基本信息:
- 专利标题： 靜態隨機存取記憶體的鰭式場效電晶體元件與其製備方法
- 专利标题（英）：Structure and method for sram FinFET device
- 专利标题（中）：静态随机存取内存的鳍式场效应管组件与其制备方法
- 申请号：TW104100556 申请日：2015-01-08
- 公开(公告)号：TW201601257A 公开(公告)日：2016-01-01
- 发明人： 江國誠 , CHING, KUOCHENG , 馮家馨 , FUNG, KAHING , 吳志強 , WU, ZHIQIANG , 卡羅司 迪亞玆 , DIAZ, CARLOS H.
- 申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 申请人地址： 新竹市
- 专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人地址： 新竹市
- 代理人： 蔡坤財; 李世章
- 优先权： 14/317,907 20140627
- 主分类号： H01L21/8244
- IPC分类号： H01L21/8244 ; H01L27/11
摘要：
一種半導體元件，包含一第一鰭狀結構，位於一基板的一N型鰭式場效電晶體區域之上。第一鰭狀結構包含一矽層，一矽化鍺氧化層位於矽層上以及一鍺特徵結構位於矽化鍺氧化層上。半導體元件更包含一第二鰭狀結構，位於基板的一P型鰭式場效電晶體區域之上，第二鰭狀結構包含矽層，矽化鍺氧化層位於矽層之上，一矽化鍺磊晶層位於矽化鍺氧化層上以及鍺特徵結構位於矽化鍺磊晶層上。
摘要（中）：
一种半导体组件，包含一第一鳍状结构，位于一基板的一N型鳍式场效应管区域之上。第一鳍状结构包含一硅层，一硅化锗氧化层位于硅层上以及一锗特征结构位于硅化锗氧化层上。半导体组件更包含一第二鳍状结构，位于基板的一P型鳍式场效应管区域之上，第二鳍状结构包含硅层，硅化锗氧化层位于硅层之上，一硅化锗磊晶层位于硅化锗氧化层上以及锗特征结构位于硅化锗磊晶层上。
摘要（英）：
A semiconductor device includes a first fin structure disposed over an n-type FinFET (NFET) region of a substrate. The first fin structure includes a silicon (Si) layer, a silicon germanium oxide (SiGeO) layer disposed over the silicon layer and a germanium (Ge) feature disposed over the SiGeO layer. The device also includes a second fin structure over the substrate in a p-type FinFET (PFET) region. The second fin structure includes the silicon (Si) layer, a silicon germanium oxide (SiGeO) layer disposed over the silicon layer, an epitaxial silicon germanium (SiGe) layer disposed over the SiGeO layer and the germanium (Ge) feature disposed over the epitaxial SiGe layer.
公开/授权文献:
- TWI567875B 靜態隨機存取記憶體的鰭式場效電晶體元件與其製備方法 公开/授权日：2017-01-21
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |
| --------------H01L21/782 | ....制造多个器件，每一个由单个电路元件组成 |
| ----------------H01L21/822 | .....衬底是采用硅工艺的半导体的 |
| ------------------H01L21/8222 | ......双极工艺 |
| --------------------H01L21/8234 | .......MIS工艺 |
| ----------------------H01L21/8239 | ........存储器结构 |
| ------------------------H01L21/8244 | .........静态随机存取存储结构（SRAM） |