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11. 发明专利

TWI532183B 半導體裝置結構及其製作方法有权
简体标题：半导体设备结构及其制作方法
公开(公告)号：TWI532183B
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW103115924
申请日：2014-05-05
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：馮家馨 , FUNG, KA-HING
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/1054 , H01L29/66628 , H01L29/66636 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L29/785

12. 发明专利

TWI467763B 半導體元件與其製造方法有权
简体标题：半导体组件与其制造方法
公开(公告)号：TWI467763B
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW100139798
申请日：2011-11-01
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：鄭振輝 , CHENG, CHUNFAI , 黃立平 , HUANG, LIPING , 馮家馨 , FUNG, KAHING
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/66666 , H01L29/1045 , H01L29/1083 , H01L29/165 , H01L29/41783 , H01L29/517 , H01L29/66492 , H01L29/66575 , H01L29/66628 , H01L29/66636 , H01L29/78 , H01L29/7848

13. 发明专利

TW201911387A 形成半導體元件結構的方法审中-公开
简体标题：形成半导体组件结构的方法
公开(公告)号：TW201911387A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW106135967
申请日：2017-10-19
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：馮家馨 , FUNG, KA-HING
IPC分类号： H01L21/28 , G06F17/50
摘要：本揭露提供一種形成半導體元件結構的方法。此方法包含確定沿位於半導體基材之上的矽鍺鰭片結構的高度的臨界電壓(threshold voltage)分布；根據鍺濃度與矽鍺鰭片結構的臨界電壓之間的關係，確定鍺濃度分布以抵銷臨界電壓分布；形成矽鍺磊晶層，其具有沿矽鍺磊晶層厚度的鍺濃度分布的矽鍺磊晶層；蝕刻矽鍺磊晶層以形成矽鍺鰭片結構；以及形成具有沿矽鍺鰭片結構高度的均勻臨界電壓的鰭式場效電晶體。
简体摘要：本揭露提供一种形成半导体组件结构的方法。此方法包含确定沿位于半导体基材之上的硅锗鳍片结构的高度的临界电压(threshold voltage)分布；根据锗浓度与硅锗鳍片结构的临界电压之间的关系，确定锗浓度分布以抵销临界电压分布；形成硅锗磊晶层，其具有沿硅锗磊晶层厚度的锗浓度分布的硅锗磊晶层；蚀刻硅锗磊晶层以形成硅锗鳍片结构；以及形成具有沿硅锗鳍片结构高度的均匀临界电压的鳍式场效应管。

14. 发明专利

TW201717400A 半導體元件审中-公开
简体标题：半导体组件
公开(公告)号：TW201717400A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105134133
申请日：2016-10-21
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：馮家馨 , FUNG, KA-HING
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/0924 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L27/092 , H01L29/165 , H01L29/42392 , H01L29/66545 , H01L29/785 , H01L2029/7858
摘要：一種半導體元件，包括：第一通道區域，設置在基板上方；第一源極區域及第一汲極區域，設置在基板上方且連接至第一通道區域以使得在第一源極區域與第一汲極區域之間設置第一通道區域；閘極介電層，設置在第一通道區域上且包覆第一通道區域；閘電極層，設置在閘極介電層上且包覆第一通道區域；以及第二源極區域及第二汲極區域，設置在基板上方且分別位於第一源極區域及第一汲極區域下方。第二源極區域及第二汲極區域與閘極介電層接觸。第一源極區域及第一汲極區域之晶格常數與第二源極區域及第二汲極區域之晶格常數不同。
简体摘要：一种半导体组件，包括：第一信道区域，设置在基板上方；第一源极区域及第一汲极区域，设置在基板上方且连接至第一信道区域以使得在第一源极区域与第一汲极区域之间设置第一信道区域；闸极介电层，设置在第一信道区域上且包覆第一信道区域；闸电极层，设置在闸极介电层上且包覆第一信道区域；以及第二源极区域及第二汲极区域，设置在基板上方且分别位于第一源极区域及第一汲极区域下方。第二源极区域及第二汲极区域与闸极介电层接触。第一源极区域及第一汲极区域之晶格常数与第二源极区域及第二汲极区域之晶格常数不同。

16. 发明专利

TW201601257A 靜態隨機存取記憶體的鰭式場效電晶體元件與其製備方法审中-公开
简体标题：静态随机存取内存的鳍式场效应管组件与其制备方法
公开(公告)号：TW201601257A
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW104100556
申请日：2015-01-08
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：江國誠 , CHING, KUOCHENG , 馮家馨 , FUNG, KAHING , 吳志強 , WU, ZHIQIANG , 卡羅司迪亞玆 , DIAZ, CARLOS H.
IPC分类号： H01L21/8244 , H01L27/11
CPC分类号： H01L29/7849 , H01L21/02161 , H01L21/02164 , H01L21/02236 , H01L21/02532 , H01L21/324 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L27/0922 , H01L27/0924 , H01L27/1104 , H01L29/0649 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/267 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L2029/7858
摘要：一種半導體元件，包含一第一鰭狀結構，位於一基板的一N型鰭式場效電晶體區域之上。第一鰭狀結構包含一矽層，一矽化鍺氧化層位於矽層上以及一鍺特徵結構位於矽化鍺氧化層上。半導體元件更包含一第二鰭狀結構，位於基板的一P型鰭式場效電晶體區域之上，第二鰭狀結構包含矽層，矽化鍺氧化層位於矽層之上，一矽化鍺磊晶層位於矽化鍺氧化層上以及鍺特徵結構位於矽化鍺磊晶層上。
简体摘要：一种半导体组件，包含一第一鳍状结构，位于一基板的一N型鳍式场效应管区域之上。第一鳍状结构包含一硅层，一硅化锗氧化层位于硅层上以及一锗特征结构位于硅化锗氧化层上。半导体组件更包含一第二鳍状结构，位于基板的一P型鳍式场效应管区域之上，第二鳍状结构包含硅层，硅化锗氧化层位于硅层之上，一硅化锗磊晶层位于硅化锗氧化层上以及锗特征结构位于硅化锗磊晶层上。

17. 发明专利

TW201251018A 半導體元件與其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：半导体组件与其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW201251018A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW100139798
申请日：2011-11-01
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：鄭振輝 , 黃立平 , 馮家馨
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/66666 , H01L29/1045 , H01L29/1083 , H01L29/165 , H01L29/41783 , H01L29/517 , H01L29/66492 , H01L29/66575 , H01L29/66628 , H01L29/66636 , H01L29/78 , H01L29/7848
摘要：提供一種積體電路元件及製造積體電路元件的方法。此積體電路元件包含設置於基材上之閘極結構;於基材上具有第一摻雜物的磊晶特徵;以及於基材上具有第二摻雜物的磊晶源極/汲極特徵,其中閘極結構定義一通道區域於基材上。磊晶源極/汲極特徵較磊晶特徵遠離通道區域。第二摻雜物具有與第一摻雜物相反之電載子型式。
简体摘要：提供一种集成电路组件及制造集成电路组件的方法。此集成电路组件包含设置于基材上之闸极结构;于基材上具有第一掺杂物的磊晶特征;以及于基材上具有第二掺杂物的磊晶源极/汲极特征,其中闸极结构定义一信道区域于基材上。磊晶源极/汲极特征较磊晶特征远离信道区域。第二掺杂物具有与第一掺杂物相反之电载子型式。

18. 发明专利

TW201218379A Ｐ型場效電晶體的應變結構 STRAINED STRUCTURE OF A P-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR 审中-公开
简体标题：Ｐ型场效应管的应变结构 STRAINED STRUCTURE OF A P-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR
公开(公告)号：TW201218379A
公开(公告)日：2012-05-01
申请号：TW100109395
申请日：2011-03-18
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：鄭振輝 , 馮家馨 , 黃立平 , 呂偉元
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7848 , H01L21/02532 , H01L21/02636 , H01L21/324 , H01L21/823412 , H01L21/823425 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L29/0847 , H01L29/1033 , H01L29/165 , H01L29/42368 , H01L29/495 , H01L29/4958 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L29/66621 , H01L29/66628 , H01L29/66636
摘要：在P型場效電晶體中,形成一對間隙壁於基材之頂表面的上方。通道低陷腔包含一凹陷部,此凹陷部係位於此對間隙壁間之基材頂表面中。閘極堆疊具有位於通道低陷腔中之底部,及延伸至通道低陷腔外之頂部。源極/汲極(S/D)低陷腔具有位於基材頂表面下方之底表面和側壁。源極/汲極低陷腔具有延伸至閘極堆疊下方之一部分。應變材料(Strained Material)係被填充至源極/汲極低陷腔中。
简体摘要：在P型场效应管中,形成一对间隙壁于基材之顶表面的上方。信道低陷腔包含一凹陷部,此凹陷部系位于此对间隙壁间之基材顶表面中。闸极堆栈具有位于信道低陷腔中之底部,及延伸至信道低陷腔外之顶部。源极/汲极(S/D)低陷腔具有位于基材顶表面下方之底表面和侧壁。源极/汲极低陷腔具有延伸至闸极堆栈下方之一部分。应变材料(Strained Material)系被填充至源极/汲极低陷腔中。

19. 发明专利

TWI361472B 半導體結構及半導體晶片 SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR CHIP 有权
简体标题：半导体结构及半导体芯片 SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR CHIP
公开(公告)号：TWI361472B
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW096118318
申请日：2007-05-23
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：馮家馨
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/823425 , H01L27/088
摘要：本發明提供一種半導體結構及半導體晶片，此半導體結構包括：一對稱式的金氧半導體電晶體，其包括一第一非對稱式的金氧半導體電晶體，其包括一第一閘極電極以及鄰接於該第一閘極電極的一第一源極與一第一汲極；以及一第二非對稱式的金氧半導體電晶體，其包括一第二閘極電極以及鄰接於該第二閘極電極的一第二源極與一第二汲極，其中該第一閘極電極連接於該第二閘極電極，並且其中只有該第一源極以及該第一汲極其中一者連接於對應的該第二源極及該第二汲極其中一者。
简体摘要：本发明提供一种半导体结构及半导体芯片，此半导体结构包括：一对称式的金属氧化物半导体晶体管，其包括一第一非对称式的金属氧化物半导体晶体管，其包括一第一闸极电极以及邻接于该第一闸极电极的一第一源极与一第一汲极；以及一第二非对称式的金属氧化物半导体晶体管，其包括一第二闸极电极以及邻接于该第二闸极电极的一第二源极与一第二汲极，其中该第一闸极电极连接于该第二闸极电极，并且其中只有该第一源极以及该第一汲极其中一者连接于对应的该第二源极及该第二汲极其中一者。

20. 发明专利

TW201123419A 具有用以隔離裝置之虛設結構的積體電路 INTEGRATED CIRCUIT HAVING DUMMY STRUCTURE FOR ISOLATING DEVICES 审中-公开
简体标题：具有用以隔离设备之虚设结构的集成电路 INTEGRATED CIRCUIT HAVING DUMMY STRUCTURE FOR ISOLATING DEVICES
公开(公告)号：TW201123419A
公开(公告)日：2011-07-01
申请号：TW099120126
申请日：2010-06-21
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：黃立平 , 黃志翔 , 馮家馨 , 吳忠政 , 王海艇
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/0207 , H01L21/28123 , H01L21/823878 , H01L27/092
摘要：本揭露提供一種積體電路。此積體電路包含具有第一電晶體之第一運算元件、具有第二電晶體之第二運算元件、以及設置於第一電晶體與第二電晶體間之隔離電晶體，其中第一電晶體係由第一成分所組成，第二電晶體係由第一成分所組成，隔離電晶體係由與第一成分不同之第二成分所組成。
简体摘要：本揭露提供一种集成电路。此集成电路包含具有第一晶体管之第一算子件、具有第二晶体管之第二算子件、以及设置于第一晶体管与第二晶体管间之隔离晶体管，其中第一晶体管系由第一成分所组成，第二晶体管系由第一成分所组成，隔离晶体管系由与第一成分不同之第二成分所组成。

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