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11. 发明专利

TW201215236A 驅動裝置及發光裝置审中-公开
简体标题：驱动设备及发光设备
公开(公告)号：TW201215236A
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW100124832
申请日：2011-07-13
申请人：夏普股份有限公司
发明人：野村勝 , 太田佳似 , 鹽見竹史 , 片岡耕太郎
IPC分类号： H05B
CPC分类号： H05B33/0815 , Y02B20/346
摘要：本發明之驅動裝置(2)具備:驅動串聯連接之複數之發光部(1)之驅動電路(10);與複數之發光部(1)中之一部分並聯設置之旁通電路(30);及控制旁通電路(30)之控制電路(40)。旁通電路(30)包含第1開關(33)及第2開關(35)、電壓下降部(34)。控制電路(40)控制第1開關(33)及第2開關(35)之開閉。
简体摘要：本发明之驱动设备(2)具备:驱动串联连接之复数之发光部(1)之驱动电路(10);与复数之发光部(1)中之一部分并联设置之旁通电路(30);及控制旁通电路(30)之控制电路(40)。旁通电路(30)包含第1开关(33)及第2开关(35)、电压下降部(34)。控制电路(40)控制第1开关(33)及第2开关(35)之开闭。

12. 发明专利

TW201246734A 發光裝置、照明裝置、前照燈及車輛 LIGHT MEITTING DEVICE, ILLUMINATING DEVICE, HEADLAMP, AND VEHICLE 审中-公开
简体标题：发光设备、照明设备、前照灯及车辆 LIGHT MEITTING DEVICE, ILLUMINATING DEVICE, HEADLAMP, AND VEHICLE
公开(公告)号：TW201246734A
公开(公告)日：2012-11-16
申请号：TW101108353
申请日：2012-03-12
申请人：夏普股份有限公司
发明人：野村勝 , 矢追善史 , 足立浩一郎 , 片岡耕太郎 , 鹽見竹史 , 岩田浩 , 太田佳似
IPC分类号： H01S , H05B , F21S , B60Q
CPC分类号： H01S5/00 , F21S41/14 , F21S41/147 , F21S41/16 , F21V9/30 , F21Y2101/00 , F21Y2115/30 , H01S5/005 , H01S5/0078 , H01S5/042 , H01S5/06825 , H01S5/4018
摘要：本發明之發光裝置具備雷射光源、配線、激發用透鏡、發光體、雷射截止濾光片、半拋物面鏡、基座之至少一者,且將配線之一部分設置於容易因雷射光源、激發用透鏡、發光體、雷射截止濾光片、半拋物面鏡、基座之至少一者之變形或其設置位置之變化而發生斷線之部位。
简体摘要：本发明之发光设备具备激光光源、配线、激发用透镜、发光体、激光截止滤光片、半抛物面镜、基座之至少一者,且将配线之一部分设置于容易因激光光源、激发用透镜、发光体、激光截止滤光片、半抛物面镜、基座之至少一者之变形或其设置位置之变化而发生断线之部位。

13. 发明专利

TW201243218A 照明裝置、前照燈及車輛 ILLUMINATING DEVICE, HEADLIGHT AND VEHICLE 审中-公开
简体标题：照明设备、前照灯及车辆 ILLUMINATING DEVICE, HEADLIGHT AND VEHICLE
公开(公告)号：TW201243218A
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：TW101108352
申请日：2012-03-12
申请人：夏普股份有限公司
发明人：野村勝 , 鹽見竹史 , 片岡耕太郎 , 足立浩一郎 , 太田佳似 , 岩田浩
IPC分类号： F21S , F21V , B60Q
CPC分类号： B60Q1/0023 , B60Q1/04 , B60Q2300/114 , F21S41/141 , F21S41/143 , F21S41/147 , F21S41/16
摘要：本發明之照明裝置具備具有雷射光源之前照燈部、驅動上述雷射光源之雷射驅動電路、以及檢測上述前照燈部之加速度之加速度感測器。上述雷射驅動電路於驅動上述雷射光源之狀態下，當上述加速度感測器之檢測值超過第1閾值時，使上述雷射光源脈衝驅動一定時間。
简体摘要：本发明之照明设备具备具有激光光源之前照灯部、驱动上述激光光源之激光驱动电路、以及检测上述前照灯部之加速度之加速度传感器。上述激光驱动电路于驱动上述激光光源之状态下，当上述加速度传感器之检测值超过第1阈值时，使上述激光光源脉冲驱动一定时间。

14. 发明专利

TW434554B 虛擬接地型半導體儲存裝置失效
简体标题：虚拟接地型半导体存储设备
公开(公告)号：TW434554B
公开(公告)日：2001-05-16
申请号：TW087114721
申请日：1998-09-04
申请人：夏普股份有限公司
发明人：太田佳似
IPC分类号： G11C , H01L
CPC分类号： G11C16/0491 , G11C17/126
摘要：一種虛擬接地型半導體儲存裝置中，全部連結至八個記憶體細胞區塊之一條字線之全部記憶體細胞，係於四次感測操作讀取。各次讀取操作中，三條接續主位元線BL由放電信號dis放電及兩個記憶體細胞MC其各自連結至放電主位元線及充電主位元線用作讀取記憶體細胞，因此來自讀取記憶體細胞之毗鄰記憶體細胞之漏電流影響被壓制至最低。由調整信號awl激活之調整細胞單位AC中，一個僅連結至充電主位元線之AC設計做為程式規劃細胞P俾減少漏電流變化對感測主位元線之影響，原因為資料係保留於僅連結至充電主位元線之記憶體細胞MC。
简体摘要：一种虚拟接地型半导体存储设备中，全部链接至八个内存细胞区块之一条字线之全部内存细胞，系于四次传感操作读取。各次读取操作中，三条接续主比特线BL由放电信号dis放电及两个内存细胞MC其各自链接至放电主比特线及充电主比特线用作读取内存细胞，因此来自读取内存细胞之毗邻内存细胞之漏电流影响被压制至最低。由调整信号awl激活之调整细胞单位AC中，一个仅链接至充电主比特线之AC设计做为进程规划细胞P俾减少漏电流变化对传感主比特线之影响，原因为数据系保留于仅链接至充电主比特线之内存细胞MC。

15. 发明专利

TW358940B 半導體存儲裝置失效
简体标题：半导体存储设备
公开(公告)号：TW358940B
公开(公告)日：1999-05-21
申请号：TW086119318
申请日：1997-12-19
申请人：夏普股份有限公司
发明人：太田佳似
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C11/5621 , G11C5/145 , G11C7/06 , G11C11/5642
摘要：一種半導體儲存裝置，係在即使當多數記憶體單元連接至一擴充位元訊號線時，其並不會降低讀出靈敏度及讀出速度。一昇壓電路40藉由來自一選擇電路42的一驅動訊號ψbst0讀出靈敏度△V，而在一輸入點24上昇高電壓，藉以在連接至一記憶體單元陣列30的一選定記憶體單元52的該輸入點24上的一電壓及在參考端的一輸入點25上的電壓之間提供一電位差△V。一讀出放大器21將介於輸入點24和輸入點25之間的電位差△V放大至一電壓Vcc。如此，一充分的讀出靈敏度便能獲得，而不會將在輸入點24上的一起電電壓降低至一參考電壓。因此，一充分的讀出靈敏度及一快速的讀出速度便能獲得，使是存有由於多數的記憶體單元的連接至該擴充的位元訊號線所造成之一較大的位元訊號線阻抗的情況。
简体摘要：一种半导体存储设备，系在即使当多数内存单元连接至一扩充比特信号线时，其并不会降低读出灵敏度及读出速度。一升压电路40借由来自一选择电路42的一驱动信号ψbst0读出灵敏度△V，而在一输入点24上升高电压，借以在连接至一内存单元数组30的一选定内存单元52的该输入点24上的一电压及在参考端的一输入点25上的电压之间提供一电位差△V。一读出放大器21将介于输入点24和输入点25之间的电位差△V放大至一电压Vcc。如此，一充分的读出灵敏度便能获得，而不会将在输入点24上的一起电电压降低至一参考电压。因此，一充分的读出灵敏度及一快速的读出速度便能获得，使是存有由于多数的内存单元的连接至该扩充的比特信号线所造成之一较大的比特信号线阻抗的情况。

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