制造方法
公开(公告)号：TW200525644A
公开(公告)日：2005-08-01
申请号：TW094103535
申请日：1998-02-27
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.
发明人：田邊義和 , 酒井哲 , 夏秋信義
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31662 , H01L21/02052 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/28211 , H01L21/3144 , H01L21/31658 , H01L21/67109 , H01L21/67167 , H01L21/67173 , H01L21/67213 , H01L21/67219 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823857 , H01L29/42364 , H01L29/518 , Y10S148/023 , Y10S148/116 , Y10S438/935
摘要：為了提供以均勻膜厚再現性良好地形成高品質且膜厚5nm以下的極薄閘氧化膜之技術，本發明供應低濃度含有因觸媒作用而由氫和氧產生之水的氧化種給半導體晶圓主面或其附近，以可確保形成氧化膜的再現性及氧化膜厚的均勻性程度的氧化膜成長速度在半導體晶圓主面形成膜厚5nm以下的氧化膜。
简体摘要：为了提供以均匀膜厚再现性良好地形成高品质且膜厚5nm以下的极薄闸氧化膜之技术，本发明供应低浓度含有因触媒作用而由氢和氧产生之水的氧化种给半导体晶圆主面或其附近，以可确保形成氧化膜的再现性及氧化膜厚的均匀性程度的氧化膜成长速度在半导体晶圆主面形成膜厚5nm以下的氧化膜。

4. 发明专利

TWI227530B 半導體積體電路裝置之製造方法失效
简体标题：半导体集成电路设备之制造方法
公开(公告)号：TWI227530B
公开(公告)日：2005-02-01
申请号：TW091102374
申请日：1998-02-27
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.
发明人：田邊義和 , 酒井哲 , 夏秋信義
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31662 , H01L21/02052 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/28211 , H01L21/3144 , H01L21/31658 , H01L21/67109 , H01L21/67167 , H01L21/67173 , H01L21/67213 , H01L21/67219 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823857 , H01L29/42364 , H01L29/518 , Y10S148/023 , Y10S148/116 , Y10S438/935
摘要：為了提供以均勻膜厚再現性良好地形成高品質且膜厚 5 nm以下的極薄閘氧化膜之技術，本發明供應低濃度含有因觸媒作用而由氫和氧產生之水的氧化種給半導體晶圓主面或其附近，以可確保形成氧化膜的再現性及氧化膜厚的均勻性程度的氧化膜成長速度在半導體晶圓主面形成膜厚5nm以下的氧化膜。
简体摘要：为了提供以均匀膜厚再现性良好地形成高品质且膜厚 5 nm以下的极薄闸氧化膜之技术，本发明供应低浓度含有因触媒作用而由氢和氧产生之水的氧化种给半导体晶圆主面或其附近，以可确保形成氧化膜的再现性及氧化膜厚的均匀性程度的氧化膜成长速度在半导体晶圆主面形成膜厚5nm以下的氧化膜。

5. 发明专利

TWI278933B 半導體積體電路裝置之製造方法失效
简体标题：半导体集成电路设备之制造方法
公开(公告)号：TWI278933B
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：TW095107658
申请日：1998-02-27
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.
发明人：田邊義和 , 酒井哲 , 夏秋信義
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31662 , H01L21/02052 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/28211 , H01L21/3144 , H01L21/31658 , H01L21/67109 , H01L21/67167 , H01L21/67173 , H01L21/67213 , H01L21/67219 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823857 , H01L29/42364 , H01L29/518 , Y10S148/023 , Y10S148/116 , Y10S438/935
摘要：為了提供以均勻膜厚再現性良好地形成高品質且膜厚5 nm以下的極薄閘氧化膜之技術，本發明供應低濃度含有因觸媒作用而由氫和氧產生之水的氧化種給半導體晶圓主面或其附近，以可確保形成氧化膜的再現性及氧化膜厚的均勻性程度的氧化膜成長速度在半導體晶圓主面形成膜厚5 nm以下的氧化膜。
简体摘要：为了提供以均匀膜厚再现性良好地形成高品质且膜厚5 nm以下的极薄闸氧化膜之技术，本发明供应低浓度含有因触媒作用而由氢和氧产生之水的氧化种给半导体晶圆主面或其附近，以可确保形成氧化膜的再现性及氧化膜厚的均匀性程度的氧化膜成长速度在半导体晶圆主面形成膜厚5 nm以下的氧化膜。

6. 发明专利

TWI278932B 半導體積體電路裝置之製造方法失效
简体标题：半导体集成电路设备之制造方法
公开(公告)号：TWI278932B
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：TW094103535
申请日：1998-02-27
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.
发明人：田邊義和 , 酒井哲 , 夏秋信義
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31662 , H01L21/02052 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/28211 , H01L21/3144 , H01L21/31658 , H01L21/67109 , H01L21/67167 , H01L21/67173 , H01L21/67213 , H01L21/67219 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823857 , H01L29/42364 , H01L29/518 , Y10S148/023 , Y10S148/116 , Y10S438/935
摘要：為了提供以均勻膜厚再現性良好地形成高品質且膜厚5 nm以下的極薄閘氧化膜之技術，本發明供應低濃度含有因觸媒作用而由氫和氧產生之水的氧化種給半導體晶圓主面或其附近，以可確保形成氧化膜的再現性及氧化膜厚的均勻性程度的氧化膜成長速度在半導體晶圓主面形成膜厚5 nm以下的氧化膜。
简体摘要：为了提供以均匀膜厚再现性良好地形成高品质且膜厚5 nm以下的极薄闸氧化膜之技术，本发明供应低浓度含有因触媒作用而由氢和氧产生之水的氧化种给半导体晶圆主面或其附近，以可确保形成氧化膜的再现性及氧化膜厚的均匀性程度的氧化膜成长速度在半导体晶圆主面形成膜厚5 nm以下的氧化膜。

7. 发明专利

TWI250583B 半導體積體電路裝置之製造方法失效
简体标题：半导体集成电路设备之制造方法
公开(公告)号：TWI250583B
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：TW093110289
申请日：1998-02-27
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.
发明人：田邊義和 , 酒井哲 , 夏秋信義
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31662 , H01L21/02052 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/28211 , H01L21/3144 , H01L21/31658 , H01L21/67109 , H01L21/67167 , H01L21/67173 , H01L21/67213 , H01L21/67219 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823857 , H01L29/42364 , H01L29/518 , Y10S148/023 , Y10S148/116 , Y10S438/935
摘要：為了提供以均勻膜厚再現性良好地形成高品質且膜厚5 nm以下的極薄閘氧化膜之技術，本發明供應低濃度含有因觸媒作用而由氫和氧產生之水的氧化種給半導體晶圓主面或其附近，以可確保形成氧化膜的再現性及氧化膜厚的均勻性程度的氧化膜成長速度在半導體晶圓主面形成膜厚5 nm以下的氧化膜。
简体摘要：为了提供以均匀膜厚再现性良好地形成高品质且膜厚5 nm以下的极薄闸氧化膜之技术，本发明供应低浓度含有因触媒作用而由氢和氧产生之水的氧化种给半导体晶圆主面或其附近，以可确保形成氧化膜的再现性及氧化膜厚的均匀性程度的氧化膜成长速度在半导体晶圆主面形成膜厚5 nm以下的氧化膜。

8. 发明专利

TW200415729A 半導體積體電路裝置之製造方法失效
简体标题：半导体集成电路设备之制造方法
公开(公告)号：TW200415729A
公开(公告)日：2004-08-16
申请号：TW093110289
申请日：1998-02-27
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.
发明人：田邊義和 , 酒井哲 , 夏秋信義
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31662 , H01L21/02052 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/28211 , H01L21/3144 , H01L21/31658 , H01L21/67109 , H01L21/67167 , H01L21/67173 , H01L21/67213 , H01L21/67219 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823857 , H01L29/42364 , H01L29/518 , Y10S148/023 , Y10S148/116 , Y10S438/935
摘要：為了提供以均勻膜厚再現性良好地形成高品質且膜厚5nm以下的極薄閘氧化膜之技術，本發明供應低濃度含有因觸媒作用而由氫和氧產生之水的氧化種給半導體晶圓主面或其附近，以可確保形成氧化膜的再現性及氧化膜厚的均勻性程度的氧化膜成長速度在半導體晶圓主面形成膜厚5nm以下的氧化膜。
简体摘要：为了提供以均匀膜厚再现性良好地形成高品质且膜厚5nm以下的极薄闸氧化膜之技术，本发明供应低浓度含有因触媒作用而由氢和氧产生之水的氧化种给半导体晶圆主面或其附近，以可确保形成氧化膜的再现性及氧化膜厚的均匀性程度的氧化膜成长速度在半导体晶圆主面形成膜厚5nm以下的氧化膜。

9. 发明专利

TWI347638B 半導體積體電路裝置之製造方法失效
简体标题：半导体集成电路设备之制造方法
公开(公告)号：TWI347638B
公开(公告)日：2011-08-21
申请号：TW096101926
申请日：1998-02-27
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：田邊義和 , 酒井哲 , 夏秋信義
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31662 , H01L21/02052 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/28211 , H01L21/3144 , H01L21/31658 , H01L21/67109 , H01L21/67167 , H01L21/67173 , H01L21/67213 , H01L21/67219 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823857 , H01L29/42364 , H01L29/518 , Y10S148/023 , Y10S148/116 , Y10S438/935
摘要：為了提供以均勻膜厚再現性良好地形成高品質且膜厚5 nm以下的極薄閘氧化膜之技術，本發明供應低濃度含有因觸媒作用而由氫和氧產生之水的氧化種給半導體晶圓主面或其附近，以可確保形成氧化膜的再現性及氧化膜厚的均勻性程度的氧化膜成長速度在半導體晶圓主面形成膜厚5 nm以下的氧化膜。
简体摘要：为了提供以均匀膜厚再现性良好地形成高品质且膜厚5 nm以下的极薄闸氧化膜之技术，本发明供应低浓度含有因触媒作用而由氢和氧产生之水的氧化种给半导体晶圆主面或其附近，以可确保形成氧化膜的再现性及氧化膜厚的均匀性程度的氧化膜成长速度在半导体晶圆主面形成膜厚5 nm以下的氧化膜。

10. 发明专利

TW200746302A 半導體積體電路裝置之製造方法失效
简体标题：半导体集成电路设备之制造方法
公开(公告)号：TW200746302A
公开(公告)日：2007-12-16
申请号：TW096101926
申请日：1998-02-27
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.
发明人：田邊義和 , 酒井哲 , 夏秋信義
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31662 , H01L21/02052 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/28211 , H01L21/3144 , H01L21/31658 , H01L21/67109 , H01L21/67167 , H01L21/67173 , H01L21/67213 , H01L21/67219 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823857 , H01L29/42364 , H01L29/518 , Y10S148/023 , Y10S148/116 , Y10S438/935
摘要：為了提供以均勻膜厚再現性良好地形成高品質且膜厚5 nm以下的極薄閘氧化膜之技術,本發明供應低濃度含有因觸媒作用而由氫和氧產生之水的氧化種給半導體晶圓主面或其附近,以可確保形成氧化膜的再現性及氧化膜厚的均勻性程度的氧化膜成長速度在半導體晶圓主面形成膜厚5 nm以下的氧化膜。
简体摘要：为了提供以均匀膜厚再现性良好地形成高品质且膜厚5 nm以下的极薄闸氧化膜之技术,本发明供应低浓度含有因触媒作用而由氢和氧产生之水的氧化种给半导体晶圆主面或其附近,以可确保形成氧化膜的再现性及氧化膜厚的均匀性程度的氧化膜成长速度在半导体晶圆主面形成膜厚5 nm以下的氧化膜。

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